A Queda dos Semicondutores de Potência Japoneses, que já estiveram no topo

Em março de 2026, a indústria de semicondutores de potência do Japão anunciou duas notícias de grande impacto em apenas alguns dias, capazes de abalar o panorama do setor.

No dia 2 de março, o Nikkan Kogyo Shimbun revelou que a Mitsubishi Electric estava em negociações com a Toshiba para uma reestruturação do negócio de semicondutores de potência; apenas quatro dias depois, o Nikkei publicou outra notícia bombástica: a gigante de componentes automotivos DENSO apresentou uma oferta de aquisição total à fabricante de semicondutores ROHM, com um valor máximo de 1,3 trilhão de ienes (cerca de 83 bilhões de dólares), atingindo o maior volume de fusões e aquisições na indústria de semicondutores japonesa nos últimos anos.

Após a divulgação, o mercado reagiu de forma rápida e dividida. Os apoiantes acreditam que isso pode marcar o início de uma era de consolidação na indústria de semicondutores de potência do Japão; mas alguns analistas questionam: será que a DENSO está pensando em uma estratégia de longo prazo ou apenas pagando um preço elevado por um problema difícil de resolver?

Independentemente da avaliação, ambos os eventos apontam para uma mesma realidade — as contradições estruturais acumuladas na indústria de semicondutores de potência do Japão estão se manifestando de forma concentrada neste momento. Este antigo reino tecnológico, que dominou o mercado global, agora se vê forçado a buscar novas saídas sob a pressão de problemas internos e da concorrência externa.

Antiga potência: os anos de glória dos semicondutores de potência japoneses

Se retrocedermos vinte anos, estaremos na época de maior brilho dos semicondutores de potência do Japão.

Ao contrário dos chips lógicos ou de memória, que aparecem frequentemente na mídia, os semicondutores de potência são componentes essenciais na civilização industrial, atuando como interruptores de corrente elétrica. Desde motores industriais até sistemas de tração de trens de alta velocidade, passando por condicionadores de ar domésticos e módulos de conversão de energia de veículos elétricos, praticamente tudo que envolve controle e conversão de energia elétrica depende desses componentes.

Para um país insular como o Japão, cuja dependência de importação de energia chega a 90%, esses heróis invisíveis que aumentam significativamente a eficiência energética não só fortalecem a competitividade industrial, mas também possuem uma importância estratégica vital.

Na classificação global de semicondutores de potência de 2021, a Mitsubishi Electric (quarto lugar), Fuji Electric (quinto), Toshiba (sexto), Renesas Electronics (nono) e ROHM (décimo) estavam entre as dez maiores, representando mais de 20% do mercado mundial combinados.

Por trás desses números, está a tecnologia acumulada ao longo de meio século e o domínio da cadeia de suprimentos por parte do Japão. Essas cinco empresas estabeleceram barreiras tecnológicas profundas em componentes essenciais como IGBTs e MOSFETs, conquistando a confiança global de indústrias e fabricantes de automóveis graças ao controle de qualidade preciso e à resposta às demandas de personalização dos clientes.

O governo japonês também tem ambições elevadas: o projeto estratégico de 2024 propõe aumentar a participação global das empresas japonesas de cerca de 20% para 40% até 2030, transformando os semicondutores de potência na nova força motriz da manufatura japonesa. O Ministério da Economia, Comércio e Indústria (METI) vem concedendo subsídios — 70,5 bilhões de ienes para a Fuji Electric e DENSO, e 129,4 bilhões de ienes para a ROHM em parceria com a Toshiba — evidenciando a intenção política.

Porém, enquanto o plano era grandioso, a realidade começou a evoluir na direção oposta a uma velocidade visível a olho nu.

O impacto da China: duplo ataque ao mercado final e à cadeia de suprimentos

A crise dos semicondutores de potência do Japão não pode ser compreendida sem considerar a variável China. Nos últimos cinco anos, a China impactou o Japão de duas formas: pelo desaparecimento do mercado final e pela aceleração na cadeia de suprimentos de chips.

