#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

我们正在远离由供应短缺引发恐慌而导致的混乱、突发性价格飙升；取而代之的是，我们正进入一个结构上稳健、由人工智能驱动的扩张周期，预计将持续到 2027 年。
推动本轮周期的动力解释了为何尽管消费者需求放缓，市场仍保持韧性。
**2026 年第二季度涨价与第三季度放缓**：2026 年第二季度对存储器制造商而言势头强劲；然而，第三季度的放缓表明消费者已经触及其购买力的上限。
**传统 DRAM**：平均上涨 74%；预计增速将放缓至 13%–18% 区间。
**服务器 DRAM**：+60% 到 +67%；受益于高性能 DDR5 模块；现货价格相较合同价格呈现显著溢价。
**移动 DRAM**：约 80%；经历了急剧的高点，但手机制造商（OEM）现正调整采购时间表，并因成本而缩减配置。
**NAND 闪存**：约 60%（整体合同）；出现明显分化。6 月晶圆现货价格下跌 3%–4%，但企业级 SSD 与移动存储板块（+70% 到 +80%）仍支撑了市场。
**由人工智能驱动的结构性转变：为什么这次不一样？** 历史上，存储器周期通常呈现“繁荣—崩塌”的模式：供应商积累过剩产能，PC 和智能手机的消费者需求下滑，价格跌至谷底。
本轮周期正被两股关键力量从根本上重塑：
**长期协议（LTAs）**：Hyperscale data center operators 和 Tier-1 US Cloud Service Providers（CSPs）不再仅依赖公开现货市场的采购。他们正在签署为期 3 到 5 年的合同，并包含严格的价格地板条款，以防范下行。例如，尽管像 SK Hynix 和 Micron 这类供应商年初就签署了大型 LTAs 以锁定产品配额，但三星采取了更激进的策略，目标是实现更高的价格上限。
**产能转移（蚕食效应）**：对高带宽存储器（HBM）以及先进服务器 DDR5 的旺盛需求，意味着制造商正在将物理晶圆产能从传统 PC 和移动 DRAM 生产转向这些领域。即便消费电子需求走弱，总体供给仍保持受限状态，因为生产设施（晶圆厂）聚焦于制造高利润的 AI 芯片。
## 供应商展望
贝尔斯登的观点强调了这一高度多元化、以人工智能为中心的生产策略中的赢家：
**三星、SK Hynix 和 Micron（表现优于）**：这三家公司是 HBM 和 DDR5 繁荣的主要受益者；它们拥有大量已锁定的长期协议（LTA）订单，通过 2027 年将收入轨迹平滑化。
**SanDisk（表现优于）**：凭借其在企业级 SSD 合同中的结构性优势非常突出而获益颇丰，提供较高的价格地板（约 $0.29/GB），从而使其免受 NAND 晶圆价格的轻微波动影响。
**Kioxia（谨慎/表现不佳）**：其暴露在更波动的、非 LTA 的商用闪存市场之中，并且对走软的消费级晶圆板块缺乏足够的防护。
“火箭船”般的月度价格飙升阶段正在结束，但不要误以为这意味着牛市终结。存储器定价的结构性基准仍处于高位。预计要到 2027 年末或 2028 年才会充分实现正常化，因为新建产能最终才会陆续投产上线。