超大规模（Hyperscaler）的资本开支周期仍在为内存芯片需求提供根本性支撑。预计全球四大云计算提供商今年仅在 AI 基础设施方面的支出就将超过 $700 billion，从而确保支撑下一代 AI 系统所需的组件需求维持在高位。Samsung Group 与 SK Group 已宣布计划在美国西南地区各建设两座芯片制造工厂，总投资额合计 800 trillion won。两家公司正加速扩产，以满足对 AI 内存解决方案日益高涨、几乎停不下来的需求。这些巨额资本投入凸显出行业对内存芯片长期增长前景的信心，而 Bernstein 将牛市时间线延续至 2027 年，也与当前 AI 基础设施建设周期预计持续时间相吻合。
内存芯片牛市背后的结构性驱动因素，不仅来自即时的 AI 需求，还包括更广泛的技术趋势。边缘计算设备的普及、5G 网络的扩展，以及自动驾驶汽车复杂度不断提升，都会带动对内存解决方案的需求持续增长。数据中心仍在全球范围内扩张，而每新建一个设施都需要大量内存容量，以支持云计算服务、人工智能训练与推理工作负载以及大数据分析应用。向更高密度内存技术的转变，包括 DDR5 DRAM 和先进的 NAND 闪存架构，也将为制造商带来更多收入机会：当客户升级其基础设施以满足更高性能要求时，往往会推动对新技术的采用。
超大规模云服务商的资本支出周期继续为存储芯片需求提供根本性支撑。全球四大云计算提供商预计仅今年一年就将在 AI 基础设施上支出超过 7000 亿美元，确保持续为下一代 AI 系统提供动力的组件需求保持高位。三星集团和 SK 集团已宣布计划在西南地区各建设两家芯片制造厂，总投资额达 800 万亿韩元，竞相扩大制造产能以满足对 AI 存储解决方案的旺盛需求。这些巨额资本承诺凸显了行业对存储芯片长期增长前景的信心，伯恩斯坦的 2027 年时间线与当前 AI 基础设施建设周期的预期持续时间一致。
存储芯片牛市背后的结构性驱动因素不仅限于当前的 AI 需求，还包括更广泛的技术趋势。边缘计算设备的普及、5G 网络的扩展以及自动驾驶汽车的日益复杂，都推动了对存储解决方案的需求。数据中心持续全球扩张，每个新设施都需要大量存储容量来支持云计算服务、人工智能训练和推理工作负载以及大数据分析应用。向更高密度存储技术（包括 DDR5 DRAM 和先进 NAND 闪存架构）的过渡，为客户升级基础设施以满足更高性能要求创造了额外的收入机会。
存储芯片制造在地理上集中于韩国和美国，这为政策制定者和投资者都带来了战略考量。支持国内半导体生产的政府举措，包括美国的《芯片法案》及其他国家的类似计划，鉴于存储芯片对 AI 竞争力和国家安全的关键重要性，很可能继续获得资金和政治支持。这些政策顺风为在监管环境有利的地区拥有重要制造基地的存储芯片公司的投资提供了额外支撑。
展望 2027 年，存储芯片行业似乎已做好充分准备维持其增长轨迹，支持因素包括 AI 应用的持续扩展、数据密集型技术的普及以及限制竞争性进入的结构性供应约束。伯恩斯坦的预测反映了对需求驱动因素、竞争动态和供应链状况的全面分析，共同支持对该板块的乐观展望。尽管任何周期性行业都不可避免地出现短期波动，但存储芯片牛市的基本面似乎足够稳固，足以维持当前上涨趋势持续数年，为那些有耐心应对周期性市场波动的投资者创造了诱人的投资机会。
存储芯片从大宗商品组件向 AI 经济战略推动者的转变，代表着该行业价值主张的永久性转变。随着人工智能持续渗透到全球经济的方方面面，从消费应用、企业软件到工业自动化，对高性能存储解决方案的需求只会日益增强。伯恩斯坦预测这种需求将支撑牛市持续至 2027 年，为寻求了解半导体行业长期增长潜力并相应调整投资组合的投资者提供了宝贵的框架。 @Gate_Square
