Por que o preço das ações da SK Hynix atingiu um novo recorde?
Entrega do HBM4E aos principais clientes, liderando a corrida por chips de memória AI

2026 年 6 月 18 日，韩国存储芯片巨头 SK 海力士宣布已向主要客户交付12层 HBM4E 样品，股价当日盘中一度上涨 5.6% 至 264.2 万韩元，创下历史新高。收盘涨幅进一步扩大至 7% 以上，报 271.2 万韩元。至此，SK 海力士年内累计涨幅已超过 300%。

Esta não foi uma entrega de amostras comum. Em um contexto de crescimento exponencial na demanda por poder de processamento de IA, HBM (memória de alta largura de banda) passou de uma subdivisão do DRAM a um “recurso estratégico” que determina o limite de desempenho dos chips de IA. A entrega de amostras do HBM4E marca o início de uma competição de validação de clientes e produção em massa para a próxima geração de memórias para IA.

Por que a entrega de amostras do HBM4E pode impulsionar o preço das ações a um recorde histórico

A reação do mercado de capitais às amostras do HBM4E foi extremamente rápida e forte. Após cinco dias consecutivos de alta de 24,2% na ação da SK Hynix, na manhã de 18 de junho ela subiu mais 5,6%, atingindo uma máxima intradiária histórica. O índice composto da Coreia do Sul ultrapassou pela primeira vez a marca de 9000 pontos no mesmo dia, com a SK Hynix sendo a principal força motriz dessa alta.

O fato de a entrega de amostras ter ocorrido bem antes do esperado do mercado foi o catalisador direto para a explosão do preço das ações. Anteriormente, a indústria previa que a SK Hynix só enviaria amostras do HBM4E aos clientes em julho, mas o progresso real foi cerca de um mês mais cedo. Na corrida por avanços em IA, a “diferença de tempo” é uma vantagem competitiva — enviar as amostras primeiro significa entrar primeiro no processo de validação do cliente e garantir a participação na oferta de memória para o próximo geração de aceleradores de IA.

Um fator ainda mais profundo é o desequilíbrio estrutural entre oferta e demanda no mercado de HBM. Segundo dados da SEMI China, a previsão é que o mercado de HBM cresça 58% até 2026, atingindo 54,6 bilhões de dólares, representando quase 40% do mercado de DRAM. Contudo, mesmo com as três principais fabricantes — Samsung, SK Hynix e Micron — direcionando 70% de suas novas linhas de produção para HBM, a lacuna de capacidade ainda chega a 50% a 60%. Instituições como Goldman Sachs estimam que a escassez estrutural de HBM deve durar pelo menos até 2028. As três gigantes do armazenamento já têm toda a capacidade de produção de HBM vendida aos clientes, com alguns clientes principais até bloqueando a capacidade até 2028.

Diante de um cenário de oferta tão apertado, qualquer sinal positivo sobre o avanço da próxima geração de produtos é amplificado pelo mercado. A Daiwa Securities, em meados de junho, elevou significativamente o preço-alvo da SK Hynix para 3,6 milhões de won, reafirmando a classificação de “compra”.

Como a expansão do poder de processamento de IA está redesenhando a lógica de oferta e demanda de chips de armazenamento de alta qualidade

Para entender o significado da entrega de amostras do HBM4E na indústria, é preciso primeiro compreender a posição do HBM na cadeia de poder de processamento de IA. O HBM, por meio de tecnologia de empilhamento 3D, integra vários chips de DRAM verticalmente, fornecendo uma via de dados de altíssima largura para aceleradores de IA. O treinamento de grandes modelos e a inferência de IA generativa têm uma demanda exponencial por largura de banda e capacidade de memória, sendo que a largura de banda e a capacidade do HBM determinam diretamente a eficiência do treinamento e da inferência de IA.

A tensão entre oferta e demanda de HBM não é simplesmente “demanda maior que oferta”, mas resultado de uma série de fatores estruturais sobrepostos. Primeiramente, a produção de HBM envolve processos complexos de TSV (vias de silício) e embalagem avançada, com uma expansão de capacidade naturalmente atrasada pelo tempo. Em segundo lugar, as três principais fabricantes têm direcionado grande parte de sua capacidade de DRAM para HBM, o que, paradoxalmente, reduz a oferta de DRAM tradicional, criando um efeito de cadeia onde “mais produção de HBM leva a uma escassez geral de DRAM”.

A TrendForce estima que, até o final de 2027, a participação de wafers de HBM das três principais fornecedoras no total de wafers de DRAM será de 30%, intensificando ainda mais o efeito de compressão da capacidade de DRAM. A UBS acredita que o ciclo de recuperação do mercado de DRAM deve se estender até o segundo trimestre de 2028.

