#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027


伯恩斯坦研究(Bernstein Research)作为领先的投资研究机构,发布了对存储半导体行业高度乐观的展望,预计 DRAM 和 NAND 闪存芯片的当前牛市将持续至 2027 年。该预测对主要存储芯片制造商(包括三星电子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK Hynix)、美光科技(Micron Technology)和闪迪(SanDisk))具有重要影响。
当前市场动态与价格走势
据伯恩斯坦分析师 Mark Li 称,存储市场正经历前所未有的价格动能。DRAM 和 NAND 合约价格预计将在 2026 年第二季度迎来又一次显著上涨;其中 NAND 合约价格预计将实现环比增长 65% 到 70%。这一激增主要由 SSD 和移动端 NAND 封装需求带动。DRAM 合约价格同样显示将大幅上调,并且早于伯恩斯坦此前的预期。
价格上涨反映了基本面的供需失衡。服务器 DRAM 和企业级 SSD 需求仍然强劲,继续在行业范围内维持供应偏紧。然而,伯恩斯坦指出,现货价格正在发出混合信号:服务器 DDR5 模块现货价格环比下跌约 6.7%,NAND 晶圆现货价格也下跌约 7%,因为更高的价格开始对消费者端需求形成压力。
支撑延长牛市的关键驱动因素
伯恩斯坦对 2027 年持乐观态度的推力来自多项结构性因素:
AI 数据中心扩张:人工智能应用的普及带来了对高性能存储解决方案的巨大需求。AI 训练与推理工作负载需要大量 DRAM 容量,AI 服务器通常使用的 DRAM 内容是传统服务器的 6-8 倍。数据中心运营商正在加速扩展内存容量以支持 AI 工作负载。
云计算增长:主要云服务提供商继续扩张其基础设施,从而推动对 DRAM 和 NAND 闪存存储的持续需求。企业存储需求正以约每年 25% 到 30% 的速度增长,为持续的需求顺风提供支撑。
高性能计算需求:包括机器学习、大数据分析和科学计算在内的先进计算应用,需要越来越复杂的存储架构。HBM(高带宽内存)和先进的 DDR5 技术能够获得溢价定价并带来更高的利润率。
供给端约束:存储芯片制造需要大量资本投入和较长的前置周期。新建晶圆厂需要 2-3 年建设并爬坡至满产。由于洁净室产能有限、专用设备可获得性不足以及熟练工程人才短缺,供给增长仍受制约。
公司层面的影响
三星电子:作为全球最大的存储芯片制造商,三星有望从延续的价格强势中显著受益。公司覆盖 DRAM、NAND 以及新兴存储技术的多元化产品组合,使其能够在多个市场细分中捕获价值。三星的垂直整合与制造规模为其成本结构和供给安全提供竞争优势。
SK 海力士:这家韩国存储专家已经成为 HBM 技术的领先者,对 AI 应用至关重要。SK 海力士在 HBM 领域占约 50% 的市场份额,这是 DRAM 中利润率最高的细分市场。公司在先进封装和高速存储接口方面的技术领先地位,支撑其具备溢价定价能力。
美光科技:作为唯一一家总部位于美国的主要存储制造商,美光受益于地缘政治考量以及供应链多元化趋势。公司约 80% 的收入来自 DRAM,这使其对 DRAM 价格周期尤其敏感。美光股价截至目前已大幅上涨约 240-270%,反映投资者对延长上行周期的乐观情绪。
闪迪(西部数据):作为纯 NAND 闪存提供商,闪迪可直接受益于 NAND 价格上涨。公司聚焦企业级 SSD 和移动存储解决方案,与高增长市场细分相契合。
价格预测路径
伯恩斯坦预计如下的价格路径:
2026 年第二季度:DRAM 和 NAND 各品类价格大幅上涨
2026 年第三季度:随着买家转向长期合约,价格适度上涨
2026 年第四季度:价格继续上行,但上涨速度放缓
2027 年:价格保持强劲,且在 2027 年末至 2028 年逐步趋于正常化
该路径表明,存储芯片制造商将享受延长的较高盈利期;领先厂商的毛利率可能达到 50-60%。
市场规模预测
行业研究机构 TrendForce 上调了全球存储市场预测,预计到 2026 年,总可服务市场将达到 8893 亿美元,其中 DRAM 贡献 6187 亿美元,NAND 贡献 2706 亿美元。这较当前水平实现显著增长,并支撑了伯恩斯坦的看涨论点。
投资考量
寻求参与存储牛市的投资者有多种选择:
个股:直接投资三星、SK 海力士、美光或西部数据/闪迪,可获得对特定公司的执行情况与市场定位的定向敞口。
DRAM ETF:Roundhill Memory ETF 提供对国际存储厂商的多元化敞口,包括三星、SK 海力士、美光以及其他半导体公司。
设备供应商:如 Lam Research、Applied Materials 和 Tokyo Electron 这类公司,将受益于存储制造商的资本开支需求。
风险因素
尽管伯恩斯坦的展望偏建设性,投资者仍应考虑潜在风险:
若价格上涨过快,可能导致消费需求走弱并加速恶化
供给端的响应最终可能比预期更快地实现市场再平衡
宏观经济放缓可能压低企业 IT 支出
地缘政治紧张可能扰乱供应链或贸易流
技术换代可能使当前代产品变得过时
结论
伯恩斯坦对 2027 年前延长的存储芯片牛市的预测,体现了包括 AI 扩散、云计算扩张和数据中心增长在内的结构性需求驱动,同时还叠加了限制快速新增产能的供给端约束。包括三星、SK 海力士、美光和闪迪在内的主要存储制造商,处于有利位置,可从持续的价格强势与利润率提升中受益。投资者应在关注半导体行业固有周期性风险的同时,考虑参与这一长期增长趋势的各类途径。
存储行业从商品化业务向由 AI 和先进计算需求驱动的技术型增长行业转型,支撑了伯恩斯坦的信心:这一周期将比历史模式所暗示的时间更长、也更具盈利性。
@Gate_Square
DRAM-2.02%
MU-1.19%
AMAT2.25%
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