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A Samsung está a expandir a sua cooperação com a NVIDIA, e o Rubin CMX desta última tem necessidades de armazenamento semelhantes às da Apple.

MeNews
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Geração de resumo em curso
ME News 消消息, 20 de julho (UTC+8), segundo Jukan, analista da Citrini, a Samsung está a ampliar a aliança de memória flash NAND com a Nvidia. Além da cooperação existente em DRAM, HBM e foundry, está a adicionar fornecimentos V9 e a iniciar a produção em massa e o envio para o V10, ao mesmo tempo que acelera o desenvolvimento do V11 na gama de 500 camadas. Impulsionada pelo forte aumento da procura por caches KV de servidores de IA e pelo sistema de armazenamento Nvidia CMX (incluindo 576 SSDs, capacidade de 9600TB), a Samsung está a redirecionar rapidamente a capacidade de V-NAND para o V9 como principal prioridade e planeia aumentar significativamente a produção. «O Rubin CMX da Nvidia vai realmente absorver o fornecimento de NAND como uma esponja absorve água. Em comparação intuitiva, é aproximadamente como acrescentar, ao mercado NAND, uma nova fonte de procura do tamanho da Apple.» Além disso, a Samsung começou a usar inovação de materiais de molibdénio na produção V10 para aumentar a densidade. O vice-presidente Lee Jae-yong (na tradução, “o líder Lee”) vai reunir-se em breve com Jensen Huang para discutir o aprofundamento do fornecimento de HBM e NAND e a colaboração de data centers na Coreia. (Fonte: BlockBeats)
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