Os meios de comunicação sul-coreanos noticiaram que a chinesa ChangXin Memory Technologies (CXMT) está atualmente a testar uma linha piloto de DRAM de ligação em Hefei, com o objetivo de produzir DRAM de alto desempenho sem utilizar litografia EUV.

A chamada DRAM de ligação é uma tecnologia em que a matriz de células de memória e os circuitos periféricos são fabricados em pastilhas distintas e, em seguida, as duas pastilhas são unidas. Desta forma, é possível produzir DRAM de ultra-alta densidade utilizando apenas litografia DUV de ultravioleta profundo combinada com processos de padronização múltipla, eliminando a necessidade de equipamentos EUV.

A Samsung Electronics está a desenvolver a sua própria DRAM de ligação no âmbito do projeto "B1b", e a SK hynix também está a avançar com tecnologia semelhante. No entanto, os meios de comunicação sul-coreanos alertam que, atualmente, há avaliações que indicam que a CXMT pode já estar à frente dos concorrentes sul-coreanos tanto na própria tecnologia como na velocidade de desenvolvimento.