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Critini分析师：三星和SK海力士重新评估HBM混合键合采用时机，技术转型可能延迟
空投黑洞
2026-07-06 05:31:41
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7月6日，Critini Research分析师Jukan指出，三星和SK海力士正在重新评估HBM中采用混合键合的时间点，可能到HBM5也不会应用。核心原因有两个：一是JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准放宽至最大约1000μm（HBM3E为720μm，HBM4已放宽至775μm）。标准放宽后，混合键合无凸点带来的减薄优势不再迫切；二是散热有更简单的替代方案——三星开发了Heat Path Block，SK海力士推出了iHBM（ICE HBM），两者都是在HBM旁边放置独立散热器件，计划从HBM5开始应用，技术难度更低且商业化更稳定。此外，英伟达等主要客户目前对超过16层的高堆叠产品并无迫切需求，12层产品在HBM4E阶段可能仍是主流。不过，混合键合的研发并未停滞。目前HBM4的I/O数量已翻倍至2048，现有TC热压键合工艺接近极限；若未来HBM5E阶段I/O数量再翻倍至4096，凸点的横向扩散将使TC键合难以支撑，必须采用铜直接键合的混合键合以实现更高密度连接。Jukan评估认为，短期内因厚度和散热的更简单解决方案，混合键合不会大规模部署；但中长期来看，当I/O密度再次爆发时，它仍是必然方向。这将直接影响Besi等混合键合设备核心供应商的市场预期。技术路线的延迟意味着相关设备订单放量的时间表需要重新评估。
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