HBM: A 'memória de ouro' sob o gargalo de poder computacional da IA, o tamanho do mercado aumentou 58% e a lógica de investimento para 2026

2026年6月22日，韩国资本市场迎来历史性一刻——SK海力士（000660.KS）盘中股价涨至295万韩元，市值触及208.1万亿韩元，首次超越三星电子（005930.KS）的207.3万亿韩元，打破了三星连续26年稳坐韩国市值头把交椅的纪录。这一里程碑的背后，是一场由生成式AI驱动的存储芯片产业权力重构。而这场重构的核心主角，正是HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）。

Nos últimos dois anos, quase todas as discussões sobre poder computacional de IA giraram em torno das GPUs. Os chips da NVIDIA estão em falta, a capacidade de produção avançada da TSMC está no máximo — estas histórias já foram contadas repetidamente. Mas por detrás do brilho das GPUs, um gargalo mais subtil e crítico está a apertar-se silenciosamente — a HBM. Sem memória de alta largura de banda suficiente, por mais potente que seja o chip de computação, este só pode funcionar em vazio.

Em 2026, a HBM está a passar de uma categoria de nicho da indústria de semicondutores para um recurso estratégico escasso que determina a velocidade de expansão da infraestrutura de IA. Este artigo analisa sistematicamente por que razão a HBM se tornou a "memória de ouro" da era da IA a partir de quatro dimensões: princípios técnicos, lógica de mercado, cenário competitivo e oportunidades de investimento.

Princípios Técnicos da HBM: A Revolução do Empilhamento 3D para Quebrar o "Memory Wall"

Para compreender porque é que a HBM é tão importante, precisamos primeiro de voltar a uma questão fundamental: na arquitetura de computação moderna, a diferença de velocidade entre o processador e a memória está a aumentar constantemente. A velocidade de cálculo de uma CPU ou GPU duplica a cada 18 a 24 meses, mas o aumento da largura de banda da memória fica muito aquém. Esta contradição é conhecida como "Memory Wall" — por mais forte que seja a capacidade de computação, se os dados não chegarem a tempo, o chip só pode esperar ocioso.

A HBM nasceu precisamente para resolver este gargalo. É uma arquitetura de memória de alto desempenho que empilha verticalmente múltiplos chips DRAM e utiliza a tecnologia Through-Silicon Via (TSV) para interligações de alta velocidade entre os chips. Simplificando, a memória tradicional coloca os chips DRAM planos numa placa de circuito, transmitindo dados através de um número limitado de pinos; a HBM empacota os chips DRAM verticalmente como "uma pilha de humanos", transmitindo dados simultaneamente através de milhares de micro-canais, oferecendo uma largura de banda muito superior à da memória DDR tradicional.

O design único da HBM confere-lhe uma densidade de largura de banda sem precedentes. Tomando como exemplo a mais recente HBM4, as especificações oficiais publicadas pela JEDEC em abril de 2025 mostram que a largura da interface da HBM4 duplica para 2.048 bits, com uma largura de banda por pilha de até 2 TB por segundo. A HBM4 da Samsung, em produção em massa com 12 camadas empilhadas, tem uma capacidade base de 36 GB por pilha, uma taxa de transferência de pino de 13 Gbps e uma largura de banda total por pilha de 3,3 TB/s.

É precisamente esta característica de "alta largura de banda + baixo consumo de energia" que faz da HBM um componente central insubstituível em cenários de treino e inferência de IA. Os grandes modelos de linguagem têm frequentemente centenas de milhares de milhões de parâmetros, e cada propagação direta e inversa requer a troca de grandes quantidades de dados entre o processador e a memória — apenas a HBM pode fornecer largura de banda suficiente para suportar este processo.

Explosão do Mercado: Um Salto de 13,4 Para 54,6 Mil Milhões de Dólares

A velocidade de expansão do mercado de HBM está a redefinir a curva de crescimento de toda a indústria de chips de memória.

De acordo com dados da Stratistics MRC, espera-se que o mercado global de HBM atinja 13,4 mil milhões de dólares em 2026, crescendo a uma taxa composta de crescimento anual de 34,1% durante o período de previsão, podendo atingir 141 mil milhões de dólares até 2034. Outro conjunto de dados da SEMI é ainda mais agressivo — Feng Li, presidente da SEMI China, afirmou na SEMICON China 2026 que o mercado de HBM crescerá 58% em 2026 para 54,6 mil milhões de dólares, representando quase 40% do mercado de DRAM.

Os dois conjuntos de dados têm métricas diferentes, mas apontam para a mesma conclusão: a HBM está a expandir-se a um ritmo muito superior ao das categorias tradicionais de semicondutores. A World Semiconductor Trade Statistics (WSTS) prevê que o mercado global de semicondutores atinja 975 mil milhões de dólares em 2026. A memória crescerá cerca de 250% em 2026 em termos homólogos, ultrapassando os 800 mil milhões de dólares. A HBM é precisamente o segmento de memória com o crescimento mais rápido e a margem de lucro mais elevada.

