Samsung vai aumentar os preços da DRAM no 3º trimestre em até 20%, procura de IA continua sólida

A indústria de semicondutores de memória da Coreia está a pressionar para aumentar o preço médio de venda (ASP) da DRAM commodity no terceiro trimestre deste ano em até 20% face ao trimestre anterior.
Com a escassez de oferta a persistir em toda a linha de produtos devido ao investimento em infraestrutura de IA, os fabricantes de memória estão a ser interpretados como a prolongar uma estratégia de maximização da rentabilidade. O ritmo dos aumentos de preços irá abrandar depois disso, mas fontes da indústria afirmam que uma tendência de rentabilidade extremamente elevada continuará também para o próximo ano.
De acordo com a indústria no dia 3, a Samsung Electronics está em negociações com clientes visando um aumento do ASP da DRAM no 3º trimestre de até cerca de 20% face ao trimestre anterior.
Os preços da DRAM têm mostrado uma forte tendência ascendente, impulsionada pelo agressivo investimento em infraestrutura de IA por parte das grandes empresas tecnológicas globais. Isto porque a escassez de oferta se intensificou em toda a linha de produtos, abrangendo não apenas a DRAM para servidores e a memória de alta largura de banda (HBM), mas também a DRAM de baixo consumo (LPDDR), que está a atrair atenção no espaço de inferência de IA.
O aumento do ASP da DRAM da Samsung é especialmente acentuado em relação à SK Hynix. A avaliação da indústria é que a DRAM commodity, que tem alta volatilidade de preços, representa uma grande parte da produção total da Samsung, e que a empresa tem sido a mais agressiva no aumento de preços.
Na verdade, o ASP da DRAM da Samsung no primeiro trimestre subiu na faixa dos 90% baixos face ao trimestre anterior. O segundo trimestre é estimado em cerca de 50 a 60%. Além disso, está a visar um aumento de cerca de 20% também no terceiro trimestre. A SK Hynix, que tem uma quota relativamente elevada de produção de HBM, é estimada em ficar um pouco abaixo deste nível.
Um responsável da indústria de semicondutores afirmou: "A Samsung está a negociar de forma muito agressiva nos preços no terceiro trimestre deste ano. Entendemos que também aumentará a LPDDR, que recentemente tem registado graves constrangimentos tanto em servidores como em dispositivos móveis, em mais de 20%", acrescentando: "Dito isto, não é certo se os clientes aceitarão tudo isto."
Os preços da DRAM são vistos como muito prováveis de se manterem estáveis no futuro. Embora o ritmo dos aumentos de preços da DRAM esteja a diminuir gradualmente, a quota de acordos de longo prazo (LTAs) assinados com clientes-chave está a expandir-se de forma constante.
Por exemplo, a Micron dos Estados Unidos revelou através da sua divulgação de resultados no final do mês passado que tinha assinado um total de 16 acordos de longo prazo com clientes. Estes contratos incluem compromissos vinculativos de compra de um determinado volume e estabelecem um preço mínimo que garante margens muito elevadas. Isto é interpretado como refletindo o julgamento dos clientes de que a oferta e a procura de memória permanecerão apertadas a médio e longo prazo.
A possibilidade recentemente levantada de a Meta entrar no negócio da cloud também não deverá pesar negativamente na procura de memória. Alguns interpretaram o movimento da Meta de vender os seus excedentes internos de recursos informáticos externamente como um sinal de que a sua capacidade de produção de IA já pode estar suficientemente desenvolvida.
No entanto, a Meta manteve uma postura de investimento agressiva, tendo em abril aumentado o seu plano anual de investimento em infraestrutura de IA de um inicial de 115 mil milhões para 135 mil milhões de dólares para 125 mil milhões para 145 mil milhões de dólares.
Outro responsável da indústria explicou: "Com a expansão dos LTAs que incluem preços mínimos e renegociações de preços de HBM, não haverá um declínio acentuado no mercado de DRAM no próximo ano também", acrescentando: "No caso da Meta, é mais preciso ver isto como uma forma de utilizar eficientemente os seus recursos informáticos internos."