Começando pelo mercado final. Os veículos elétricos representam a aplicação mais importante de semicondutores de potência, especialmente os dispositivos de carbeto de silício (SiC). As empresas japonesas esperavam que a onda de eletrificação global impulsionasse uma demanda explosiva, mas a realidade é que a penetração de veículos elétricos no Japão ainda é inferior a 10%, muito atrás dos mais de 60% na China.

As empresas japonesas, como a ROHM, Mitsubishi Electric e Fuji Electric, que têm forte vínculo com a indústria automotiva japonesa, basearam sua expansão de capacidade de carbeto de silício na premissa de que o setor automobilístico se eletrificaria rapidamente. Quando essa premissa não se concretiza, o retorno do investimento fica indefinidamente atrasado.

Na cadeia de suprimentos, o impacto também é forte.

Primeiro, nos componentes de silício como IGBTs e MOSFETs. O IGBT é um dos componentes mais importantes de semicondutores de potência, fundamental para sistemas de tração de veículos elétricos — motores, controles eletrônicos e gerenciamento de baterias. É também um produto de alta margem, no qual as empresas japonesas há muito se orgulham, com Mitsubishi Electric e Fuji Electric dominando o mercado global de módulos de IGBT.

A explosão do mercado de veículos elétricos e inversores fotovoltaicos mudou radicalmente o cenário competitivo do setor. Empresas chinesas de IGBT, como CRRC Times Electric, StarPower e BYD Semiconductor, cresceram rapidamente, atendendo às demandas desses mercados. Além disso, criaram um modelo de produção integrado — “dispositivo + módulo + sistema completo” — exemplificado pela BYD Semiconductor, que atua em chips de IGBT, módulos de potência e sistemas de acionamento elétrico, alinhando-se às necessidades de sistemas de veículos elétricos.

Por outro lado, as empresas japonesas, dependentes de um mercado industrial de crescimento lento e com uma visão conservadora sobre o mercado de veículos elétricos, atrasaram seus investimentos em expansão. Além disso, custos elevados e uma cadeia de suprimentos conservadora fizeram com que perdessem espaço para os fabricantes chineses.

No caso dos MOSFETs e IGBTs de baixa e média tensão, as empresas chinesas, com melhor controle de custos e maior demanda de mercado, conseguiram substituir os japoneses mais cedo e de forma mais completa, dominando segmentos tradicionalmente considerados de mercado intermediário e de baixa tensão, como a Huawei Microelectronics e Sanan IC, que já possuem mais de 10% de participação global.

Na área de carbeto de silício, a vantagem japonesa tradicional está na fabricação de dispositivos, especialmente os MOSFETs de SiC, com capacidade de integração vertical, como a ROHM, que chegou a representar o padrão mundial mais avançado. Mas a produção de substratos — a base de toda a cadeia — é o ponto mais crítico. Energia elétrica representa de 30% a 40% do custo de produção de substratos de SiC, e a China, com eletricidade de baixo custo, criou uma oportunidade para suas empresas emergirem. Entre 2022 e 2025, empresas como Tianyu Advanced e Tanke Heda conquistaram rapidamente posições de liderança.

Hoje, o mercado global de substratos de SiC foi completamente reconfigurado. Tianyu Advanced detém cerca de 17,3% de participação mundial, enquanto Tanke Heda possui aproximadamente 17,1%, juntas respondendo por mais de um terço do mercado. A capacidade de produção de substratos de 8 polegadas da Tianyu, em Xangai, já alcançou 300 mil unidades por ano, com planos de chegar a 960 mil. A Tanke Heda também possui fábricas em Pequim, Jiangsu e Shenzhen, com uma capacidade de 250 mil unidades apenas na filial de Shenzhen em 2024. Além disso, a Tianyu foi a primeira a atingir produção em massa de substratos de 8 polegadas e lançou substratos de 12 polegadas, aumentando a quantidade de chips por wafer em mais de 40%.