Nesse contexto, o avanço do HBM4E não é apenas uma evolução tecnológica, mas uma questão de capacidade de infraestrutura de IA. Espera-se que o HBM4E seja utilizado na plataforma Rubin Ultra, planejada pela Nvidia para lançamento em 2027, cuja produção em massa impactará diretamente o ritmo de vendas do próximo geração de aceleradores de IA.

De HBM3 a HBM4E: a lógica técnica da evolução geracional da memória

O HBM4E é a sétima geração de memória de alta largura de banda, com melhorias abrangentes em relação ao HBM4. Segundo os parâmetros técnicos, as entregas de amostras de HBM4E empilhando 12 camadas atingiram várias inovações-chave:

Largura de banda e velocidade: taxa de pinos de até 16 Gbps, largura de banda por empilhamento de até 4,0 TB/s. Comparado ao HBM4, o HBM4E oferece aproximadamente 38% de aumento na largura de banda e 33% de aumento na capacidade de cada die.

Capacidade: com a estrutura de empilhamento de 12 camadas, alcança-se uma capacidade de 48 GB.

Eficiência energética: melhora de mais de 20% em relação à geração anterior, fortalecendo a capacidade de processamento de dados para treinamento e inferência de IA.

Gerenciamento térmico: uso de tecnologia avançada MR-MUF (moldagem de fluxo de retorno em massa na parte inferior), reduzindo a resistência térmica em cerca de 17%, garantindo operação estável em ambientes de computação de alto desempenho.

De HBM3 a HBM3E, de HBM4 a HBM4E, cada geração tem um ciclo de evolução mais curto, enquanto o desempenho aumenta de forma mais significativa. Essa aceleração reflete a força do “empurrão” da demanda de IA por melhorias na memória — à medida que o poder de processamento de GPUs dobra a cada dois anos, a largura de banda da memória precisa acompanhar para evitar que se torne um gargalo no sistema.

Após a entrega de amostras pela Samsung: o “trilema” do mercado de HBM entra em uma nova fase

A atenção elevada à entrega de amostras do HBM4E também decorre de seu impacto na dinâmica competitiva do mercado de HBM. A entrega de amostras pela SK Hynix ocorreu aproximadamente três semanas após o anúncio da Samsung de que começaria a entregar as primeiras amostras do HBM4E globalmente. Em 29 de maio, a Samsung iniciou entregas globais de suas primeiras amostras de HBM4E, afirmando ser a primeira a fazê-lo.

A diferença de tempo entre as duas gigantes sul-coreanas é muito próxima — a Samsung lidera por cerca de três semanas, mas a entrega de amostras da SK Hynix também foi mais cedo do que o esperado pelo mercado. Essa corrida “um atrás do outro” significa que a janela de validação do cliente para o HBM4E está totalmente aberta, e quem conseguir passar na validação dos principais clientes e garantir pedidos em produção terá vantagem na próxima rodada de fornecimento de memória para IA.

No mercado, a SK Hynix mantém uma posição de liderança. Segundo dados da Counterpoint Research, no primeiro trimestre de 2026, a participação de mercado global de HBM da SK Hynix era de aproximadamente 58%, enquanto Samsung e Micron tinham cerca de 21% cada. Dados do Visible Alpha indicam uma participação de aproximadamente 55,5% para SK Hynix, 23,3% para Samsung e 21,2% para Micron. Apesar das diferenças metodológicas, a liderança da SK Hynix é clara.

Por outro lado, a competição está se intensificando. A TrendForce estima que, em 2026, a participação de mercado da SK Hynix em HBM possa diminuir de 59% para cerca de 50%, enquanto a Samsung deve ampliar sua fatia. A Micron planeja iniciar a produção em massa do padrão HBM4E em 2027, usando pela primeira vez a tecnologia de litografia EUV na fabricação do processo 1γ. As três empresas já estão entrando na fase de validação com clientes para seus produtos HBM4E.

Os principais clientes da SK Hynix incluem Nvidia, AMD e Google, entre outros gigantes de IA. A parceria profunda com a Nvidia é uma vantagem competitiva central — os plataformas Rubin e Rubin Ultra da Nvidia devem adotar massivamente o HBM4E. A Samsung também está acelerando a introdução da tecnologia de processo 1c de DRAM em escala, com planos de triplicar a produção de HBM até 2026 em relação a 2025.

Capacidade limitada e expectativa de alta de preços: a sustentabilidade do ciclo de alta do HBM

A forte alta das ações após a entrega de amostras do HBM4E reflete a forte expectativa do mercado de que o ciclo de alta do HBM continuará. Contudo, essa expectativa depende de várias variáveis.