#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
Bernstein 作为全球领先的投资研究与资产管理机构，发布了一项大胆预测：在人工智能基础设施、数据中心以及高性能计算应用带来前所未有的需求推动下，内存芯片牛市将延续至 2027 年。这份预测对包括 SK Hynix、Samsung Electronics 和 Micron Technology 在内的主要内存芯片制造商而言，是一个显著的看涨信号，表明半导体行业当前的上升趋势仍有相当长的“跑道”。
过去 18 个月里，内存芯片行业发生了令人瞩目的变化：从周期性大宗商品业务，演变为 AI 革命的关键赋能者。高带宽内存（HBM）芯片已成为半导体供应链中最受追捧的组件，需求显著超过了现有制造产能。SK Hynix 目前凭借约 58% 的全球市场份额主导 HBM 市场，远高于 Micron 的 21% 市场份额。凭借这一领先地位，SK Hynix 成为 AI 基础设施建设的首要受益者。Bernstein 预计该公司将在 2026 年第二季度实现 91% 的毛利率，并配套实现 70% 至 80% 之间的营业利润率。上述数据相较 Micron 预计的 50% 至 55% 营业利润率更具优势，凸显出 SK Hynix 在高利润率 HBM 细分领域的更强竞争定位。
Micron Technology 也展现出同样突出的表现：公司公布的创纪录单季营收为 $41.46 billion，调整后毛利率达到 84.6%。公司通过不可取消、按量支付（take-or-pay） 的多年度协议，已锁定约 $100 billion 的合同收入，从而有效隔离其业务不受历史上长期困扰 DRAM 行业的传统“繁荣—萧条”周期影响。Micron 还承诺最高投入 $3 billion 用于国内扩张计划，其中包括向 GlobalWafers 提供 $500 million 的战略融资，以支持其位于德克萨斯州 Sherman 的工厂；同时，公司还签署了一份为期 10 年的硅晶圆供货协议，将原材料产能锁定在可预见的未来。公司 HBM 供应已全部售罄，覆盖至 2028 年，这凸显了持续存在的结构性供需错配，正是其继续推动整个内存芯片行业定价能力的关键。
全球最大内存芯片制造商 Samsung Electronics 也经历了非凡的财务“翻盘”。其第二季度营业利润同比大约飙升 18 倍，达到创纪录水平。今年以来，公司股价累计上涨 158%，而 SK Hynix 股价上涨 273%，Micron 股价上涨 242%。三家公司目前的市值均已超过 $1 trillion，这反映了投资者对 AI 内存市场持续增长路径的信心。野村证券预计，在 7 月至 9 月期间，商品 DRAM 价格将环比上涨 24%，NAND 价格将上升 25%，原因在于来自消费类内存产品以及传统与 AI 数据中心芯片的强劲需求。
内存芯片的定价环境已达到数年未见的水平。Micron 表示，截至 5 月 28 日结束的季度，DRAM 内存芯片价格较上一季度上涨超过 60%，而 NAND 闪存价格上涨超过 80%。这些剧烈的价格上涨反映出半导体供应商在 AI 供应链中的重要性不断提升：在过去数十年中，行业出现了最强的定价环境之一，使芯片制造商能够从中获益。HBM 芯片的制造产能有限，使供应始终偏紧；同时需求继续以指数级速度增长，这为那些能够对产品实施溢价定价的内存芯片厂商创造了有利格局。
