$DRAM continúa atrayendo un fuerte interés del mercado, con una elevada actividad de negociación que pone de manifiesto la creciente atención en todo el sector de la memoria.

Vigilaré de cerca el volumen, la evolución de los precios y el impulso en busca de señales del próximo movimiento importante.

Morgan Stanley: la capacidad de DRAM y NAND de China alcanzará los 50M de obleas para 2028, transformando la oferta mundial

Según Morgan Stanley, los fabricantes de memoria de China —específicamente Changxin y Yangtze Memory— están preparados para alterar fundamentalmente la dinámica de la oferta mundial de semiconductores para 2028. El informe prevé que la capacidad mensual de obleas DRAM de Changxin aumente de 18 millones de unidades en 2025 a 50 millones para 2028, lo que potencialmente le permitiría captar el 15% de los envíos mundiales de bits DRAM y superar a Micron como el tercer mayor proveedor de DRAM.

Aunque la demanda de IA de 2026-2027 y las limitaciones en la producción de HBM podrían absorber la nueva capacidad de China, 2028 marcará un punto de inflexión crítico. A medida que Changxin amplíe su producción y las nuevas fábricas de Yangtze Memory aumenten sus operaciones junto con las ampliaciones de capacidad de los proveedores mundiales existentes, el sector de la memoria podría enfrentarse a importantes presiones entre la oferta y la demanda. Morgan Stanley predice que el mercado podría pasar de un déficit del 15-17% en 2027 a un posible exceso de oferta si el crecimiento de la demanda se modera, transformando fundamentalmente la estructura de beneficios y la disciplina de precios del sector.