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Little_Star
2026-07-11 13:21:28
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#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
我们正在远离因供给短缺引发恐慌而导致的混乱、突发性价格飙升；相反，我们正进入一个结构稳健、由 AI 驱动的扩张阶段，预计将持续到 2027 年。
推动本轮周期的动力解释了尽管消费者需求放缓，市场为何仍保持韧性。
2026 年第二季度价格上涨与第三季度放缓：2026 年第二季度对内存制造商而言表现极为强劲；然而，第三季度的放缓表明，消费者正逼近其购买力的上限。
传统 DRAM：平均上涨 74%；预计增速将放缓至 13%–18% 区间。
服务器 DRAM：+60% 到 +67%；得益于高性能 DDR5 模块；现货价格相较合约价格正以显著溢价交易。
移动 DRAM：约 80%；经历了急剧的峰值，但手机制造商（OEM）正在调整采购时间表，并因成本而削减配置。
NAND 闪存：约 60%（整体合约）；出现了明显的分歧。6 月晶圆现货价格下跌 3%–4%；但企业级 SSD 和移动存储板块（+70% 到 +80%）仍支撑了市场。
由 AI 驱动的结构性转变：为什么这次不同？从历史来看，内存周期的特征是“繁荣—崩落”的模式：供应商累积过剩产能，消费者对 PC 和智能手机的需求下滑，价格跌至谷底。
本轮周期正被两股关键力量从根本上重塑：
长期协议（LTAs）：超大规模数据中心运营商和美国一级云服务提供商（CSP）不再仅依赖开放现货市场的采购。他们正在签署包含严格价格底线的 3 到 5 年期合约，以防范行业下行。例如，尽管 SK Hynix 和 Micron 等供应商早在年初签署了重要的长期协议以锁定产品分配，三星则采取了更为激进的立场，目标是实现更高的价格上限。
产能转移（吞并效应）：对高带宽存储器（HBM）和先进服务器 DDR5 的需求旺盛，意味着制造商正在将物理晶圆产能从传统 PC 和移动 DRAM 生产转向这些领域。即使消费电子需求走弱，总体供给仍保持受限，因为生产设施（晶圆厂）专注于制造高毛利的 AI 芯片。
供应商展望
Bernstein 的观点强调了这一高度多元化、以 AI 为核心的生产策略的赢家：
三星、SK Hynix 和 Micron（跑赢）：这三家公司是 HBM 与 DDR5 热潮的主要受益者；它们拥有大量已锁定的长期协议（LTA）订单，能够在 2027 年之前平滑其收入走势。
SanDisk（跑赢）：在企业级 SSD 合约中的结构性优势极为显著，提供高价格底线（~$0.29/GB），可使其免受 NAND 晶圆价格的轻微波动影响。
Kioxia（谨慎/跑输）：暴露在更为波动的、非 LTA 的商用闪存市场中，且对走弱的消费端晶圆板块缺乏隔离缓冲。
月度价格飙升的“火箭船”阶段正在结束，但不要把这误认为牛市的终结。内存定价的结构性基准仍处于较高水平。由于新建产能最终才开始投产，预计要到 2027 年末或 2028 年才会更充分地实现价格的正常化。
DRAM
-2.02%
SK海力士
-0.27%
SKHYV
-0.98%
MU
-1.19%
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Yusfirah
2026-07-11 00:56:20
#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
我们正逐步远离由供应短缺引发的恐慌所触发的混乱、突发性价格飙升；相反，我们正在进入一个由 AI 驱动、结构性稳健的扩张阶段，预计将持续到 2027 年。
推动本轮周期的动态，解释了为何尽管消费者需求放缓，市场仍保持韧性。
2026 年第二季度价格上涨与第三季度放缓：2026 年第二季度对存储器制造商来说极为强劲；不过，第三季度的放缓表明消费者正在触及其购买力的上限。
传统 DRAM：平均上涨 74%；预计增速将放缓至 13%–18% 区间。
