#闪迪重挫6%存储股收跌 La presión de liberación del sentimiento en el sector de memoria seguirá presente a corto plazo, mientras que el respaldo fundamental de un equilibrio estrecho entre oferta y demanda a medio plazo aún no se ha deteriorado por completo

一、Factores clave de esta ronda de correcciones consecutivas
1. Impacto concentrado de múltiples factores negativos a corto plazo
SanDisk, Micron y otros líderes cayeron en 6 de las últimas 7 sesiones, con como detonantes la corrección pendiente tras el festivo en el mercado surcoreano y la terminación anticipada de un plan de recompra de 40 mil millones de dólares por parte de un gigante, a lo que se sumó la preocupación por la oferta a largo plazo generada por el avance tecnológico de la arquitectura 4F² de 长鑫.
2. Realización concentrada de beneficios acumulados en máximos anteriores
El sector había subido demasiado previamente; SanDisk ha seguido retrocediendo desde el máximo de 52 semanas de 2354 dólares, mientras que el enfriamiento temporal de las expectativas sobre la demanda de memoria para IA llevó a los fondos a vender masivamente en máximos para asegurar beneficios.
3. El mercado anticipa un giro futuro de la oferta y la demanda
Los inversores ya han centrado su atención en 2027-2028 y temen que para entonces la expansión de la capacidad de producción de memoria en China y la puesta en marcha simultánea de nuevas fábricas de obleas en Corea del Sur rompan el actual desequilibrio de oferta insuficiente.

二、Evaluación por fases de la evolución posterior
1. Corto plazo, 1-2 semanas: la liberación del sentimiento aún conserva inercia
El índice KOSPI de Corea del Sur ya se encuentra muy próximo al soporte de la media móvil de 200 días, mientras que los inversores extranjeros acumulan 5 días consecutivos de ventas netas. Es muy probable que el sector prolongue a corto plazo su tendencia de fluctuación y búsqueda de suelo, sin descartarse nuevas caídas.
2. Medio plazo, 3-6 meses: los fundamentales siguen ofreciendo respaldo
TrendForce prevé que la escasez de DRAM se prolongue al menos hasta 2027; la oferta de HBM seguirá tensionada debido a la sólida demanda de servidores de IA, y la sostenibilidad de las subidas de los precios de la memoria será mayor que en los ciclos tradicionales.
3. Largo plazo, 1-2 años: se intensificará la divergencia del sector
Los fabricantes con capacidades propias de investigación y desarrollo de partículas centrales y que entren en segmentos de alto valor añadido relacionados con la IA lograrán una evolución independiente durante la reestructuración del sector, mientras que la elasticidad de los beneficios de los valores dedicados exclusivamente a módulos se reducirá con las fluctuaciones del ciclo.

三、Indicadores clave que habrá que observar
1. Evolución de los precios al contado
Habrá que seguir especialmente las variaciones mensuales de las cotizaciones al contado de DRAM y NAND; si continúa la tendencia alcista de los precios, el actual sentimiento pesimista sobre las valoraciones se recuperará rápidamente.
2. Planes de gasto de capital de los grandes fabricantes
Habrá que prestar atención al ritmo de expansión de la producción de Samsung y SK hynix; si los fabricantes originales controlan activamente la producción, se retrasará el momento del giro de la oferta y la demanda a largo plazo.
3. Avances en la sustitución por producción nacional
La situación de las entregas reales a finales de año de los productos DDR5 basados en la arquitectura 4F² de 长鑫 determinará directamente la dirección de la revisión de las expectativas del mercado sobre la estructura de la oferta.$SNDK