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Rendimento do HBM4E da Samsung ultrapassa 70%, processo DRAM de próxima geração D1d visa aprovação de prontidão para produção em novembro

AirdropBlackHole
On July 1, a Samsung Electronics anunciou progressos no desenvolvimento do HBM4E (sétima geração) e da DRAM de próxima geração, após se tornar a primeira do mundo a produzir em massa o HBM4 (sexta geração). Song Jae-hyuk, CTO da divisão DS da Samsung e responsável pelo Instituto de Investigação de Semicondutores, afirmou durante uma reunião interna de atualização de negócios a 30 de junho que o rendimento dos testes de fiabilidade do HBM4E ultrapassou os 70%. A indústria considera geralmente que um rendimento acima de 80% indica uma fase de 'rendimento maduro' estável; assim, um rendimento acima de 70% é visto como um sinal de que o desenvolvimento está a entrar numa gama estável. A Samsung iniciou a produção em massa do HBM4 em fevereiro deste ano e divulgou publicamente as especificações técnicas detalhadas para os produtos de 12 camadas do HBM4E a 29 de maio, enviando amostras a clientes-chave. O HBM4 será utilizado no acelerador de IA Vera Rubin da NVIDIA, previsto para lançamento no segundo semestre deste ano, enquanto se espera que o HBM4E seja utilizado no acelerador de IA de próxima geração da NVIDIA, o Vera Rubin Ultra, programado para o próximo ano. O desenvolvimento do processo de DRAM de próxima geração da Samsung também está a progredir sem problemas. Song Jae-hyuk acredita que a tecnologia de processo D1d tem vantagens competitivas sobre os rivais e pretende obter aprovação de prontidão para produção até novembro. O D1d é o processo de DRAM central que a Samsung planeia aplicar a partir do HBM5 (oitava geração) de próxima geração e, se o desenvolvimento prosseguir conforme planeado, terá um impacto positivo na competitividade da DRAM de próxima geração e nos subsequentes produtos HBM5. (Fnnews)
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