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Raveena
2026-07-10 11:04:34
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#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
华尔街投资研究公司伯恩斯坦(Bernstein)发布了其每月存储行业报告,并给出了大胆预测:全球内存半导体多头行情将延续至 2027 年。
但这里有一个关键细微差别——爆发式的价格飙升阶段已经在官方意义上结束。市场正在从“宽松资金”的时期,过渡到更均衡、可持续的增长阶段。
---
繁荣背后的数字
伯恩斯坦的数据显示,本轮周期之所以“非同寻常”,就在于当前周期的表现有多么夸张:
DRAM(动态随机存取存储器):
· 2026 年第二季度平均价格环比上涨 74%
· 服务器 DRAM 上涨超过 60%
· 手机端 DRAM 上涨近 80%
· PC DRAM 现货价格环比上涨 5.6%,至 11.5%
· 服务器 DRAM 现货价格环比上涨 6.1%,至 26.4%
NAND Flash:
NAND 市场呈现出显著分化:
· 晶圆现货价格走弱(下跌 3-4%)
· 移动端与 SSD 存储的定价依然强劲,带动整体合约价格上涨 60%
现货市场继续反映供应趋紧的态势,即服务器 DDR5 相较合约价格存在明显溢价。
---
2026 年第三季度:减速开始
快速拉升价格的阶段正在结束。伯恩斯坦援引 TrendForce 数据预测:2026 年第三季度 DRAM 价格增速将放缓至 13%-18%。
为什么?预计疲软的消费电子需求将逐步对市场形成压制。爆发式的季度涨幅时代正在让位于更温和、可持续的增长。
---
AI:主要催化剂
是什么让这一轮周期区别于以往每一次内存牛市?人工智能。
每一个新的 AI 模型都需要不断增加高性能内存的用量。先进内存如今在支撑新一代平台运行方面的重要性,已如同 GPU 一样关键。
规模令人震撼:
· 以当前价格计算,一组单台服务器机架的内存价值超过 200 万美元
· 伯恩斯坦预计,到 2027 年这部分内存成本将几乎翻倍——在单一产品周期内,机架内存价值增幅为 435%
· 预计到 2027 年,全球云端与 AI 基础设施资本开支将接近 1.5 万亿美元——对应 40% 至 50% 的年同比增长
超大规模云服务商、AI 初创公司、企业科技公司以及政府继续向 AI 基础设施投入数十亿美元,从而维持对 HBM(高带宽内存)、DDR5 DRAM 以及企业级 SSD 的需求。
---
结构性转变:从消费端转向企业端
本轮周期体现出相较以往内存牛市的根本性不同。
从历史上看,内存定价主要由消费设备驱动——智能手机与电脑。如今,企业基础设施已成为主要需求引擎。每一个新的 AI 集群都需要大量 DRAM 和 HBM,从而形成远超消费电子消耗的持续需求。
---
关键行业参与者
伯恩斯坦维持对以下公司的正面评级:
· Samsung——内存组合多元化的市场领跑者
· SK Hynix——HBM 领域的主导者,对 AI 加速器至关重要
· Micron——美国区位优势明显,并专注于能效
· SanDisk——NAND 与存储解决方案提供商
伯恩斯坦对 Kioxia 仍保持谨慎。
---
长期合约因素
云服务提供商正积极且激进地锁定长期供货协议。
部分美国 CSP 已完成谈判,而中国 CSP 仍在讨论之中。这些合约有助于平滑未来的价格调整,但也可能限制部分供应商继续上调价格的能力。
---
供给端纪律:打破旧循环
内存制造商已采用资本开支纪律,避免再次出现此前导致产能过剩的情况。
制造商不再向市场倾斜新增产能,而是把重点放在:
· 技术升级
· 良率提升
· 新一代制程开发
由于制造复杂度,HBM 的产量仍然受限。因此,能够生产先进 HBM 产品的供应商具备显著的定价权。
---
2027-2028:走向常态化
伯恩斯坦预计,内存价格在 2027 年期间将保持坚挺。
随着新产能上线并生效长期合约,常态化预计将从 2027 年下半年开始,并贯穿至 2028 年。
---
需要考虑的风险
尽管前景乐观,伯恩斯坦仍承认存在若干风险:
· 经济不确定性可能压低需求
· 地缘政治紧张局势与贸易政策变化
· 供应链中断
· 意外的经济放缓
· 贸易限制
· AI 投资未能达到预期
· 如果供给端纪律崩解,可能出现产能过剩(Potential产能过剩 if supply discipline breaks down)
---
结论:内存迎来新纪元
伯恩斯坦的分析表明得很清楚:延续至 2027 年的内存多头行情,反映的是由 AI、云计算、数据中心以及新一代消费电子共同推动的结构性转型。
尽管爆发式的价格上涨可能已经在我们身后,但支撑需求的基本面依然强劲。
这一轮周期的下一阶段,将更有利于那些具备最强基本面、出色执行能力和更高盈利能力的公司——而不仅仅是拥有引人注目的“AI 故事”。
这不再是投机性的狂热。这是一种基于真实基础设施投资与技术变革构建起来的、可持续的多年度扩张。内存行业已经进入一个新的阶段——伯恩斯坦相信它至少将持续到 2027 年。
#MemoryBullMarket
#Bernstein
#Semiconductors
#AIHardware