Oferta: a expansão de capacidade de HBM enfrenta restrições técnicas e de capital. Melhorar a taxa de rendimento na embalagem avançada leva tempo, e novas linhas de produção levam de 18 a 24 meses para serem concluídas. Mesmo com esforços máximos das três principais fabricantes, a lacuna de capacidade de HBM ainda será difícil de preencher no curto prazo.

Demanda: os investimentos em IA continuam acelerando. A TrendForce aponta que, em 2026, o crescimento da demanda por HBM será impulsionado principalmente por upgrades na capacidade de ASICs de IA, com a capacidade de HBM por chip de IA aumentando de 96/192 GB para 216/288 GB. Em 2027, a plataforma Rubin Ultra da Nvidia elevará ainda mais a capacidade de HBM por GPU para 384 GB.

Preços: os contratos de HBM tiveram uma queda estrutural em 2026, o que limitou o aumento geral de preços dos produtos da SK Hynix. No entanto, as instituições esperam que os preços de contratos de HBM subam várias vezes em 2027. A persistência do gap entre oferta e demanda sustenta a expectativa de alta de preços.

Por outro lado, há riscos. A valorização das ações da SK Hynix já ultrapassou 300% neste ano, refletindo antecipadamente as altas expectativas de crescimento do armazenamento de IA. A continuidade dessa alta dependerá do cronograma de produção em massa do HBM4E, melhorias na taxa de rendimento, velocidade de entrada dos clientes e tendências de preços. Se os gastos de capital em IA permanecerem elevados, a SK Hynix poderá se beneficiar da escassez de memória de alta qualidade e da atualização de seu portfólio de produtos; se a expansão da oferta superar a demanda, a avaliação do ciclo de alta de margens do HBM poderá ser revista.

Resumo

A entrega de amostras do HBM4E pela SK Hynix não é um evento isolado, mas um reflexo da competição por poder de processamento de IA no setor de chips de armazenamento. Desde a forte reação do mercado até a aceleração na evolução tecnológica, da reconfiguração do “trilema” de mercado à ampliação contínua da lacuna de capacidade, esse evento revela uma transformação estrutural que o setor de semicondutores está vivendo.

O HBM deixou de ser uma subdivisão do DRAM para se tornar uma matéria-prima estratégica na era da IA. A validação de clientes e a corrida pela produção em massa do HBM4E determinarão diretamente a capacidade de fornecimento e a estrutura de custos dos aceleradores de IA em 2027 e além. Para investidores, o ciclo de alta do HBM possui fundamentos sólidos de oferta e demanda, mas o preço das ações já precificou parte dessa alta, acumulando riscos de volatilidade. Monitorar o progresso na produção do HBM4E, o ritmo de entrada dos clientes e as tendências de preços será fundamental para avaliar os desdobramentos futuros dessa trajetória.

Perguntas frequentes (FAQ)

Q1: Quais as principais diferenças entre HBM4E e HBM4?

O HBM4E é uma versão aprimorada do HBM4, com melhorias significativas em largura de banda, capacidade e eficiência energética. O HBM4E atinge até 16 Gbps de taxa de pinos, com largura de banda por empilhamento de até 4,0 TB/s, cerca de 38% maior que o HBM4; capacidade de 48 GB com empilhamento de 12 camadas; melhora de mais de 20% na eficiência energética e redução de aproximadamente 17% na resistência térmica.

Q2: Como está a posição competitiva da SK Hynix no mercado de HBM?

A SK Hynix é atualmente líder global em HBM. No primeiro trimestre de 2026, sua participação de mercado global de HBM era de aproximadamente 55,5% a 58%, à frente da Samsung (cerca de 21% a 23%) e Micron (cerca de 21%). Seus principais clientes incluem Nvidia, AMD e Google.

Q3: Quando o HBM4E deve entrar em produção em massa?

A produção em massa do HBM4E está prevista para 2027. Em 2026, a SK Hynix precisa concluir testes e validações com clientes. A empresa afirma que trabalhará em estreita colaboração com parceiros para garantir o lançamento pontual.

Q4: Como está a oferta e demanda no mercado de HBM?

O mercado de HBM está atualmente em forte escassez. A previsão é que o mercado cresça 58% até 2026, atingindo 54,6 bilhões de dólares, mas mesmo com 70% das novas linhas de produção direcionadas ao HBM, a lacuna de capacidade ainda é de 50% a 60%. As instituições estimam que essa escassez estrutural dure pelo menos até 2028.

Q5: Quais chips de IA irão usar o HBM4E?

Espera-se que o HBM4E seja utilizado na plataforma Rubin Ultra da Nvidia, planejada para 2027, além de outros aceleradores de próxima geração como a série AMD Instinct MI500.