A principal força motriz deste crescimento vem da expansão contínua da infraestrutura de IA. Espera-se que as despesas globais com infraestrutura de IA atinjam 450 mil milhões de dólares em 2026, com a capacidade de computação de inferência a representar mais de 70% pela primeira vez. Os modelos de IA estão a evoluir da fase de treino para a inferência e IA agêntica, o que significa que a procura por memória de alto desempenho não está a abrandar, mas sim a expandir-se continuamente.

Desequilíbrio Oferta-Procura: Capacidade Esgotada e Lacuna Estrutural

Juntamente com o aumento da escala do mercado, o desequilíbrio oferta-procura está a tornar-se cada vez mais grave.

Embora os três grandes fabricantes — Samsung, SK Hynix e Micron — tenham desviado 70% da sua capacidade新增 ou realocável para HBM, o défice de capacidade de HBM ainda é de 50% a 60%. A taxa de défice de HBM foi de 45% em 2025, mantendo-se num elevado nível de 43,5% em 2026. As estimativas das instituições mostram que o défice de oferta-procura global de DRAM é de cerca de 7% em 2026, e o da HBM cerca de 6%, com a situação de escassez a agravar-se; em 2027, o défice de DRAM e HBM aumentará para 9%.

Mais preocupante é o facto de toda a capacidade de HBM dos três grandes fabricantes em 2026 já estar totalmente reservada por clientes a jusante para todo o ano, com muitos clientes principais a garantir capacidade até 2028. A administração da Micron confirmou publicamente no relatório de lucros do terceiro trimestre fiscal de 2026 que a empresa só consegue satisfazer cerca de 50% a 66% da procura real dos clientes. A Goldman Sachs prevê que a escassez de oferta no mercado de memória continuará até 2028.

Este desequilíbrio oferta-procura não é um impulso de curto prazo, mas sim impulsionado por múltiplas forças estruturais. Do lado da procura, a expansão contínua do número de parâmetros dos modelos de IA e o aumento da procura por inferência constituem um suporte rígido; do lado da oferta, a complexidade do processo TSV, a progressão do rendimento do encapsulamento avançado e os prazos de entrega de equipamentos são restrições físicas que tornam a libertação de nova capacidade de produção possível apenas entre 2028 e 2029, na melhor das hipóteses. Os bancos de investimento internacionais acreditam geralmente que a escassez de oferta de HBM é uma tendência industrial que durará pelo menos três anos.

Batalha dos Três Gigantes: O Jogo de Poder entre SK Hynix, Samsung e Micron

O panorama competitivo do mercado de HBM está a formar uma estrutura oligopolista centrada na SK Hynix, Samsung Electronics e Micron Technology.

A SK Hynix é atualmente a líder absoluta no mercado de HBM. De acordo com dados da TrendForce, na quota de produção global de bits HBM em 2026, a SK Hynix representa cerca de 50%, a Samsung cerca de 28% e a Micron cerca de 22%. As previsões da Counterpoint Research são mais detalhadas, estimando que a SK Hynix detenha cerca de 54% do mercado HBM4 em 2026, a Samsung 28% e a Micron cerca de 18%. Esta posição de liderança reflete-se diretamente nos mercados de capitais — a SK Hynix registou receitas de 52,58 biliões de won no primeiro trimestre de 2026, um aumento homólogo de 198% e um aumento trimestral de 60%, ultrapassando pela primeira vez os 50 biliões de won num único trimestre. O UBS prevê que a SK Hynix tenha receitas totais de 355,1 biliões de won em 2026, com lucros operacionais de 286 biliões de won.

A Samsung, após contratempos na certificação e no ritmo de fornecimento do HBM3E, está a contra-atacar com o HBM4. A 12 de fevereiro de 2026, a Samsung concluiu a estreia global do HBM4 no seu complexo de Cheonan, na Coreia do Sul, e iniciou a produção em massa e o embarque em grande escala. Em apenas cerca de quatro meses, as vendas acumuladas ultrapassaram mil milhões de dólares, tornando-se o primeiro fabricante global de memória a atingir este marco. Se considerarmos o final de junho como ponto de referência, as vendas acumuladas de HBM4 deverão exceder 1,2 mil milhões de dólares. A Samsung planeia aumentar a capacidade de produção mensal do seu nó de processo DRAM 1c para cerca de 150.000 wafers até ao final de 2026, para a produção em massa de HBM4.