O custo também é um fator decisivo: atualmente, o custo de substratos de SiC na China é cerca de 60% menor do que o importado. Um exemplo: o custo de produção de substratos de 6 polegadas na China é aproximadamente 18 mil ienes (cerca de 120 dólares), enquanto no Japão é cerca de 40 mil ienes (cerca de 270 dólares). Essa disparidade torna qualquer fabricante japonês que dependa de importação de substratos vulnerável a uma concorrência quase insuperável.

Se a China já lidera na produção de substratos, a corrida na fabricação de dispositivos de SiC também está acelerando visivelmente.

A fabricação de dispositivos de SiC exige alta precisão — especialmente nos processos de etching, implantação de íons e oxidação, que têm requisitos de controle de defeitos muito mais rigorosos do que os de silício. Há três anos, a maioria acreditava que a diferença tecnológica entre China, Japão e Europa era de 3 a 5 anos; hoje, com a aceleração do ritmo de avanço, essa lacuna foi reduzida para menos de 3 anos, e em alguns segmentos, até 2 a 3 anos.

Dados indicam que, em 2024, o mercado de dispositivos de SiC na China deve atingir cerca de 20 bilhões de yuans (aproximadamente 3 bilhões de dólares), crescendo 50% ao ano, e deve ultrapassar 40 bilhões de yuans até 2028. A participação de fabricantes chineses no mercado global de dispositivos de SiC passou de 7,1% em 2022 para cerca de 13,4% em 2024.

Para as empresas japonesas, o maior desafio na corrida de SiC não é apenas a competição chinesa na fabricação de dispositivos, mas também o efeito de retroalimentação de seu próprio modelo de negócios verticalmente integrado. O modelo IDM (produção verticalizada), que cobre desde o substrato até o encapsulamento, foi uma vantagem em tempos de alta barreira tecnológica e poucos concorrentes. Mas, com a entrada de empresas chinesas especializadas na divisão de tarefas e com custos mais baixos, os altos custos fixos e de depreciação do IDM se tornaram um peso.

Na previsão de prejuízo de 50 bilhões de ienes da ROHM no exercício fiscal de 2025, apenas a depreciação de equipamentos representou 30 bilhões de ienes — consequência de expansão excessiva e demanda fraca, levando à redução do valor de ativos fixos, com taxa de utilização abaixo de 30%, elevando o custo fixo por wafer e dificultando a obtenção do ponto de equilíbrio.

A Renesas Electronics também enfrenta dificuldades. A empresa pré-pagou 2 bilhões de dólares a fornecedores de substratos de SiC, como a Wolfspeed, mas a falência e reestruturação da Wolfspeed resultou em prejuízo de 175,3 bilhões de ienes no primeiro semestre de 2025, seu maior prejuízo até então.

A Mitsubishi Electric também adiou indefinidamente a ampliação de sua fábrica de wafers de SiC em Kumamoto, e seu ambicioso plano de investir 300 bilhões de ienes em cinco anos foi drasticamente reduzido.

A aposta audaciosa da DENSO: aquisição estratégica ou imposição?

Nesse cenário, a proposta de aquisição da ROHM pela DENSO quebrou o silêncio prolongado. Desde a assinatura de um acordo de cooperação em maio de 2025, passando pelo aumento de participação para cerca de 5% em julho, até a oferta formal de compra em fevereiro de 2026, a DENSO parece não enxergar a ROHM apenas como um investimento financeiro, mas como uma peça-chave na sua transformação em fornecedor de soluções de semicondutores e sistemas.

