韩国媒体报道称，中国的长鑫存储（CXMT）目前正在合肥测试一条键合 DRAM试验产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。

所谓键合 DRAM，是一种将存储单元阵列和外围电路分别在不同晶圆上制造，然后再将两片晶圆键合在一起的技术。通过这种方式，可以仅使用 DUV 深紫外光刻配合多重图形化工艺，生产超高密度 DRAM，从而不需要 EUV 设备。
三星电子正在以 “B1b” 项目开发自己的键合 DRAM，SK 海力士也在推进类似技术。不过，韩国媒体警告称，目前有评估认为，长鑫存储在这项技术本身以及开发速度上，可能都已经领先于韩国竞争对手。