Embora a Micron tenha uma quota relativamente menor, o seu crescimento é impressionante. No terceiro trimestre do ano fiscal de 2026 (terminado em 31 de maio), a Micron registou receitas de 41,46 mil milhões de dólares, um aumento homólogo de 346%, uma margem bruta de 84,9% e um lucro por ação ajustado de 25,11 dólares, um aumento homólogo de 1.215%. A velocidade de rampa de produção do produto HBM4 de 12 camadas da Micron é o dobro da versão de 12 camadas do HBM3E, e a empresa já entregou acumuladamente mais de mil milhões de dólares em receitas de HBM4. A administração da Micron estima que o aperto oferta-procura de HBM continuará até depois de 2027.

No mercado global de DRAM, a Samsung mantém uma vantagem abrangente. No primeiro trimestre de 2026, as receitas de DRAM da Samsung atingiram 37,32 mil milhões de dólares, um aumento trimestral de 93,4%, com uma quota de mercado de 38,5%, ocupando o primeiro lugar; a SK Hynix registou receitas de 27,98 mil milhões de dólares, um aumento trimestral de 62,5%, com uma quota de mercado de 28,8%. Esta comparação mostra claramente: a ultrapassagem do valor de mercado da SK Hynix não se baseia numa supremacia total sobre o mercado global de DRAM, mas sim no prémio de valorização resultante do seu domínio absoluto no segmento de alta margem da HBM.

Oportunidades de Investimento na Cadeia de Valor da HBM

O superciclo da HBM está a propagar-se verticalmente ao longo da cadeia de valor, criando oportunidades diferenciadas para diferentes elos de investimento.

Primeiro Escalão: Os Três Grandes Fabricantes de Memória. SK Hynix, Samsung Electronics e Micron Technology, beneficiando do monopólio tecnológico e da escassez de capacidade, capturam a grande maioria dos lucros extraordinários da cadeia, com margens brutas a ultrapassar os 70% ou mesmo 80%. Estas três empresas são os beneficiários mais diretos e centrais do movimento da HBM.

Segundo Escalão: Encapsulamento Avançado e Teste. A expansão da capacidade de HBM impulsiona diretamente a procura por encapsulamento avançado. No mercado de ações A, empresas líderes de encapsulamento e teste como Jiangsu Changjiang Electronics Technology (JCET), Tongfu Microelectronics e Huatian Technology estão a atrair o foco do capital. Além disso, empresas de equipamentos semicondutores como a NAURA Technology Group e a Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. (AMEC) também beneficiam do aumento das despesas de capital decorrentes da expansão global da memória.

Terceiro Escalão: Empresas Domésticas de Chips de Memória e Materiais. No contexto da tensão contínua de oferta global de DRAM e NAND, os fabricantes domésticos de chips de memória estão a aproveitar uma janela de oportunidade para a substituição nacional. Empresas como a GigaDevice, a Ingenic Semiconductor, a Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI) e a Puya Semiconductor estão a receber atenção do mercado. Desde junho, as ações do conceito de hardware de computação de IA no mercado A subiram em média 19,05%.

Quarto Escalão: Equipamentos e Materiais para HBM. Inclui equipamentos HBM (Wanrun, Hon Precision), teste e encapsulamento (Powertech Technology, King Yuan Electronics) e servidores de IA (Quanta Computer, Wistron, Wiwynn), entre outros segmentos.

Correspondência com a Indústria Cripto: A Relação Indireta entre HBM e Ativos Digitais

Para profissionais e investidores da indústria cripto, o ciclo de expansão da HBM também merece atenção — embora a HBM e os ativos cripto pertençam a setores diferentes, existe uma clara cadeia lógica entre eles.

Em primeiro lugar, a expansão da infraestrutura de IA impulsiona diretamente a procura por GPUs, e as GPUs são os maiores compradores de HBM. A NVIDIA, como o maior comprador global de HBM, a capacidade de produção e o ritmo de embarque dos seus chips afetam diretamente o equilíbrio oferta-procura de HBM. A indústria de mineração cripto, como um dos principais mercados a jusante das GPUs, também é indiretamente afetada por esta dinâmica da cadeia de fornecimento — quando a procura por computação de IA ocupa a capacidade de produção de GPUs, o custo e a dificuldade de obter hardware de mineração cripto aumentam.

Em segundo lugar, o desempenho das ações dos três gigantes da HBM tornou-se um indicador para medir o entusiasmo do investimento em infraestrutura de IA. Em junho de 2026, a Gate lançou oficialmente a funcionalidade de negociação de ações reais, permitindo que os utilizadores negociem ações e ETFs dos principais mercados de valores mobiliários, como Micron, Samsung Electronics e SK Hynix, diretamente na plataforma usando USDT. Isto significa que os investidores cripto podem participar diretamente nas oportunidades de investimento do superciclo da HBM através deste canal.

