$DRAM продолжает привлекать значительный интерес рынка, а повышенная торговая активность свидетельствует о растущем внимании к сектору памяти.

Я буду внимательно следить за объемами, динамикой цен и импульсом в поисках признаков следующего значительного движения.

Morgan Stanley: мощности Китая по производству DRAM и NAND достигнут 50M пластин к 2028 году, изменив мировое предложениеСогласно Morgan Stanley, китайские производители памяти — в частности Changxin и Yangtze Memory — к 2028 году могут фундаментально изменить динамику мирового предложения полупроводников. Согласно прогнозу отчета, ежемесячные мощности Changxin по производству пластин DRAM вырастут с 18 миллионов единиц в 2025 году до 50 миллионов к 2028 году, что потенциально позволит компании занять 15% мировых поставок битов DRAM и обойти Micron, став третьим по величине производителем DRAM. Хотя спрос со стороны ИИ в 2026–2027 годах и ограничения производства HBM могут поглотить новые мощности Китая, 2028 год станет критической точкой перелома. По мере того как Changxin будет наращивать производство, а новые заводы Yangtze Memory — расширять операции параллельно с увеличением мощностей существующих мировых поставщиков, индустрия памяти может столкнуться со значительным давлением со стороны спроса и предложения. Morgan Stanley прогнозирует, что рынок может перейти от дефицита в 15–17% в 2027 году к потенциальному избытку предложения, если рост спроса замедлится, что фундаментально изменит структуру прибыли отрасли и ценовую дисциплину.