NAND这边的扩产节奏已经比大多数人预期的要快了。韩媒今天几篇报道给出了具体细节。SK海力士下半年重启大连二厂，装V8（238层）产线，月产能目标3到5万片，2027上半年完成。三星西安厂V6到V8（236层）的转换3月底已经做完，目前在量产。

资本开支端，SK海力士大连2025年投入440.6亿韩元，同比+52%。三星西安约3.04亿美元，同比+67.5%。韩系两家在中国的NAND投资同步加速，方向都是V8。
大连二厂是SK海力士花11万亿韩元收购Intel NAND业务时拿到的，闲置了两年多。现在能重启，NAND合约价暴涨是一方面，Q2环比+70%以上，涨幅头一次超过DRAM。更关键的是VEU切换到年度审批制。以前设备商接中国工厂的NAND产线订单，审批周期和结果都不确定，直接压制采购意愿。年度批次审批把可预测性提高了很多。报道提到国内合作方已经开始把闲置NAND设备运往大连，海外供应商也收到了初步采购订单。
市场一直盯着HBM和DRAM的capex周期，NAND被默认是周期落后者。现在韩系在中国同步转V8，加上YMTC的本土扩产，NAND环节对沉积、刻蚀、检测设备的需求释放窗口，会比卖方模型里假设的更集中。半导体设备市场里NAND的贡献权重，可能要重新算了。