🚨韩国媒体报道称，中国长鑫存储（CXMT）目前正在合肥测试一条键合式DRAM试产线，旨在不使用极紫外（EUV）光刻技术的情况下实现高性能DRAM。

键合式DRAM是一种将存储单元阵列与外围电路分别制造在不同晶圆上，然后键合在一起的技术。这种方法仅通过多重图形化的深紫外（DUV）光刻就能生产超高密度DRAM，无需使用EUV设备。
三星电子正在其“B1b”项目下开发自己的键合式DRAM，而SK海力士也在研发类似技术。然而，韩国媒体警告称，有评估认为长鑫存储目前可能在技术本身和开发速度上均领先于韩国竞争对手。