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Bykaranteli
2026-07-05 09:53:54
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最新消息：英特尔正在考虑为1.4nm工艺采用双面供电架构，以加速密度提升，从而对抗台积电和三星；其目标是在14A2制程中将M0间距从约28nm缩小至21nm，同时保留背面供电作为核心。$INTC
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