Samsung anuncia que a taxa de rendimento de HBM ultrapassa 70%! CTO Song Jae-hyuk afirma que a DRAM de próxima geração ultrapassa, perseguindo a SK Hynix.

A gigante sul-coreana de semicondutores, Samsung Electronics, deu mais um passo na corrida de recuperação nas memórias de alta largura de banda (HBM). De acordo com uma reportagem exclusiva do jornal coreano Financial News, o diretor de tecnologia (CTO) da divisão DS da Samsung, Song Jae-hyuk, revelou numa reunião interna de gestão a 30 de junho que a taxa de rendimento nos testes de fiabilidade da 7.ª geração de HBM (HBM4E) ultrapassou os 70%, aproximando-se do limiar de 80% considerado "maduro" pela indústria.
(Nota prévia: Wall Street grita "A Micron é a próxima Nvidia"! A escassez de memória AI fez com que a capitalização de mercado da Micron ultrapassasse temporariamente a da Meta e da Tesla)
(Complemento de contexto: Samsung e SK Hynix recebem apoio do governo sul-coreano de 1,3 biliões de dólares! Analista: AI é uma guerra de vida ou morte para os países)

Resumo

• O CTO da Samsung, Song Jae-hyuk, revelou que a taxa de rendimento nos testes de fiabilidade da 7.ª geração de HBM (HBM4E) já ultrapassou os 70%, aproximando-se do limiar de "rendimento maduro" da indústria de 80%
• A Samsung iniciou a produção em massa do HBM4 pela primeira vez em fevereiro deste ano, divulgou as especificações do produto HBM4E de 12 camadas no final de maio e enviou amostras; as vendas do HBM4 já ultrapassaram os 1,2 mil milhões de dólares
• O processo DRAM de próxima geração D1d (7.ª geração de nível de 10 nanómetros) está previsto para receber a aprovação de preparação de produção (PRA) em novembro, e será utilizado no HBM5 e em produtos posteriores

A Samsung Electronics apresentou um número que chamou a atenção do exterior. De acordo com uma reportagem exclusiva do jornal financeiro coreano Financial News, o diretor de tecnologia da divisão DS da Samsung, Song Jae-hyuk, confirmou numa reunião interna de gestão a 30 de junho que a taxa de rendimento nos testes de fiabilidade da memória de alta largura de banda de 7.ª geração, HBM4E, que a empresa está a desenvolver, já ultrapassou os 70%, e o desenvolvimento ultrapassou essencialmente a fase final.

A taxa de rendimento nos testes de fiabilidade do HBM4E já atingiu o nível de 70% ou superior; o processo DRAM de 7.ª geração de nível de 10 nanómetros (D1d) da próxima geração ganha vantagem em relação aos concorrentes.

HBM4 em produção há apenas 4 meses, vendas ultrapassam 1,2 mil milhões de dólares

O ritmo da Samsung no HBM acelerou significativamente neste semestre. A empresa iniciou a produção em massa do HBM4 de 6.ª geração pela primeira vez em fevereiro deste ano, divulgou as especificações técnicas do produto HBM4E de 12 camadas no final de maio e enviou amostras aos principais clientes, sendo a primeira empresa da indústria a enviar amostras de HBM4E. No final do mês, as vendas apenas do HBM4 da Samsung já ultrapassavam os 1,2 mil milhões de dólares.

Para a Samsung, que ainda está a tentar recuperar, apresentar números de vendas reais é mais convincente do que qualquer slogan técnico. Quanto ao processo D1d de próxima geração, a Samsung espera receber a aprovação de preparação de produção (PRA) em novembro, sendo futuramente aplicado no HBM5 e em produtos posteriores.

As grandes encomendas da Nvidia continuam nas mãos da SK Hynix

Para perceber por que a Samsung está tão ansiosa por divulgar os números de rendimento, é preciso compreender o negócio do HBM. O HBM (memória de alta largura de banda) é uma memória de alta velocidade empilhada junto aos aceleradores de IA. Para que as GPUs da Nvidia executem IA, dependem dela para alimentar dados rapidamente, sendo um dos componentes mais procurados e lucrativos neste ciclo supercíclico da IA.

O problema é que este mercado tem sido dominado pela SK Hynix durante muito tempo. No fornecimento do HBM3E para a Nvidia, a SK Hynix detinha uma quota de cerca de 70%; na geração HBM4, que acompanha o acelerador AI de próxima geração da Nvidia, Vera Rubin, as estimativas da cadeia de abastecimento indicam que a SK Hynix ainda detém cerca de 60 a 70%, a Samsung cerca de 25 a 30%, e a Micron completa o restante. A Samsung está a esforçar-se para aumentar o rendimento do HBM4E e acelerar as entregas do HBM4, o que, em suma, visa reduzir a diferença para a SK Hynix e conquistar mais encomendas da Nvidia.

Perguntas Frequentes

O que é HBM4E? O que significa a taxa de rendimento de 70% da Samsung?

O HBM4E é a 7.ª geração de memória de alta largura de banda (HBM), empilhada junto aos aceleradores de IA para alimentar dados de alta velocidade às GPUs. A taxa de rendimento refere-se à proporção de produtos bons. A taxa de rendimento nos testes de fiabilidade do HBM4E da Samsung atingiu 70%, aproximando-se do limiar de 80% considerado maduro pela indústria, o que significa que a qualidade da produção está próxima do nível necessário para envios em grande escala.

A Samsung já alcançou a SK Hynix no HBM?

Ainda está a recuperar. A SK Hynix tem dominado há muito o fornecimento de HBM para a Nvidia, tendo detido cerca de 70% de quota no HBM3E; na geração HBM4 (que acompanha o Vera Rubin da Nvidia), a Samsung tem cerca de 25 a 30%. A Samsung está a aumentar o rendimento do HBM4E e a acelerar as entregas do HBM4 precisamente para reduzir a diferença para a SK Hynix e conquistar mais encomendas da Nvidia.