A Intel está a considerar a adoção de uma arquitetura de fornecimento de energia de dupla face no processo de 1,4 nanómetros, para alcançar a TSMC e a Samsung.

BlockBeats notícias, 5 de julho, a Intel está a considerar adotar uma arquitetura que utiliza simultaneamente alimentação pela frente e pelas costas no processo ultrafino de 1,4 nanómetros, para alcançar os concorrentes. Fontes do setor afirmam que a Intel planeava originalmente utilizar a tecnologia dedicada de alimentação traseira PowerDirect no processo base de 1,4 nanómetros 14A, mas no processo subsequente 14A2, está a considerar introduzir a arquitetura Dual side que utiliza tanto a frente como as costas.

A Intel anunciou anteriormente que o processo 14A aumentará a densidade de chips em 1,3 vezes em relação ao 18A; o espaçamento M0 alvo do processo 14A é de cerca de 28 nanómetros, enquanto o processo 14A2 poderá avançar o espaçamento M0 para 21 nanómetros através de uma melhoria de meio nó. A Intel, mantendo a rede de alimentação traseira como principal, redistribuirá parte das interconexões metálicas frontais para funções de alimentação auxiliar e sinal de Clock, de modo a compensar a insuficiência de margem de energia causada pela miniaturização e limitações de exposição.

O processo 14A da Intel está planeado para entrar em produção de risco em 2028 e em produção em massa em 2029. A Intel precisa de lançar o kit de design de processo versão 0.9 do processo 14A para clientes externos em outubro deste ano, e obter encomendas firmes de grandes clientes fabless nos 18 meses seguintes. Em comparação, a TSMC já planeia enviar verdadeiros produtos acabados A14 de 1,4 nanómetros em 2028, e a Samsung Electronics também planeia comercializar em 2027 o processo melhorado SF2Z de 2 nanómetros com tecnologia de alimentação traseira.