#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027


伯恩斯坦研究(Bernstein Research)作为领先的投资研究机构,对存储半导体行业发布了高度乐观的展望,预计当前针对 DRAM 和 NAND 闪存芯片的牛市将延续至 2027 年。该预测对包括三星电子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK Hynix)、美光科技(Micron Technology)和闪迪(SanDisk)在内的主要存储芯片制造商具有重大影响。

当前市场动态与价格走势
据伯恩斯坦分析师 Mark Li 称,存储市场正经历前所未有的价格动能。DRAM 和 NAND 合约价格预计将在 2026 年第二季度再次大幅上涨,NAND 合约价格预计将环比上升 65% 到 70%。此次上涨主要由 SSD 和移动端 NAND 封装需求推动。DRAM 合约价格同样也被认为将出现大幅上涨,涨幅将早于伯恩斯坦此前的预期。
价格升值反映出基本面的供需错配。服务器 DRAM 和企业级 SSD 需求依然强劲,继续令全行业供给偏紧。然而,伯恩斯坦指出,现货价格正在传递相互矛盾的信号:服务器 DDR5 模块现货价格环比下跌约 6.7%,NAND 硬盘片现货价格也大约下跌 7%,原因在于更高的价格开始对消费者端需求产生压力。

支撑延续牛市的关键驱动因素
伯恩斯坦对 2027 年乐观判断背后有数个结构性因素:
AI 数据中心扩张:人工智能应用的普及制造了对高性能存储解决方案的巨大需求。AI 训练与推理工作负载需要大量 DRAM 容量,AI 服务器通常比传统服务器使用更多 DRAM 内容,约为 6-8 倍。数据中心运营商正在积极扩张内存容量以支持 AI 工作负载。
云计算增长:主要云服务提供商继续扩张其基础设施,推动对 DRAM 与 NAND 闪存存储的稳定需求。企业存储需求以约 25-30% 的年增长率增长,从而形成持续的需求顺风。
高性能计算需求:包括机器学习、大数据分析和科学计算在内的先进计算应用,对越来越复杂的内存架构提出要求。HBM(高带宽内存)和先进的 DDR5 技术通常定价更高、利润率也更高。
供给端约束:存储芯片制造需要大量资本投入和较长的交付周期。新的晶圆厂设施建设需要 2-3 年,并在投产后逐步爬坡至满产。由于洁净室产能有限、专用设备可得性受限以及熟练工程人才短缺,供给增长仍受到约束。

公司层面的影响
三星电子:作为全球最大的存储芯片制造商,三星有望从延续的价格强势中获得显著收益。公司在 DRAM、NAND 以及新兴存储技术领域的多元化产品布局,使其能够在多个市场细分中捕获价值。三星的垂直整合和制造规模为其在成本结构与供给安全方面提供了竞争优势。
SK 海力士:这家韩国存储专家已成为 HBM 技术领域的领先者,对 AI 应用至关重要。SK 海力士在 HBM 市场的份额约为 50%,是 DRAM 中利润率最高的细分领域。公司在先进封装与高速存储接口方面的技术领先地位,支撑其具备更强的溢价定价能力。
美光科技:作为唯一一家美国本土的大型存储制造商,美光受益于地缘政治考量与供应链多元化趋势。公司约 80% 的营收来自 DRAM,使其对 DRAM 价格周期尤为敏感。美光股价截至目前已大幅上涨约 240-270%,反映投资者对延续上行周期的乐观情绪。
闪迪(西部数据):作为纯 NAND 闪存提供商,闪迪可直接受益于 NAND 价格上涨。公司专注于企业级 SSD 和移动存储解决方案,与高增长市场细分相契合。

价格预测的演进路径
伯恩斯坦预计的价格走势如下:
2026 年第二季度:DRAM 和 NAND 各类别的价格大幅上涨
2026 年第三季度:买家转向长期合约后,价格涨幅温和
2026 年第四季度:价格继续上升,但上升速度放缓
2027 年:价格保持强势,且自 2027 年末开始逐步走向常态化
该路径表明,存储芯片制造商将享受更长时间的较高盈利能力,领先者的毛利率可能达到 50-60%。

市场规模预测
行业研究机构 TrendForce 上调了其全球存储市场预测,预计总可服务市场规模将在 2026 年达到 8893 亿美元,其中 DRAM 贡献 6187 亿美元,NAND 贡献 2706 亿美元。这相较当前水平体现出显著增长,并支撑伯恩斯坦的看涨论点。

投资考虑
寻求参与存储牛市的投资者有多种选择:
个股:对三星、SK 海力士、美光或西部数据/闪迪进行直接投资,可实现对特定公司执行力与市场定位的定向暴露。
DRAM ETF:Roundhill Memory ETF 提供对国际存储制造商的多元化敞口,包括三星、SK 海力士、美光以及其他半导体公司。
设备供应商:如 Lam Research、Applied Materials 和 Tokyo Electron 等公司,因存储制造商的资本开支需求而受益。

风险因素
尽管伯恩斯坦的展望是建设性的,投资者仍应考虑潜在风险:
如果价格上涨过快,消费者需求可能走弱,从而加速影响
供给端的响应最终可能比预期更快地使市场趋于平衡
宏观经济放缓可能降低企业 IT 支出
地缘政治紧张可能扰乱供应链或贸易流
技术迭代可能使当前代产品被淘汰

结论
伯恩斯坦对 2027 年前延续存储芯片牛市的预测,反映了包括 AI 普及、云计算扩张与数据中心增长在内的结构性需求驱动,同时叠加供给端约束,限制了快速增加产能。包括三星、SK 海力士、美光和闪迪在内的主要存储制造商,处于有利位置,可从持续的价格强势和利润率扩张中受益。投资者应在保持对半导体行业固有周期性风险的警惕的同时,考虑参与这一长期增长趋势的多种途径。
在 AI 与先进计算需求的推动下,存储行业正在从商品化业务转变为技术驱动的增长型行业,这支撑了伯恩斯坦的信心:这一周期的持续时间和盈利能力可能比历史模式所暗示的更长、更具盈利性。
@Gate_Square
DRAM-2.02%
MU-1.19%
AMAT2.25%
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