超大规模（Hyperscaler）的资本开支周期仍在为内存芯片需求提供根本性支撑。预计全球四大云计算提供商今年仅在 AI 基础设施方面的支出就将超过 $700 billion，从而确保支撑下一代 AI 系统所需的组件需求维持在高位。Samsung Group 与 SK Group 已宣布计划在美国西南地区各建设两座芯片制造工厂，总投资额合计 800 trillion won。两家公司正加速扩产，以满足对 AI 内存解决方案日益高涨、几乎停不下来的需求。这些巨额资本投入凸显出行业对内存芯片长期增长前景的信心，而 Bernstein 将牛市时间线延续至 2027 年，也与当前 AI 基础设施建设周期预计持续时间相吻合。
内存芯片牛市背后的结构性驱动因素，不仅来自即时的 AI 需求，还包括更广泛的技术趋势。边缘计算设备的普及、5G 网络的扩展，以及自动驾驶汽车复杂度不断提升，都会带动对内存解决方案的需求持续增长。数据中心仍在全球范围内扩张，而每新建一个设施都需要大量内存容量，以支持云计算服务、人工智能训练与推理工作负载以及大数据分析应用。向更高密度内存技术的转变，包括 DDR5 DRAM 和先进的 NAND 闪存架构，也将为制造商带来更多收入机会：当客户升级其基础设施以满足更高性能要求时，往往会推动对新技术的采用。
不过，内存芯片行业近期也出现了显著波动。Roundhill Memory ETF 自 6 月下旬的高点回撤 25%，包括 SK Hynix 与 SanDisk 在内的个股也较 6 月高点回落约 28%。这一回调反映的是市场对 AI 基础设施支出可持续性以及潜在供应链中断的更广泛担忧，而不是底层需求前景出现任何基本面恶化。自 3 月底以来，该板块中位数累计上涨近 60%，期间新增约 $5 trillion 的市值，这表明近期回撤更像是健康的整固，而非趋势反转。Bernstein 认为牛市将继续延续至 2027 年，这意味着应将这些调整视为买入机会，而非更广泛市场见顶的信号。
内存芯片行业内部的竞争格局也在以支持持续盈利能力的方式演进。三星、SK Hynix 与 Micron 这三家主导者通过多年激烈竞争完成了市场份额的整合，将较弱的竞争对手逐出市场。这种寡头式结构有助于更有纪律的产能管理与更理性的定价行为，从而降低行业早期曾出现的破坏性价格战风险。HBM 制造的技术复杂度也构成了额外进入壁垒：新的竞争者若要达到具备竞争力的产品良率与性能特征，通常需要投入数年的研发。
对投资者而言，Bernstein 关于 2027 年内存芯片牛市预测所带来的投资含义同样重大，既包括权益投资者，也包括行业参与者。该预测表明，内存芯片股票可能会继续跑赢更广泛的科技板块，推动因素是盈利增长将超过市场预期。多年度合约与产能售罄所提供的可见度，降低了未来收入与盈利能力的不确定性，从而支撑内存芯片公司的更高估值倍数。对于依赖内存组件的科技公司而言，延续的牛市意味着持续的成本压力，可能影响利润率，并要求其在采购与产品设计策略上做出战略性调整。
内存芯片制造在韩国与美国的地理集中，也为政策制定者与投资者提供了共同的战略考量。由于政府推动本土半导体生产的举措（包括美国的 CHIPS Act 以及其他国家的类似项目），鉴于内存芯片对 AI 竞争力与国家安全的重要性，预计仍将获得持续的资金支持与政治支持。这些政策利好也为内存芯片公司的投资论点提供了额外支撑：即在监管环境更有利的司法辖区拥有重要制造布局的公司。
展望 2027 年，内存芯片行业似乎具备维持增长轨迹的良好基础：AI 应用的持续扩张、数据密集型技术的进一步普及，以及限制竞争性进入的结构性供给约束。Bernstein 的预测体现了对需求驱动因素、竞争格局与供应链条件的全面分析，这些因素共同支撑了该行业的乐观前景。尽管任何周期性行业中短期波动都不可避免，但内存芯片牛市的基本面支撑似乎足够稳健，能够在未来数年继续支撑当前上行趋势，并为那些拥有耐心、能够应对周期性市场波动的投资者创造具有吸引力的投资机会。
