#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

内存超级周期正全面展开。华尔街顶级投资银行伯恩斯坦（Bernstein）在其 7 月 8 日发布的每月全球存储跟踪报告中，描绘了极其看涨的图景。根据资深半导体分析师 Mark Li 的说法，6 月 DRAM 合同价格继续环比上涨，推动 2026 年第二季度传统 DRAM 的平均价格涨幅相较第一季度约为 74%。服务器与移动端需求仍是主要驱动因素，其中预计第二季度服务器 DRAM 价格将上升约 60% 至 67%，移动端 DRAM 价格则接近 80%。伯恩斯坦给出的 NAND 闪存合同价格指引为环比上升 65% 至 70%，主要由 SSD 和移动端 NAND 封装推动。

这些数字背后，是一波规模巨大的 AI 基础设施投资，它从根本上改变了存储芯片的供需动态。全球三大 DRAM 制造商——三星（Samsung）、SK Hynix 和美光（Micron）——正在激进地将产能重新分配给高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM），以满足来自 AI 数据中心的爆发式需求，从而对传统存储芯片造成严重的供给短缺。伯恩斯坦估计，SK Hynix 在 2026 年第二季度的 DRAM 毛利率可能高达 90.9%，并在 2026 年第四季度攀升至 92.7%，体现出前所未有的盈利能力。根据伯恩斯坦的数据，截至 6 月的过去一年中，用于 PC 和服务器等领域的 DRAM 存储芯片价格上涨约 660%。

然而，超级周期并非没有压力迹象。现货价格传递出更为复杂的信号：服务器 DDR5 模组现货价格环比下跌 6.7%，NAND 硬盘（wafer）现货价格则下跌约 7%。原因在于更高价格开始对终端消费者需求形成压力，并迫使 OEM 与模组厂减少采购。伯恩斯坦警告称，价格上涨的节奏将在 2026 年第三季度显著放缓，TrendForce 预测传统 DRAM 的涨幅将降至 13% 至 18% 之间。与此同时，UBS 已将其 DRAM 价格预测上调一倍：预计 DDR 合同定价将在 2026 年第三季度环比跳升 32%，而其此前估计为 17%。这表明价格仍在上涨，但上涨速率在放缓。苹果已公开点明，内存飙升是近期宣布的价格上涨的重要驱动因素。据报道，尽管部分芯片已被五角大楼列入黑名单，但苹果仍在与中国内存芯片制造商洽谈，以采购更便宜的芯片。

对投资者而言，伯恩斯坦的论点给出了关键的时间线清晰度：预计内存价格将一直保持强势至 2027 年，且仅从 2027 年下半年起才开始逐步正常化。其原因是新供给——包括来自中国厂商的潜在产能增加——将上线，而需求增长趋于稳定。SK 集团与三星已联合宣布一项为期十年的投资计划，总计 2,000 万亿韩元（约 1.3 万亿美元），重点投向半导体与 AI 基础设施，这意味着供给扩张终将到来，但速度仍不足以缓解短期的供给短缺。杰富瑞（Jefferies）预测，内存价格将在 2026 年第三季度环比上涨 40% 至 50%，并在 2026 年第四季度再次上涨 30% 至 40%，从而印证了“延续的定价能力”这一叙事。

市场影响是多维度的。美光的股价受益于有利的供需动态：华尔街维持 Strong Buy（强力买入）一致评级，并给出了最高公布的目标价 2,000 美元。SK Hynix 刚刚完成其具有里程碑意义的 280 亿美元 Nasdaq ADR 上市，超额认购幅度超过 7 倍，而三星则继续主导更广泛的存储器市场。对加密货币领域而言，这些影响是间接但真实的：AI 驱动的内存需求正在推高数据中心成本，这可能会影响区块链基础设施在验证与节点运营方面的经济性；同时，聚焦 AI 的代币可能受益于流入半导体供应链的更广泛投资浪潮。

伯恩斯坦的核心论点毫不含糊：这不是昙花一现的周期，而是由 AI 驱动的结构性超级周期，且需求驱动因素具有持久性。关键风险在于，如果终端消费者需求走弱，能否迫使价格更快实现正常化；以及中国产能进入能否比预期更早冲击寡头垄断带来的定价能力。就目前数据而言，支撑了延续的牛市，但投资者应密切关注 2026 年第三季度的合同价格趋势，以及现货市场的走软情况，作为周期性转向的早期指示信号。持续到 2027 年的内存牛市，并非预测——而是基于数据的推断，根植于半导体行业最强大的技术需求周期；该行业的一切都
@Gate_Square