服务器 DRAM：+60% 至 +67%；得益于高性能 DDR5 模组；现货价格相较合约价格交易出现了显著溢价。
移动 DRAM：约 80%；经历了急剧高点，但手机制造商（OEM）正根据成本调整采购时间表并缩减配置。
NAND 闪存：约 60%（整体合约）；呈现出显著分化。6 月，晶圆现货价格下跌 3%–4%，但企业级 SSD 与移动存储细分领域（+70% 至 +80%）仍支撑市场。
AI 驱动的结构性转变：为什么这次不一样？
从历史上看，存储器周期通常表现为“繁荣—崩塌”的模式：供应商积累过剩产能，PC 和智能手机的消费需求下滑，价格跌至谷底。
本轮周期正被两股关键力量从根本上重塑：
长期协议（LTA）：超大型数据中心运营商和美国一线云服务提供商（CSP）不再仅依赖开放现货市场的采购。他们正在签署为期 3 到 5 年的合约，并纳入严格的价格地板条款，以防范经济下行。例如，尽管像 SK Hynix 和 Micron 这样的供应商在年初就签署了重要的长期协议以锁定产品分配，但三星采取了更为激进的立场，目标是实现更高的价格上限。
产能转移（蚕食）：对高带宽存储器（HBM）以及先进服务器 DDR5 的旺盛需求意味着，制造商正将物理晶圆产能从传统的 PC 和移动 DRAM 生产转向这些领域。即便消费电子需求走弱，总体供给仍受到约束，因为生产设施（晶圆厂）聚焦于制造高毛利的 AI 芯片。
供应商展望
Bernstein 的观点指出，这一高度多元化、以 AI 为中心的产能策略中的赢家包括：
三星、SK Hynix 和 Micron（跑赢）：这三家公司是 HBM 和 DDR5 热潮的主要受益者；它们拥有大量、已锁定的长期协议（LTA）订单，使其收入轨迹在 2027 年之前更加平滑。
SanDisk（跑赢）：在企业级 SSD 合约中的结构性优势极强，提供较高的价格地板（约 $0.29/GB），从而使其不易受 NAND 晶圆价格小幅波动的影响。
Kioxia（谨慎/跑输）：暴露在更易波动的、非 LTA 的商品闪存市场中，并且相较于对消费者晶圆走弱环节的防护更少。
“火箭船”般的月度价格飙升阶段正在结束，但不要将其误认为牛市的终结。存储器定价的结构性基线仍处在较高水平。预计要到 2027 年末或 2028 年，随着新建产能最终投产，价格才有望实现更充分的正常化。
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Falcon_Official
· 4小时前
2026 GOGOGO 👊
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我们正在远离因供给短缺引发恐慌而导致的混乱、突发性价格飙升；相反，我们正进入一个结构稳健、由 AI 驱动的扩张阶段，预计将持续到 2027 年。
推动本轮周期的动力解释了尽管消费者需求放缓，市场为何仍保持韧性。
2026 年第二季度价格上涨与第三季度放缓：2026 年第二季度对内存制造商而言表现极为强劲；然而，第三季度的放缓表明，消费者正逼近其购买力的上限。
传统 DRAM：平均上涨 74%；预计增速将放缓至 13%–18% 区间。
服务器 DRAM：+60% 到 +67%；得益于高性能 DDR5 模块；现货价格相较合约价格正以显著溢价交易。
移动 DRAM：约 80%；经历了急剧的峰值，但手机制造商（OEM）正在调整采购时间表，并因成本而削减配置。
NAND 闪存：约 60%（整体合约）；出现了明显的分歧。6 月晶圆现货价格下跌 3%–4%；但企业级 SSD 和移动存储板块（+70% 到 +80%）仍支撑了市场。
由 AI 驱动的结构性转变：为什么这次不同？从历史来看，内存周期的特征是“繁荣—崩落”的模式：供应商累积过剩产能，消费者对 PC 和智能手机的需求下滑，价格跌至谷底。
本轮周期正被两股关键力量从根本上重塑：
长期协议（LTAs）：超大规模数据中心运营商和美国一级云服务提供商（CSP）不再仅依赖开放现货市场的采购。他们正在签署包含严格价格底线的 3 到 5 年期合约，以防范行业下行。例如，尽管 SK Hynix 和 Micron 等供应商早在年初签署了重要的长期协议以锁定产品分配，三星则采取了更为激进的立场，目标是实现更高的价格上限。
