🚨Os meios de comunicação coreanos noticiam que a CXMT da China está actualmente a testar uma linha de produção piloto para DRAM ligada em Hefei, com o objectivo de obter DRAM de alto desempenho sem utilizar litografia EUV.

A DRAM ligada é uma tecnologia na qual a matriz de células de memória e o circuito periférico são fabricados em pastilhas separadas e depois unidos. Esta abordagem permite a produção de DRAM de ultra-alta densidade utilizando apenas litografia de ultravioleta profundo (DUV) com multipadronização, eliminando a necessidade de ferramentas EUV.
A Samsung Electronics está a desenvolver a sua própria DRAM ligada sob o projecto “B1b”, enquanto a SK hynix está a prosseguir uma tecnologia semelhante. No entanto, os meios de comunicação coreanos advertem que há avaliações a sugerir que a CXMT pode actualmente ter vantagem sobre os seus rivais coreanos tanto na própria tecnologia como na velocidade de desenvolvimento.