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Rendimento do HBM4E da Samsung ultrapassa os 70%: Desenvolvimento da memória AI de sétima geração entra em fase estável.

2026-07-01 14:28:21

Geração de resumo em curso

Notícias do Golden Finance, em 1 de julho, o diretor de tecnologia da Samsung Electronics e diretor do Instituto de Pesquisa de Semicondutores afirmou, durante uma reunião de briefing de gestão interna do departamento DS (Soluções de Dispositivos), que a taxa de rendimento do teste de fiabilidade do HBM4E já ultrapassou os 70%. A indústria geralmente considera acima de 80% como o limiar de "rendimento maduro" para processos estáveis, enquanto o HBM4E ainda está na fase de testes de fiabilidade, e um nível acima de 70% é visto como um sinal de que o processo de desenvolvimento entrou oficialmente num intervalo estável. Simultaneamente, na mesma ocasião, ele revelou que o processo DRAM de sétima geração (D1d) de próxima geração de 10 nanómetros já ganhou vantagem competitiva sobre os concorrentes em termos de competitividade tecnológica, e está planeado concluir a certificação de preparação de produção (PRA) em novembro deste ano.

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