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华尔街投资研究公司伯恩斯坦(Bernstein)发布了其每月存储行业报告,并给出了大胆预测:全球内存半导体多头行情将延续至 2027 年。
但这里有一个关键细微差别——爆发式的价格飙升阶段已经在官方意义上结束。市场正在从“宽松资金”的时期,过渡到更均衡、可持续的增长阶段。
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繁荣背后的数字
伯恩斯坦的数据显示,本轮周期之所以“非同寻常”,就在于当前周期的表现有多么夸张:
DRAM(动态随机存取存储器):
· 2026 年第二季度平均价格环比上涨 74%
· 服务器 DRAM 上涨超过 60%
· 手机端 DRAM 上涨近 80%
· PC DRAM 现货价格环比上涨 5.6%,至 11.5%
· 服务器 DRAM 现货价格环比上涨 6.1%,至 26.4%
NAND Flash:
NAND 市场呈现出显著分化:
· 晶圆现货价格走弱(下跌 3-4%)
· 移动端与 SSD 存储的定价依然强劲,带动整体合约价格上涨 60%
现货市场继续反映供应趋紧的态势,即服务器 DDR5 相较合约价格存在明显溢价。
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2026 年第三季度:减速开始
快速拉升价格的阶段正在结束。伯恩斯坦援引 TrendForce 数据预测:2026 年第三季度 DRAM 价格增速将放缓至 13%-18%。
为什么?预计疲软的消费电子需求将逐步对市场形成压制。爆发式的季度涨幅时代正在让位于更温和、可持续的增长。
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AI:主要催化剂
是什么让这一轮周期区别于以往每一次内存牛市?人工智能。
每一个新的 AI 模型都需要不断增加高性能内存的用量。先进内存如今在支撑新一代平台运行方面的重要性,已如同 GPU 一样关键。
规模令人震撼:
· 以当前价格计算,一组单台服务器机架的内存价值超过 200 万美元
· 伯恩斯坦预计,到 2027 年这部分内存成本将几乎翻倍——在单一产品周期内,机架内存价值增幅为 435%
· 预计到 2027 年,全球云端与 AI 基础设施资本开支将接近 1.5 万亿美元——对应 40% 至 50% 的年同比增长
超大规模云服务商、AI 初创公司、企业科技公司以及政府继续向 AI 基础设施投入数十亿美元,从而维持对 HBM(高带宽内存)、DDR5 DRAM 以及企业级 SSD 的需求。
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结构性转变:从消费端转向企业端
本轮周期体现出相较以往内存牛市的根本性不同。
从历史上看,内存定价主要由消费设备驱动——智能手机与电脑。如今,企业基础设施已成为主要需求引擎。每一个新的 AI 集群都需要大量 DRAM 和 HBM,从而形成远超消费电子消耗的持续需求。
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关键行业参与者
伯恩斯坦维持对以下公司的正面评级:
· Samsung——内存组合多元化的市场领跑者
· SK Hynix——HBM 领域的主导者,对 AI 加速器至关重要
· Micron——美国区位优势明显,并专注于能效
· SanDisk——NAND 与存储解决方案提供商
伯恩斯坦对 Kioxia 仍保持谨慎。
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长期合约因素
云服务提供商正积极且激进地锁定长期供货协议。
部分美国 CSP 已完成谈判,而中国 CSP 仍在讨论之中。这些合约有助于平滑未来的价格调整,但也可能限制部分供应商继续上调价格的能力。
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供给端纪律:打破旧循环
内存制造商已采用资本开支纪律,避免再次出现此前导致产能过剩的情况。
制造商不再向市场倾斜新增产能,而是把重点放在:
· 技术升级
· 良率提升
· 新一代制程开发
由于制造复杂度,HBM 的产量仍然受限。因此,能够生产先进 HBM 产品的供应商具备显著的定价权。
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2027-2028:走向常态化
伯恩斯坦预计,内存价格在 2027 年期间将保持坚挺。
随着新产能上线并生效长期合约,常态化预计将从 2027 年下半年开始,并贯穿至 2028 年。
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需要考虑的风险
尽管前景乐观,伯恩斯坦仍承认存在若干风险:
· 经济不确定性可能压低需求
· 地缘政治紧张局势与贸易政策变化
· 供应链中断
· 意外的经济放缓
· 贸易限制
· AI 投资未能达到预期
· 如果供给端纪律崩解,可能出现产能过剩(Potential产能过剩 if supply discipline breaks down)
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