#闪迪重挫6%存储股收跌 В сегменте памяти в краткосрочной перспективе по-прежнему сохраняется давление дальнейшей разрядки настроений, при этом фундаментальная поддержка со стороны среднесрочного баланса спроса и предложения пока не полностью разрушена

I. Ключевые факторы, обусловившие серию откатов
1. Концентрированный удар нескольких краткосрочных негативных факторов
SanDisk, Micron и другие лидеры рынка снижались в течение 6 из 7 последних торговых дней подряд; триггерами стали коррекционное падение на рынке Южной Кореи после праздников и досрочное прекращение гигантом программы обратного выкупа на 40 миллиардов долларов, а также технологический прорыв ChangXin в архитектуре 4F², вызвавший долгосрочные опасения по поводу предложения.
2. Концентрация фиксации прибыли после прежнего сильного роста
Сегмент ранее вырос слишком сильно: SanDisk продолжил снижение с 52-недельного максимума в 2 354 доллара, а на фоне временного охлаждения ожиданий спроса на память для AI инвесторы массово продавали активы на максимумах, фиксируя прибыль.
3. Рынок заранее закладывает разворот долгосрочного баланса спроса и предложения
Инвесторы уже переключили внимание на 2027–2028 годы, опасаясь, что к тому времени расширение производственных мощностей по выпуску памяти в Китае и одновременный запуск новых фабрик по производству пластин в Южной Корее разрушат нынешний дефицит предложения.

II. Поэтапная оценка дальнейшей динамики
1. Краткосрочная перспектива, 1–2 недели: инерция разрядки настроений сохраняется
Индекс KOSPI уже вплотную приблизился к поддержке на уровне 200-дневной скользящей средней, а иностранные инвесторы пять дней подряд проводят чистые продажи; в краткосрочной перспективе сегмент, вероятно, продолжит колебательное движение в поисках дна, при этом не исключено дальнейшее снижение.
2. Среднесрочная перспектива, 3–6 месяцев: фундаментальные факторы по-прежнему поддерживают рынок
TrendForce ожидает, что дефицит DRAM сохранится как минимум до 2027 года, а предложение HBM будет оставаться ограниченным из-за устойчиво высокого спроса со стороны серверов для AI; устойчивость роста цен на память выше, чем в традиционном цикле.
3. Долгосрочная перспектива, 1–2 года: дифференциация рынка усилится
Производители, обладающие ключевыми компетенциями в разработке кристаллов и вышедшие в высокомаржинальный сегмент AI, смогут сформировать самостоятельную динамику в ходе реструктуризации отрасли, тогда как прибыльная чувствительность компаний, выпускающих только модули, будет сужаться по мере колебаний цикла.

III. Ключевые показатели для дальнейшего наблюдения
1. Динамика спотовых цен
Особое внимание следует уделять ежемесячным изменениям спотовых котировок DRAM и NAND: если тенденция роста цен сохранится, текущие пессимистичные настроения в отношении оценок быстро восстановятся.
2. Планы капитальных затрат крупных производителей
Следует отслеживать дальнейшие темпы расширения производства Samsung и SK hynix: если производители памяти будут самостоятельно ограничивать выпуск, момент разворота долгосрочного баланса спроса и предложения отложится.
3. Прогресс в реализации импортозамещения
Фактические поставки продукции DDR5 на базе архитектуры ChangXin 4F² к концу года напрямую определят направление пересмотра рыночных ожиданий относительно структуры предложения.$SNDK