#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

我们正在远离由供应短缺引发的恐慌所触发的混乱、突发性价格飙升；取而代之的是，我们将进入一个结构基础稳固、由 AI 驱动的扩张期，预计将持续到 2027 年。
驱动本轮周期的动力解释了为何尽管消费者需求放缓，市场仍保持韧性。
2026 年第二季度价格上涨与第三季度放缓：2026 年第二季度对存储器制造商而言表现极为强劲；然而，第三季度的放缓表明，消费者正接近其购买力的上限。
传统 DRAM：平均上涨 74%；预计增速将放缓至 13%–18% 的区间。
服务器 DRAM：+60% 至 +67%；得益于高性能 DDR5 模组；现货价格相较合同价格正在交易出显著溢价。
移动 DRAM：~80%；经历了急剧的高点，但手机制造商（OEM）如今正在调整采购时间表，并因成本而缩减配置。
NAND 闪存：~60%（整体合约）；分化十分明显。6 月晶圆现货价格下跌 3%–4%，但企业级 SSD 与移动存储细分市场（+70% 至 +80%）仍支撑了市场。
由 AI 驱动的结构性转变：为何这一次不同？
从历史上看，存储器周期的特征是“繁荣—崩落”模式：供应商会累积过剩产能，PC 与智能手机的消费需求下滑，价格跌至谷底。
本轮周期正被两股关键力量从根本上改写：
长期协议（LTAs）：超大规模数据中心运营商以及美国一流云服务提供商（CSP）不再仅依赖公开现货市场的采购。他们正在签署包含严格价格地板的 3 到 5 年合约，以防范行业下行。例如，尽管像 SK Hynix 和 Micron 这样的供应商在年初签署了主要 LTAs 以锁定产品配额，三星则采取了更激进的立场，目标是实现更高的价格上限。
产能转移（“掠夺式”替代）：对高带宽存储器（HBM）以及先进服务器 DDR5 的需求强劲到让人无法忽视，这意味着制造商正在将物理晶圆产能从传统 PC 与移动 DRAM 的生产，转向这些领域。即便消费电子需求走弱，整体供应仍然受限，因为生产设施（晶圆厂）聚焦于制造高毛利的 AI 芯片。
供应商展望
伯恩斯坦的观点强调，这种高度多元化、以 AI 为中心的生产策略的赢家包括：
三星、SK Hynix 和 Micron（跑赢）：这三家公司是 HBM 与 DDR5 热潮的主要受益者；它们拥有大量已锁定的长期协议（LTA）订单，这些订单将其收入轨迹在 2027 年之前平滑下来。
SanDisk（跑赢）：凭借其在企业级 SSD 合约中的结构性优势极为突出，提供较高的价格地板（约 0.29 美元/GB），从而使其免受 NAND 晶圆价格的小幅波动影响。
Kioxia（谨慎/落后）：暴露在更具波动性的、非 LTA 的商品闪存市场中，并且对走软的消费端晶圆板块缺乏足够的隔离。
月度价格飙升的“火箭”阶段正在结束，但请不要把这当作牛市的终结。存储器定价的结构性基线仍处于较高水平。直到 2027 年末或 2028 年，才预计会有更充分的正常化落地，因为新建产能终于开始投产上线。