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SK Hynix obtuvo en el tercer trimestre de 2025 el mejor resultado trimestral de su historia.
Según la información oficial, los ingresos alcanzaron los 24.4489 billones de wones, el beneficio operativo fue de 11.3834 billones de wones y el beneficio neto, de 12.5975 billones de wones. Es la primera vez que el beneficio operativo trimestral supera los 10 billones de wones. Interanualmente, los ingresos aumentaron un 39%, el beneficio operativo un 62% y el beneficio neto un 119%. Trimestre a trimestre, el crecimiento fue del 10%, el 24% y el 80%, respectivamente. El margen operativo se situó en el 47% y el margen neto, en el 52%.
Tres factores impulsaron este récord:
Liderazgo en HBM: las ventas de HBM3E de 12 capas fueron clave. El fuerte aumento del gasto de los proveedores globales de servicios en la nube en infraestructura de IA impulsó la demanda de memoria de alto valor.
DDR5 para servidores y eSSD: los envíos de módulos DDR5 de alta capacidad, de 128 GB o más, se duplicaron con creces respecto al trimestre anterior. En el segmento NAND, las SSD empresariales para servidores de IA ganaron una cuota importante.
Ciclo de precios: la subida generalizada de los precios de DRAM y NAND se combinó con un mayor volumen de productos prémium.
El balance también mejoró. El efectivo y sus equivalentes aumentaron en 10.9 billones de wones, hasta alcanzar los 27.9 billones de wones. La deuda con intereses ascendió a 24.1 billones de wones, lo que situó a la empresa en una posición de caja neta de 3.8 billones de wones.
Las perspectivas siguen siendo sólidas. El desarrollo de HBM4 se completó en septiembre y ya comenzó la producción en masa. Los envíos comenzarán en el cuarto trimestre, y está previsto alcanzar el volumen máximo de producción el próximo año. La empresa afirmó que ya cerró los acuerdos de suministro de HBM para el próximo año y que ya está asegurada la demanda total de toda la producción de DRAM y NAND del próximo año.
En cuanto a la producción, el plan es acelerar la transición al proceso 1c, la sexta generación de la clase de 10 nm, que ya ha alcanzado estabilidad en la producción en masa, y ofrecer una gama completa para servidores, dispositivos móviles y gráficos. En NAND, se ampliará la producción de TLC y QLC de 321 capas. La fábrica M15X de Cheongju inauguró una nueva sala blanca y ya comenzó la instalación de equipos, por lo que se prevé que el gasto de capital del próximo año aumente respecto a este año.
Desde la perspectiva de los operadores, la demanda está pasando del entrenamiento de IA a la inferencia, lo que distribuye la carga entre los servidores de propósito general. Esto amplía la necesidad de DDR5 de alto rendimiento y eSSD, más allá de HBM. Ante los anuncios de importantes actores del sector de la IA sobre la construcción de grandes centros de datos, se espera que se mantenga un crecimiento equilibrado en toda la cartera de productos de memoria.
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