内存芯片从商品化组件转变为 AI 经济的战略赋能者，代表着行业价值主张的永久性转变。随着人工智能持续渗透全球经济的各个层面——从消费端应用到企业软件，再到工业自动化——对高性能内存解决方案的需求只会进一步加剧。Bernstein 预测这种需求将支撑牛市延续至 2027 年，这为希望理解半导体行业长期增长潜力并据此调整投资组合的投资者提供了一个宝贵的框架。@Gate_Square
全球领先的投资研究和资产管理公司伯恩斯坦（Bernstein）发布大胆预测，认为在人工智能基础设施、数据中心和高性能计算应用前所未有的需求推动下，存储芯片牛市将持续至 2027 年。这一预测对 SK 海力士、三星电子和美光科技等主要存储芯片制造商而言是重大利好信号，表明半导体板块当前上涨趋势仍有充足上涨空间。
过去 18 个月，存储芯片行业经历了显著转型，从周期性大宗商品业务演变为 AI 革命的关键推动者。高带宽存储（HBM）芯片已成为半导体供应链中最受追捧的组件，需求远超现有制造产能。SK 海力士目前以约 58% 的全球市场份额主导 HBM 市场，大幅领先美光科技 21% 的市场份额。这一领先地位使 SK 海力士成为 AI 基础设施建设的首要受益者，伯恩斯坦预计该公司毛利率将在 2026 年第二季度达到 91%，运营利润率在 70% 至 80% 之间。这些数据优于美光科技预计的 50% 至 55% 的运营利润率，凸显了 SK 海力士在高利润 HBM 领域的卓越竞争地位。
美光科技也表现出色，公司报告季度营收达到创纪录的 414.6 亿美元，调整后毛利率达到 84.6%。该公司通过不可取消的照付不议协议锁定了约 1000 亿美元的合同多年营收，有效使其业务免受传统 DRAM 行业历史上典型的盛衰周期影响。美光已承诺投入高达 30 亿美元用于国内扩张计划，包括向环球晶圆提供 5 亿美元战略融资以支持其德州谢尔曼工厂，同时签订为期十年的硅晶圆供应协议，锁定了未来可预见的原材料产能。该公司的 HBM 供应已完全售罄至 2028 年，凸显了结构性的供需失衡，继续推动存储芯片行业的定价权。
全球最大存储芯片制造商三星电子经历了非凡的财务好转，第二季度营业利润同比增长约 18 倍，达到创纪录水平。该公司股价今年已上涨 158%，而 SK 海力士股价上涨 273%，美光股价上涨 242%。这三家公司的市值均已超过 1 万亿美元，反映了投资者对 AI 存储市场持续增长轨迹的信心。野村证券预计，在消费级存储产品和传统及 AI 数据中心芯片强劲需求的支持下，2023 年第三季度（7 月至 9 月）大宗 DRAM 价格将环比上涨 24%，NAND 价格将上涨 25%。
存储芯片的定价环境已达到多年未见的水平，美光报告称，截至 5 月 28 日的季度，DRAM 存储芯片价格较上一季度上涨超过 60%，而 NAND 闪存价格上涨超过 80%。这些大幅价格上涨反映了半导体供应商在 AI 供应链中的重要性日益增长，芯片制造商受益于行业数十年来最强劲的定价环境之一。HBM 芯片有限的制造产能导致供应紧张，而需求持续指数级增长，为能够对其产品收取溢价价格的存储芯片制造商创造了有利局面。