Para entender a motivação da DENSO, é preciso olhar para o grupo Toyota. O presidente da DENSO, Shinjiro Takagi, anunciou na Japan Mobility Show de 2025 que a empresa lançará, até 2029, um novo computador de bordo equipado com chips de última geração, capazes de suportar ambientes severos. A mensagem subentendida é que a DENSO não quer mais ser apenas uma montadora de componentes, mas controlar toda a cadeia de design, fabricação e integração de semicondutores, tornando-se o núcleo dos chips na estratégia de eletrificação da Toyota.

A ROHM é o melhor alvo para essa ambição. Como uma das poucas empresas que realiza integração vertical de chips de carbeto de silício, ela detém cerca de 14% do mercado global de SiC e possui tecnologia de ponta em MOSFETs de SiC para inversores de veículos elétricos. Ao adquirir a ROHM, a DENSO poderia preencher suas lacunas em chips lógicos e analógicos, criar uma cadeia de suprimentos completa dentro do grupo Toyota e se proteger contra riscos de ruptura na cadeia, como a falência da Wolfspeed.

Porém, o mercado tem uma opinião bastante diferente. Assim que a notícia da aquisição foi divulgada, as ações da DENSO caíram quase 5,6%. Investidores questionam: será que a DENSO, que herdou uma empresa com prejuízo de 12 anos e baixa utilização de capacidade, realmente consegue reverter a situação da ROHM? Além disso, a estrutura de clientes da ROHM, que atende principalmente fornecedores automotivos de primeiro nível, pode ser uma vulnerabilidade: ao ser incorporada à DENSO, outros fornecedores podem migrar para concorrentes sem conflito, levando à perda de clientes.

Outro efeito em cadeia mais complexo é: se a DENSO adquirir a ROHM, como lidar com a relação com a Fuji Electric na parceria de SiC, e como administrar a relação instável entre ROHM e Toshiba? Os 1,3 trilhões de ienes representam uma questão de interesses e concessões difíceis de equilibrar.

SiC e GaN: a batalha da terceira geração de semicondutores

A fusão entre DENSO e ROHM é, na essência, uma reconfiguração no campo da terceira geração de semicondutores. Mas vale notar que o carbeto de silício não é a única fronteira onde o Japão enfrenta desafios chineses na terceira geração; o nitreto de gálio (GaN) também é palco de uma disputa acirrada.

A lógica de competição do GaN difere do SiC. Enquanto o SiC domina aplicações de alta tensão acima de 650V, o GaN é mais adequado para cenários de até 1000V, como carregadores de veículos elétricos e inversores automotivos. Em termos de desempenho, o GaN pode alcançar a mesma performance com um terço do tamanho de um dispositivo de SiC, o que, com a redução contínua de custos, torna sua relação custo-benefício cada vez mais atraente.

Na China, a InnoGaN (InnoGaN Semiconductor) tem se destacado por sua rápida ascensão. Sua vantagem principal é a produção em escala de wafers de GaN de 8 polegadas (GaN-on-Si), uma conquista considerada de alta complexidade. A InnoGaN foi a primeira a alcançar produção em massa de wafers de 8 polegadas, consolidando-se como a única fabricante IDM (Integrated Device Manufacturer) a cobrir toda a faixa de voltagem de 15V a 1200V, com produtos para eletrônicos de consumo, data centers e veículos elétricos.

Por que o Japão ficou para trás no GaN? Entre 2015 e 2018, os principais esforços japoneses focaram em ampliar a capacidade de SiC e proteger suas vantagens em IGBTs e MOSFETs de alta tensão, enquanto o GaN era utilizado principalmente em carregadores rápidos de consumo e estações base de telecomunicações, não alinhados às estratégias automotivas e industriais do Japão.

Essa estratégia, na época, parecia correta, mas o cenário mudou rapidamente. A adoção do GaN se expandiu para fontes de alimentação de data centers, carregadores de veículos, LiDAR e sistemas de energia de alta tensão. Em 2025, a Nvidia anunciou a integração de dispositivos GaN em seus sistemas de energia de 800V, com parcerias envolvendo a InnoGaN, Infineon, Texas Instruments e Navitas, marcando a entrada do GaN na infraestrutura de computação.

