O ETF de chips de armazenamento com alavancagem 2x emitido conjuntamente pela Roundhill e T-REX $RAM foi listado na Cboe BZX em 24 de junho, com o ativo subjacente sendo o DRAM ETF. No mesmo dia, após o fecho, a Micron $MU apresentou o seu melhor relatório trimestral de sempre, com receitas de 41,46 mil milhões de dólares e uma margem bruta de 84,9%.

O DRAM ETF foi listado a 2 de abril, e em 10 dias de negociação os ativos sob gestão ultrapassaram 1 mil milhão de dólares. A 24 de junho, o AUM excedia 20 mil milhões de dólares, com um retorno total de 179,84%, sendo o produto de crescimento mais rápido na história da indústria de ETFs.
As participações estão altamente concentradas: SK Hynix cerca de 29%, Micron cerca de 27%, Samsung cerca de 21%, totalizando cerca de 77% em conjunto, sendo também os únicos três fornecedores globais de HBM.
O RAM reequilibra-se a cada dia de negociação, com o objetivo de alcançar 200% do retorno diário do DRAM. Taxa de despesa líquida de 1,25%, custodiante Citibank. Atualmente, não suporta negociação de opções. A Roundhill advertiu claramente no prospeto que este fundo 'não é adequado para todos os investidores'.
77% da carteira está concentrada em três ações, com alavancagem adicional de 2x. Cerca de 49% dos ativos subjacentes do DRAM ETF são negociados em Seul, e a volatilidade noturna das ações coreanas é libertada de forma concentrada na abertura do mercado dos EUA, ampliando esse gap (salto) em 2x com o RAM.
A 23 de junho, o KOSPI caiu 10%, o DRAM ETF caiu cerca de 14% nesse dia. Se o RAM já estivesse listado nessa altura, a queda teórica num único dia seria próxima de 28%. O mecanismo de reequilíbrio diário dos ETFs alavancados também significa que, num mercado volátil, mesmo que o DRAM termine estável, o RAM terá perdas.
O DRAM ETF recuou cerca de 16% em relação ao seu máximo de 52 semanas. Utilizar o RAM para alavancar é usar alavancagem 2x num ativo que já tem um beta extremamente elevado. Se a direção estiver correta, o retorno é considerável; se estiver errada, a janela de saída pode ser muito mais estreita do que o esperado.