Após o preço do NAND subir 70% num trimestre, a SK Hynix reinicia a segunda fase de Dalian, acelerando a competição com a Samsung em Xi'an.

De acordo com a TrendForce, a SK Hynix planeia retomar no segundo semestre de 2026 o projeto de expansão da segunda fase da fábrica de Dalian, anteriormente suspenso, adicionando uma nova linha de produção V8 (238 camadas) de NAND. O projeto foi interrompido devido à fraca procura no mercado de NAND e às restrições de exportação dos EUA, e o reinício assinala a transformação da recuperação histórica dos preços do NAND numa expansão real da capacidade de produção.

Segundo o News Tomato**, a SK Hynix começará a instalar equipamentos de produção na segunda fase da fábrica de Dalian no segundo semestre deste ano, concluindo a construção das instalações em fases até ao primeiro semestre de 2027. Parceiros nacionais já começaram a transferir equipamentos NAND inativos para Dalian, e fornecedores internacionais terão recebido ordens de compra iniciais para a entrega de equipamentos.

O Sisa Journal revelou mais pormenores sobre a capacidade: a segunda fase de Dalian adicionará uma nova linha de produção V8 (238 camadas), com uma capacidade mensal alvo de 30.000 a 50.000 wafers. A fábrica da primeira fase de Dalian está a converter profundamente as suas linhas de produção para NAND de 192 camadas e a substituir equipamentos envelhecidos.

Ponto de viragem por detrás da suspensão: de restrições de exportação a aprovações anuais

A expansão da segunda fase de Dalian estava antes parada devido a dois fatores diretos: a incerteza das restrições de exportação dos EUA a equipamentos semicondutores para a China e a contínua fraqueza do mercado de NAND.

No que toca às restrições, uma variável chave já mudou. De acordo com o News Tomato, os EUA ajustaram o sistema anterior de "Utilizador Final Verificado" (VEU) para um processo de aprovação anual para o envio de equipamentos, aliviando a incerteza no fornecimento de equipamentos e proporcionando à SK Hynix margem de manobra para retomar a expansão de Dalian.

O momento desta mudança de regime merece atenção. Neste contexto, o mercado está a observar se a SK Hynix pode capitalizar o boom da DRAM e do HBM para libertar ainda mais o valor da aquisição do negócio NAND da Intel por 11 biliões de won (cerca de 8 mil milhões de dólares) através da expansão de Dalian. A notícia aponta que a segunda fase de Dalian é considerada a localização com a expansão mais rápida entre as bases de produção de NAND da SK Hynix.

Contexto industrial do lançamento da linha V8: preços do NAND atingem pico histórico

A escolha do momento para retomar a expansão não é acidental. No primeiro trimestre de 2026, o preço médio de venda do NAND da SK Hynix aumentou mais de 70% em relação ao trimestre anterior, estabelecendo um recorde trimestral histórico. As orientações da empresa para o segundo trimestre indicam ainda que as remessas de NAND inverterão a tendência de queda, com uma recuperação trimestral. A melhoria tanto nos preços como nas remessas forneceu a base para a decisão de retomar o plano de despesas de capital anteriormente suspenso.

Dados do Korea Times mostram que o investimento da SK Hynix na sua subsidiária de fabrico NAND em Dalian em 2025 aumentou para 440,6 mil milhões de won, um aumento de 52% em relação ao ano anterior — a empresa já estava a acelerar o investimento em NAND antes mesmo de a expansão da segunda fase ter sido oficialmente retomada.

Em termos de rota tecnológica, a SK Hynix já concluiu a verificação da produção de memória flash 3D NAND de 375 camadas, com planos para produção em massa na fábrica M15 em Cheongju, Coreia do Sul, até ao final do ano. A linha de produção V8 (238 camadas) em Dalian cria um gradiente tecnológico, servindo diferentes posicionamentos de mercado.

Concorrência a aquecer: Samsung acelera fábrica de Xi'an ao mesmo tempo

A SK Hynix não é a única gigante de armazenamento a expandir a capacidade NAND na China. A reportagem do Sisa Journal mostra que a Samsung Electronics também está a acelerar a atualização do seu NAND na fábrica de Xi'an. A Samsung concluiu a conversão da linha de produção de V6 (128 camadas) para V8 (236 camadas) a 30 de março e está agora a entrar em fase de produção em massa.

Os dados de investimento confirmam esta tendência. De acordo com estimativas do Sisa Journal, o investimento da Samsung na fábrica NAND de Xi'an em 2025 é de cerca de 304 milhões de dólares, um aumento de cerca de 67,5% em relação ao ano anterior. A expansão sincronizada das duas gigantes de armazenamento da Coreia na capacidade NAND na China significa que o fornecimento global de NAND está a passar de um ciclo de contração para uma trajetória de expansão.

Em termos de calendário, a produção em massa do V8 em Xi'an pela Samsung já começou, enquanto a instalação de equipamentos V8 na segunda fase de Dalian pela SK Hynix só deverá começar no segundo semestre, existindo um desfasamento de vários trimestres no ritmo de libertação de capacidade efetiva entre as duas.

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