O Japão demorou a reagir. Sumitomo Chemical investiu em substratos de GaN, mas sua escala ainda é pequena. ROHM entrou no mercado, mas sua presença é limitada. Mitsubishi Chemical planeja produzir dispositivos de GaN em grande escala, mas a produção em massa ainda está por vir.

Mais importante, a competição no GaN não é apenas tecnológica, mas também de ecossistema: quem tiver a maior cobertura de clientes, a maior escala e a maior variedade de aplicações terá vantagem na próxima fase de expansão do GaN. Nesse aspecto, empresas como a InnoGaN já estão na frente, dificultando que as empresas japonesas possam romper essa hegemonia com produtos isolados.

De uma perspectiva mais ampla, a situação do Japão no terceiro setor de semicondutores é: tecnologia de chips de silício com vantagem de 1 a 2 anos sobre a China, domínio de SiC com vantagem de cerca de 3 anos, e atraso de 2 a 3 anos no GaN. Essas diferenças, que pareciam amplas há alguns anos, estão se tornando frágeis diante da velocidade de avanço das empresas chinesas. Especialistas afirmam que o Japão não tem mais muito tempo para formar uma frente unificada contra a concorrência chinesa; a integração não é mais uma opção, mas uma necessidade.

Quarta geração de semicondutores: a última carta do Japão ou o início de uma nova batalha?

Por outro lado, se considerarmos a trajetória do Japão como uma queda contínua, estaríamos simplificando demais. Enquanto perde terreno na terceira geração, o Japão está silenciosamente investindo na quarta geração de semicondutores.

Essa nova geração inclui materiais como óxido de gálio (Ga₂O₃), diamante, nitreto de alumínio (AlN) e outros com banda proibida ultra larga. Essas tecnologias prometem desempenho superior sob condições extremas: o campo de ruptura do óxido de gálio é mais de três vezes maior que o do SiC, e sua condutividade é cerca de 10 vezes maior; o diamante, por sua vez, possui uma condutividade térmica 13 vezes maior que o silício, sendo considerado o material final para potência.

A tecnologia japonesa já possui avanços nesses materiais. A Novel Crystal Technology, por exemplo, desde 2012 desenvolve substratos de óxido de gálio de 2 e 4 polegadas, com previsão de capacidade de 20 mil unidades anuais em 2025; a Flosfia criou diodos Schottky de óxido de gálio com resistência de condução mínima, já em uso na indústria automotiva. Estimativas indicam que, até 2030, o mercado global de dispositivos de óxido de gálio atingirá cerca de 1,5 bilhão de dólares, representando 40% do mercado de SiC.

O diamante também é uma área de destaque no Japão. Pesquisadores da Universidade de Waseda desenvolveram dispositivos de potência de diamante capazes de conduzir mais de 6,8 amperes. Startups como Power Diamond Systems planejam fornecer amostras em poucos anos. Outra, a Ookuma Diamond Device, incubada pela Universidade de Hokkaido e pelo Instituto de Tecnologia Industrial, está construindo uma fábrica em Fukushima, prevista para começar em 2026, com aplicações em robôs para descontaminação de Fukushima Daiichi, aproveitando a resistência ao radiação do diamante. Em 2025, o Instituto Nacional de Materiais do Japão (NIMS) criou o primeiro MOSFET de diamante com canal n, um avanço importante para a integração de circuitos CMOS de diamante.

A parceria entre a Toyota e a DENSO na MIRISE Technologies, que iniciou em 2023 o desenvolvimento de dispositivos de potência de diamante para veículos elétricos, mostra que, se a DENSO adquirir a ROHM, terá uma linha completa de tecnologias de SiC, diamante, terceira e quarta geração, formando uma estratégia de longo prazo.

