伯恩斯坦预测：内存牛市将延续至 2027 年：AI 需求持续重塑半导体行业

市场概览
全球内存半导体周期或许远未结束。
据伯恩斯坦的一份里程碑式研究报告，目前的内存牛市预计将持续到 2027 年，背后由加速的人工智能基础设施投资驱动前所未有的供需错配。
伯恩斯坦并不将当前周期视为短暂的复苏，而是认为结构性 AI 需求正在营造一个与以往半导体上行周期截然不同的环境。
AI 基础设施正在改变内存需求
伯恩斯坦展望的首要驱动因素是 AI 计算基础设施的快速扩张。
一台英伟达 Vera Rubin NVL72 机架目前正在被包括微软、Google 和 Amazon 在内的主要超大规模云服务商部署，该机架内约包含 20.7 太字节的 HBM4 内存，以及 54 太字节的 LPDDR5X 内存。
按当前市场价格计算，单台机架所需的内存部件成本已超过 200 万美元。
根据伯恩斯坦对 2027 年的定价预测，这一成本或将接近翻倍，意味着在单一产品代际中，内存成本每机架的预计涨幅为 435%。
内存价格继续走高
近期的定价趋势继续支撑伯恩斯坦的乐观判断。
该公司 2026 年第二季度的行业跟踪显示，DRAM 和 NAND 的合约价格上升幅度均超过此前预期。
预计企业级 SSD 需求以及更强的移动端 NAND 消费将推动 NAND 合约价格环比上升约 65–70%。
与此同时，对服务器 DRAM 和企业存储的持续需求，使得多个产品类别的供给仍保持紧张。
HBM 定价进入新阶段
行业中最重要的进展之一涉及高带宽内存（HBM）。
由于 HBM 定价历来通过年度合约进行谈判，其价格在常规 DRAM 价格自 2025 年第三季度以来约上涨 4.5 倍的情况下仍相对保持稳定。
因此，半导体制造商目前用于标准 DRAM 与 HBM 生产的晶圆产能所带来的收入大约分别是后者的 2 倍，毛利则接近 3 倍。
三星和美光均在其 2026 年第一季度财报电话会议期间确认：非 HBM 的 DRAM 相较 HBM 已更具盈利性，盈利差距仍在扩大。
伯恩斯坦预计 HBM 价格将出现显著上涨
为恢复盈利能力，伯恩斯坦预计将进行大幅的定价调整。
该公司预计，2027 年平均 HBM 价格可能会在 2 倍至 2.5 倍之间上调。
即使在这些涨幅之后，HBM 的盈利能力仍预计低于传统 DRAM，不过差距将显著收窄。
SK Hynix 也表示，它打算在 HBM 与传统 DRAM 之间追求一种最优的分配策略，而不是单纯最大化短期收入，在平衡盈利能力的同时推动 AI 基础设施的长期扩张。
内存龙头的财务展望
伯恩斯坦的长期财务预测同样引人注目。
该公司预计，行业领先制造商在 2027 年的股东权益回报率（ROE）将达到异常强劲的水平：
- 三星：55%
- SK Hynix：108%
- 美光：85%
现金产生能力也预计将迅速加速，伯恩斯坦估计到 2027 年，这些公司现金余额可能约占账面价值的 70–80%。
基于这些预测，研究机构认为传统的市价账面价值（P/B）估值模型正变得越来越不那么有用，并且日益偏好前瞻性的市盈率（P/E）指标。
更高的盈利预期
伯恩斯坦已上调三大内存制造商的目标股价。
其对 2027 年每股收益（EPS）的预测仍显著高于当前市场预期：
- 三星：比一致预期高 26%
- SK Hynix：比一致预期高 32%
- 美光：比一致预期高 38%
随着未来几个月内对 HBM 的年度定价谈判逐步结束，伯恩斯坦预计更广泛的分析师一致预估将上调，可能进一步为半导体估值提供额外支撑。
AI 基础设施成本上升
该报告还强调，超大规模云服务商面临的财务负担正在加重。
伯恩斯坦估计，仅为消化更高的内存成本，数据中心资本开支可能需要增加约 30%。
为维持其目标 75% 的毛利率，预计英伟达将把不断上升的 HBM 成本中的相当一部分转嫁给云基础设施提供商，从而进一步增加 AI 部署的总成本。
最终展望
伯恩斯坦的分析表明，当前的内存周期不仅仅是传统意义上的半导体复苏。
相反，人工智能基础设施正在创造持续的结构性需求，而现有的制造产能无法迅速满足。
如果这些预测被证实准确，那么内存牛市可能将成为 2027 年期间最强劲的长期投资主题之一：持续的价格强势、不断扩大的盈利能力以及不断上升的 AI 基础设施支出将支撑行业进入下一阶段增长。
#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
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