产能转移（吞并效应）：对高带宽存储器（HBM）和先进服务器 DDR5 的需求旺盛，意味着制造商正在将物理晶圆产能从传统 PC 和移动 DRAM 生产转向这些领域。即使消费电子需求走弱，总体供给仍保持受限，因为生产设施（晶圆厂）专注于制造高毛利的 AI 芯片。
供应商展望
Bernstein 的观点强调了这一高度多元化、以 AI 为核心的生产策略的赢家：
三星、SK Hynix 和 Micron（跑赢）：这三家公司是 HBM 与 DDR5 热潮的主要受益者；它们拥有大量已锁定的长期协议（LTA）订单，能够在 2027 年之前平滑其收入走势。
SanDisk（跑赢）：在企业级 SSD 合约中的结构性优势极为显著，提供高价格底线（~$0.29/GB），可使其免受 NAND 晶圆价格的轻微波动影响。
Kioxia（谨慎/跑输）：暴露在更为波动的、非 LTA 的商用闪存市场中，且对走弱的消费端晶圆板块缺乏隔离缓冲。
月度价格飙升的“火箭船”阶段正在结束，但不要把这误认为牛市的终结。内存定价的结构性基准仍处于较高水平。由于新建产能最终才开始投产，预计要到 2027 年末或 2028 年才会更充分地实现价格的正常化。
我们正逐步远离由供应短缺引发的恐慌所触发的混乱、突发性价格飙升；相反，我们正在进入一个由 AI 驱动、结构性稳健的扩张阶段，预计将持续到 2027 年。
推动本轮周期的动态，解释了为何尽管消费者需求放缓，市场仍保持韧性。
2026 年第二季度价格上涨与第三季度放缓：2026 年第二季度对存储器制造商来说极为强劲；不过，第三季度的放缓表明消费者正在触及其购买力的上限。
传统 DRAM：平均上涨 74%；预计增速将放缓至 13%–18% 区间。
服务器 DRAM：+60% 至 +67%；得益于高性能 DDR5 模组；现货价格相较合约价格交易出现了显著溢价。
移动 DRAM：约 80%；经历了急剧高点，但手机制造商（OEM）正根据成本调整采购时间表并缩减配置。
NAND 闪存：约 60%（整体合约）；呈现出显著分化。6 月，晶圆现货价格下跌 3%–4%，但企业级 SSD 与移动存储细分领域（+70% 至 +80%）仍支撑市场。
AI 驱动的结构性转变：为什么这次不一样？
从历史上看，存储器周期通常表现为“繁荣—崩塌”的模式：供应商积累过剩产能，PC 和智能手机的消费需求下滑，价格跌至谷底。
本轮周期正被两股关键力量从根本上重塑：
长期协议（LTA）：超大型数据中心运营商和美国一线云服务提供商（CSP）不再仅依赖开放现货市场的采购。他们正在签署为期 3 到 5 年的合约，并纳入严格的价格地板条款，以防范经济下行。例如，尽管像 SK Hynix 和 Micron 这样的供应商在年初就签署了重要的长期协议以锁定产品分配，但三星采取了更为激进的立场，目标是实现更高的价格上限。
产能转移（蚕食）：对高带宽存储器（HBM）以及先进服务器 DDR5 的旺盛需求意味着，制造商正将物理晶圆产能从传统的 PC 和移动 DRAM 生产转向这些领域。即便消费电子需求走弱，总体供给仍受到约束，因为生产设施（晶圆厂）聚焦于制造高毛利的 AI 芯片。
供应商展望
Bernstein 的观点指出，这一高度多元化、以 AI 为中心的产能策略中的赢家包括：
三星、SK Hynix 和 Micron（跑赢）：这三家公司是 HBM 和 DDR5 热潮的主要受益者；它们拥有大量、已锁定的长期协议（LTA）订单，使其收入轨迹在 2027 年之前更加平滑。
SanDisk（跑赢）：在企业级 SSD 合约中的结构性优势极强，提供较高的价格地板（约 $0.29/GB），从而使其不易受 NAND 晶圆价格小幅波动的影响。
Kioxia（谨慎/跑输）：暴露在更易波动的、非 LTA 的商品闪存市场中，并且相较于对消费者晶圆走弱环节的防护更少。
“火箭船”般的月度价格飙升阶段正在结束，但不要将其误认为牛市的终结。存储器定价的结构性基线仍处在较高水平。预计要到 2027 年末或 2028 年，随着新建产能最终投产，价格才有望实现更充分的正常化。