Até 26 de junho de 2026, o Bitcoin estava cotado a aproximadamente 59.592 dólares, uma queda de mais de 52% em relação ao seu máximo histórico de 126.223 dólares em outubro de 2025. O Ethereum também enfraqueceu, situando-se perto dos 1.510 dólares. Num contexto de pressão geral no mercado cripto, o ciclo independente da cadeia de valor da HBM oferece aos investidores uma perspetiva de alocação entre classes de ativos — a escassez estrutural e os lucros extraordinários do hardware semicondutor tradicional formam, até certo ponto, uma relação de cobertura com as flutuações cíclicas dos ativos cripto.

Conclusão: A HBM Não é Uma Bolha, São Leis da Física

O entusiasmo em torno da HBM não é um tema fabricado artificialmente pelos mercados de capitais. A sua lógica subjacente assenta em três realidades físicas e industriais incontornáveis: o crescimento exponencial do número de parâmetros dos modelos de IA impõe uma procura rígida por largura de banda de memória; a complexidade do processo de empilhamento 3D TSV torna a libertação de capacidade naturalmente lenta; e existem apenas três empresas no mundo com capacidade de produção em massa de HBM — SK Hynix, Samsung e Micron.

Esta não é uma história que possa ser infinitamente replicada. A capacidade de wafer necessária para produzir HBM é cerca de 3 a 4 vezes superior à da DRAM tradicional. O custo de construção de uma fábrica de wafers de 2nm já ultrapassou os 25 mil milhões de dólares. Por detrás destes números estão restrições físicas reais e barreiras de capital — elas constituem o fosso mais sólido do lado da oferta da HBM e determinam que a duração desta "era de ouro da memória" não será curta.

Vários bancos de investimento, como a Goldman Sachs, chegaram a uma conclusão altamente consistente: esta "crise de memória" não é um impulso de curto prazo; a escassez estrutural de oferta de HBM durará pelo menos até 2028. Para os investidores, compreender a HBM não é apenas para aproveitar uma oportunidade de investimento, mas também para entender a lógica operacional da infraestrutura subjacente da era da IA — no topo da pirâmide de computação, o mais escasso não é frequentemente o poder de computação em si, mas sim o "tubo de dados" que o alimenta.

FAQ

1. Qual é a diferença entre HBM e memória tradicional?

A HBM utiliza a tecnologia Through-Silicon Via (TSV) para empilhar verticalmente múltiplos chips DRAM, alcançando uma densidade de largura de banda muito superior à da memória DDR tradicional. A memória tradicional tem uma disposição planar, com canais de transmissão de dados limitados; a HBM pode ter uma largura de interface de até 2.048 bits, com largura de banda por pilha superior a 2 TB/s. A HBM é principalmente destinada a cenários intensivos em largura de banda, como treino de IA e computação de alto desempenho, enquanto a memória tradicional é mais adequada para computação geral e eletrónica de consumo.

2. Porque é que a capacidade de HBM é tão apertada?

Três razões principais: Primeiro, a capacidade de wafer necessária para produzir HBM é cerca de 3 a 4 vezes superior à da DRAM tradicional; segundo, a progressão do rendimento do processo TSV e do encapsulamento avançado é lenta, e os prazos de entrega de equipamentos são longos; terceiro, apenas três fabricantes no mundo têm capacidade de produção em massa, e toda a capacidade de 2026 já está vendida. A combinação destas três restrições significa que a libertação de nova capacidade de produção só será possível entre 2028 e 2029, na melhor das hipóteses.

3. Quais são as ações relacionadas com HBM?

Os três grandes fabricantes de memória: SK Hynix (000660.KS), Samsung Electronics (005930.KS) e Micron Technology (MU.O). No mercado A, os conceitos de HBM abrangem encapsulamento avançado (JCET, Tongfu Microelectronics, Huatian Technology), equipamentos semicondutores (NAURA, AMEC) e chips de memória (GigaDevice, Ingenic Semiconductor).

4. Quanto tempo pode durar a elevada margem bruta da HBM?

As margens brutas dos três grandes fabricantes já ultrapassaram os 70% ou mesmo 80%. A administração da Micron estima que o aperto oferta-procura de HBM continuará até depois de 2027. A Goldman Sachs prevê que a escassez de oferta dure até 2028. Desde que as despesas de capital em infraestrutura de IA não abrandem, o ciclo de elevadas margens da HBM deverá prolongar-se.

5. Como podem os investidores cripto participar no movimento da HBM?

A Gate já lançou a funcionalidade de negociação de ações reais, permitindo que os utilizadores negociem ações e ETFs como Micron, Samsung Electronics e SK Hynix utilizando USDT. Além disso, as mudanças na oferta e procura de HBM propagar-se-ão ao longo da cadeia de valor das GPUs para o setor de equipamentos de mineração de ativos cripto, fornecendo sinais de referência indiretos para alocação entre classes de ativos.