Nuestra tecnología de “memoria flash cuántica” inventada en China logra construir con éxito una estructura “unificada” de compuerta, canal y fuente coplanares, observando por primera vez en condiciones de temperatura ambiente un comportamiento de almacenamiento no volátil y claramente distinguible de un solo electrón.

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Noticias de Marte Finance: El equipo de Zhou Peng y Liu Chunsen de la Facultad de Fudan, del Laboratorio Nacional Clave de Integración de Circuitos Integrados y Sistemas y de la Academia de Innovación en Electrónica Micro y Nano, publicó un importante avance en Science (la revista “Science”) en la madrugada del 17 de julio, hora de Pekín. La tecnología que inventaron, “Quantum Flash”, logró construir con éxito una estructura “归壹” (unificación) de electrodos coplanares de “drain-channel-source” (drenaje-canal-fuente), observando por primera vez de forma nítida el comportamiento de almacenamiento no volátil de un solo electrón en un entorno de temperatura ambiente (27℃). Este logro no solo rompe por completo la comprensión tradicional de que el “almacenamiento de un solo electrón” no podía realizarse, sino que también inaugura un nuevo sistema teórico para el almacenamiento cuántico de un solo electrón, y sienta una base teórica clave para la revolución del poder de cómputo en la era de la IA. El estudio eleva la densidad de información del almacenamiento de carga hasta el límite teórico, logrando “un electrón, un bit”, y además aporta una nueva base técnica para el desarrollo de memorias de alta densidad destinadas a las necesidades de la Inteligencia Artificial General (AGI). Actualmente, el equipo ya conectó de manera sistemática toda la cadena, desde materiales de base, innovación de dispositivos hasta integración de chips de alta gama y aplicaciones: “破晓” logra avances en la velocidad de acceso y lectura/escritura, “归壹” resuelve el límite de densidad, y “长缨” completa la verificación de un prototipo de chip compatible con el proceso de silicio CMOS existente. (The Paper News)
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