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英特尔考虑为1.4nm工艺采用双面供电架构，以与台积电和三星竞争。
空投黑洞
2026-07-05 21:30:55
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2025年7月5日，英特尔正考虑在1.4nm超精细制程中采用一种利用正面和背面供电的双面电源架构，以追赶竞争对手。行业消息人士指出，英特尔最初计划在其1.4nm 14A基础制程中使用背面供电技术PowerDirect，但现在正考虑在后续的14A2制程中引入双面架构。英特尔此前宣布，14A制程的芯片密度将比18A制程提升1.3倍；14A制程的目标M0间距约为28nm，而14A2制程可能通过半节点改进将M0间距推进至21nm。在保持背面供电网络作为主要电源的同时，英特尔将重新分配部分正面金属布线用于辅助电源和时钟信号，以补偿因缩放和曝光限制导致的电源余量不足。英特尔14A制程计划于2028年进入风险生产，2029年实现量产。英特尔需在今年10月之前向外部客户发布14A制程设计套件0.9版本，并在随后的18个月内获得主要无晶圆厂客户的确认订单。相比之下，台积电计划在2028年交付实际的1.4nm A14产品，而三星电子则目标在2027年实现采用背面供电技术的2nm改进制程SF2Z商业化。
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