三星利用Computex预览了HPB,或称热路径块,这是一项用于其下一代HBM5内存的热管理特性


这是三星对已由SK海力士披露的冷却方案的回应
两家公司都在试图解决同一个问题:热量
HBM将许多DRAM芯片垂直堆叠在一个基础芯片上,每一代都通过增加更多层和提高数据速率来不断增加容量和带宽。这也提高了功率密度
在高堆叠中间产生的热量难以散出,因为它必须通过硅层和硅通孔向上移动,才能到达顶部的冷却板。随着堆叠变得更高、更快,这种垂直瓶颈成为真正的限制因素。热的DRAM泄漏更多,需要更频繁的刷新周期,并可能开始限制性能
三星的解决方案是增加一个横向的热路径,而不是仅依赖垂直路径。HPB是一种专用的热结构,放置在与DRAM堆叠相邻的同一基础芯片上。它的高度与堆叠相同,并通过芯片间的PHY接口连接。堆叠产生的多余热量沿横向进入HPB,然后更高效地向上散发到冷却板
SK海力士首先提出了这个想法,采用一种名为MR-RUF的工艺,将集成冷却元件嵌入封装中,称为iHBM
使用HBM5的首批GPU预计要到2028-2029年,因此三星和SK海力士仍有数年时间与合作伙伴共同完善这些设计
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