#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

我们正在远离由供应短缺引发的恐慌所触发的混乱、突发性价格飙升；而是进入一个由 AI 驱动、结构性稳健的扩张时期，预计将持续到 2027 年。
推动本轮周期的动力解释了为何尽管消费者需求放缓，市场仍保持韧性。
2026 年第二季度价格上涨与第三季度放缓：2026 年第二季度对存储器制造商而言表现极为强劲；然而，第三季度的放缓信号表明，消费者正在触及其购买力的上限。
传统 DRAM：平均涨幅 74%；预计增速将放缓至 13%–18% 区间。
服务器 DRAM：+60% 至 +67%；受益于高性能 DDR5 模块；现货价格相较合约价格呈现显著溢价。
移动 DRAM：约 80%；出现急剧的高峰，但手机制造商（OEM）正根据成本调整采购时间表并削减配置规模。
NAND 闪存：约 60%（整体合约）；差异十分明显。6 月晶圆现货价格下跌 3%–4%，但企业 SSD 与移动存储板块（+70% 至 +80%）仍维持市场。
由 AI 驱动的结构性转变：为何这次不同？
从历史上看，存储器周期一直呈现“繁荣—衰退”的特征：供应商积累过剩产能，PC 和智能手机的消费者需求下降，价格跌至谷底。
本轮周期正在被两股关键力量从根本上重塑：
长期协议（LTA）：超大型数据中心运营商和美国 Tier-1 云服务提供商（CSP）不再仅依赖开放现货市场的采购。他们正在签署为期 3 到 5 年、包含严格价格底线的合同，以防范行业下行。例如，尽管年初像 SK Hynix 和 Micron 这样的供应商签署了主要的长期协议来锁定产品配额，Samsung 则采取了更激进的策略，旨在实现更高的价格上限。
产能转移（自我蚕食）：对高带宽存储器（HBM）和先进服务器 DDR5 的旺盛需求意味着，制造商正在将物理晶圆产能从传统 PC 和移动 DRAM 生产转向这些领域。即便消费电子需求走弱，总体供应仍受约束，因为生产设施（晶圆厂）聚焦于制造高毛利的 AI 芯片。
供应商展望
伯恩斯坦的观点强调，这种高度多元化、以 AI 为中心的生产策略带来明确的“赢家”：
Samsung、SK Hynix 和 Micron（跑赢）：这三家公司是 HBM 和 DDR5 热潮的主要受益者；其拥有规模可观且已锁定的长期协议（LTA）订单积压，能在 2027 年前平滑其收入轨迹。
SanDisk（跑赢）：凭借其在企业 SSD 合约中的结构性优势尤为显著，提供较高的价格底线（约 0.29/GB），从而使其不易受到 NAND 晶圆价格的小幅波动影响。
Kioxia（谨慎/跑输）：暴露于更具波动性的、非 LTA 的通用闪存市场，并且对处于转弱的消费级晶圆板块缺乏缓冲。
月度价格飙升的“火箭船”阶段正在结束，但不要将其误认为牛市的终结。存储器定价的结构性基准仍处在较高水平。预计要到 2027 年末或 2028 年，随着新建产能最终投产，价格正常化才会全面落地。