超大规模云服务商的资本支出周期继续为存储芯片需求提供根本性支撑。全球四大云计算提供商预计仅今年一年就将在 AI 基础设施上支出超过 7000 亿美元，确保持续为下一代 AI 系统提供动力的组件需求保持高位。三星集团和 SK 集团已宣布计划在西南地区各建设两家芯片制造厂，总投资额达 800 万亿韩元，竞相扩大制造产能以满足对 AI 存储解决方案的旺盛需求。这些巨额资本承诺凸显了行业对存储芯片长期增长前景的信心，伯恩斯坦的 2027 年时间线与当前 AI 基础设施建设周期的预期持续时间一致。
存储芯片牛市背后的结构性驱动因素不仅限于当前的 AI 需求，还包括更广泛的技术趋势。边缘计算设备的普及、5G 网络的扩展以及自动驾驶汽车的日益复杂，都推动了对存储解决方案的需求。数据中心持续全球扩张，每个新设施都需要大量存储容量来支持云计算服务、人工智能训练和推理工作负载以及大数据分析应用。向更高密度存储技术（包括 DDR5 DRAM 和先进 NAND 闪存架构）的过渡，为客户升级基础设施以满足更高性能要求创造了额外的收入机会。
然而，存储芯片行业近期经历了显著波动，Roundhill 存储 ETF 从其 6 月底峰值下跌了 25%，包括 SK 海力士和闪迪在内的个股从其 6 月高点下跌了约 28%。这一回调反映了市场对 AI 基础设施支出可持续性以及潜在供应链中断的广泛担忧，而非基础需求前景的根本性恶化。该板块自 3 月底以来仍中位数上涨了近 60%，在此期间市值增加了约 5 万亿美元，表明近期回调是健康的整固而非趋势逆转。伯恩斯坦预测牛市将持续至 2027 年，表明这些回调应被视为买入机会，而非更广泛市场见顶的信号。
存储芯片行业内的竞争格局也在朝着支持持续盈利能力的方向演变。三星、SK 海力士和美光这三家主导企业通过多年的激烈竞争（将较弱的竞争对手赶出市场）巩固了市场份额。这种寡头垄断结构能够实现纪律性的产能管理和理性的定价行为，降低了行业历史上早期阶段出现的破坏性价格战风险。HBM 制造的技术复杂性为进入者设置了额外障碍，新竞争对手需要数年的研发投资才能实现具有竞争力的产品良率和性能特征。
伯恩斯坦的 2027 年牛市预测对股票投资者和行业参与者都具有重大投资意义。该预测表明，存储芯片股的涨幅可能继续超过更广泛科技板块，其驱动力来自超出市场预期的盈利增长。多年期合同和售罄的生产产能所提供的可见性降低了未来收入和盈利能力的不确定性，从而支撑存储芯片公司获得更高的估值倍数。对于依赖存储组件的科技公司而言，持续的牛市意味着成本压力将继续存在，可能影响利润率，并需要调整采购和产品设计策略。
存储芯片制造在地理上集中于韩国和美国，这为政策制定者和投资者都带来了战略考量。支持国内半导体生产的政府举措，包括美国的《芯片法案》及其他国家的类似计划，鉴于存储芯片对 AI 竞争力和国家安全的关键重要性，很可能继续获得资金和政治支持。这些政策顺风为在监管环境有利的地区拥有重要制造基地的存储芯片公司的投资提供了额外支撑。
展望 2027 年，存储芯片行业似乎已做好充分准备维持其增长轨迹，支持因素包括 AI 应用的持续扩展、数据密集型技术的普及以及限制竞争性进入的结构性供应约束。伯恩斯坦的预测反映了对需求驱动因素、竞争动态和供应链状况的全面分析，共同支持对该板块的乐观展望。尽管任何周期性行业都不可避免地出现短期波动，但存储芯片牛市的基本面似乎足够稳固，足以维持当前上涨趋势持续数年，为那些有耐心应对周期性市场波动的投资者创造了诱人的投资机会。
存储芯片从大宗商品组件向 AI 经济战略推动者的转变，代表着该行业价值主张的永久性转变。随着人工智能持续渗透到全球经济的方方面面，从消费应用、企业软件到工业自动化，对高性能存储解决方案的需求只会日益增强。伯恩斯坦预测这种需求将支撑牛市持续至 2027 年，为寻求了解半导体行业长期增长潜力并相应调整投资组合的投资者提供了宝贵的框架。
@Gate_Square