Por outro lado, a vantagem inicial do Japão na quarta geração de semicondutores começa a ser ameaçada pela China. Em março de 2025, a Hangzhou GaN Semiconductor anunciou a produção do primeiro cristal de óxido de gálio de 8 polegadas do mundo, marcando a entrada da China na era de wafers de 8 polegadas. Pesquisadores da Universidade de Xi'an, após uma década de esforços, conseguiram produzir em massa cristais de diamante heteroepitaxiais de 2 polegadas, e o Instituto de Materiais do Japão (NIMS) obteve avanços na fabricação de filmes finos de diamante de baixa deformação.

Embora as diferenças ainda existam, elas estão diminuindo rapidamente. A Tianyu Advanced já investe em pesquisa de crescimento de cristais de diamante por MPCVD, enquanto empresas como Huanghe Hydropower também avançam na área. Ainda é cedo para afirmar se a China conseguirá repetir sua virada no campo do SiC na quarta geração, mas as empresas japonesas não podem se dar ao luxo de relaxar.

Da perda de chips lógicos ao impasse dos semicondutores de potência

A situação atual dos semicondutores de potência do Japão lembra uma perda maior ocorrida há trinta anos. No final dos anos 1990, quando a indústria de chips passou de uma integração vertical para uma divisão de tarefas, a TSMC emergiu como líder de foundry, enquanto gigantes como Fujitsu, NEC e Hitachi ficaram para trás, saindo da competição por chips lógicos avançados — uma grande perda para a história japonesa de semicondutores.

A semelhança é preocupante: na época, foi uma mudança de modelo de negócios; hoje, é uma combinação de guerra de preços e competição por escala. Naquele momento, a TSMC reescreveu o cenário da divisão de tarefas; hoje, as empresas chinesas, com custos baixos, velocidade e escala, estão reconfigurando o mercado de semicondutores de potência. Em ambos os momentos, o desafio central do Japão é: como realizar uma consolidação antes que sua vantagem tecnológica seja completamente diluída? Como criar uma força unificada em uma cultura empresarial fragmentada?

A diferença é que os semicondutores de potência têm uma barreira tecnológica mais difícil de superar do que os chips lógicos. Japão ainda possui verdadeiras barreiras em módulos de alta tensão, certificações automotivas e materiais avançados. A Mitsubishi Electric e a Fuji Electric, com forte presença em transporte ferroviário e controle industrial, representam uma base sólida que não pode ser facilmente apagada por uma guerra de preços. Essa é a base de sustentação do setor japonês e a razão pela qual fusões e aquisições ainda fazem sentido.

Epílogo: fusões e aquisições são apenas o começo

Se a DENSO conseguir integrar-se à ROHM, surgirá um verdadeiro gigante de semicondutores de potência no Japão, com uma cadeia de tecnologia completa, capaz de competir com as empresas chinesas.

As negociações entre Mitsubishi Electric e Toshiba representam uma rota alternativa de reestruturação. O sucesso ou fracasso dessas negociações determinará quanto o Japão conseguirá manter sua força coletiva na disputa de longo prazo contra a China e a Europa.

Por trás de toda essa disputa na terceira geração de semicondutores, o campo da quarta geração começa a se aquecer silenciosamente. Materiais como óxido de gálio e diamante ainda estão longe de uma comercialização em larga escala, mas, neste período de maturidade incompleta, quem acumular mais tecnologia primeiro poderá obter uma vantagem de anos. O Japão ainda possui cartas importantes, mas a questão é: conseguirá, por meio de fusões, aproveitar a escala para avançar na transição para a quarta geração?

A indústria japonesa de semicondutores de potência, que caiu de seu pedestal, está agora numa encruzilhada difícil e decisiva. Fusões e aquisições representam uma resposta à pressão, não uma vitória definitiva; a consolidação é necessária, mas não suficiente.

O tempo para o Japão é cada vez mais escasso — mais do que um aviso, parece uma contagem regressiva já em andamento.

Fonte: Observatório da Indústria de Semicondutores

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