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La IA reconfigura el ciclo de la DRAM: estalla la HBM, Samsung amplía capacidad y se abre de lleno la era de escasez de chips de memoria hasta 2028
El 15 de julio de 2026, se reveló que Samsung Electronics planea construir una fábrica de DRAM en el Parque de Dispositivos de la zona de Giheung de Gyeonggi-do, con una capacidad mensual de 100.000 obleas de silicio. La inversión total asciende a decenas de miles de millones de wones surcoreanos. La inteligencia artificial está reconfigurando de forma fundamental la estructura de oferta y demanda global de los chips de memoria y la lógica de fijación de precios.
Como componente esencial de la infraestructura de IA, la DRAM (memoria dinámica de acceso aleatorio) está atravesando una reestructuración cíclica impulsada por un cambio brusco en la estructura de la demanda. Esta reestructuración es totalmente distinta a los ciclos de almacenamiento tradicionales: no está impulsada por el ciclo de actualización de dispositivos de consumo, sino por la explosiva demanda de memoria de alto ancho de banda generada por el entrenamiento e inferencia de IA. Comprender la lógica de evolución de este ciclo de DRAM es un referente importante para captar hacia dónde se dirige la industria de semiconductores y los cambios en la infraestructura subyacente del mercado de activos digitales.
El desajuste de oferta y demanda se amplía hasta el máximo de casi 15 años
A julio de 2026, la subida de precios de los chips de memoria globales ya ha entrado en su tercer trimestre consecutivo. En un informe publicado a principios de julio, UBS ajustó significativamente al alza sus previsiones de precios de memoria, estimando que en el tercer trimestre los precios de los contratos DDR aumentarán un 32% intertrimestral, y en el cuarto trimestre un 18% intertrimestral. La firma considera que la tensión en la oferta y la demanda de la industria de DRAM al menos se mantendrá hasta la primera mitad de 2028.
Esta conclusión está respaldada por múltiples conjuntos de datos. Los datos de TrendForce muestran que, en el tercer trimestre de 2026, la situación global de DRAM se mantendrá extremadamente escasa, con precios de los contratos estimados en aumento de entre 13% y 18% intertrimestral. En su informe del 7 de julio, Morgan Stanley ajustó la previsión de aumento del precio medio de contratos mixtos de PC DRAM, del 3%-8% anterior a 15%-20%. Para servidor DRAM, la subida se ajustó a 13%-18%.
La profundidad del desequilibrio de oferta y demanda se acerca a máximos históricos. El análisis de UBS indica que, sin considerar el efecto amortiguador del reabastecimiento de inventarios de los clientes downstream, el desajuste real de oferta y demanda en 2027 se ampliará aún más del -8,1% de 2026 al -13,6%, alcanzando un nivel de desequilibrio raro en los últimos 30 años. Un informe de investigación de Goldman Sachs estima que el desajuste actual de oferta y demanda de memoria global ya alcanza el máximo de casi 15 años. El analista Kim Dong-won, de KB Securities, también prevé que 2027 será el periodo de mayor escasez de suministro en los 70 años de historia de la industria de semiconductores de memorias.
El aumento de precios ya se ha trasladado desde los fabricantes upstream a toda la cadena industrial. Samsung Electronics planea elevar en un 20% intertrimestral el precio medio de venta del DRAM genérico en el tercer trimestre de 2026; el alza de la memoria LPDDR para móviles también supera el 20%. Según informó I Business, ya hay fabricantes de terminales de electrónica de consumo que recibieron una notificación verbal de Samsung sobre el incremento de precios de la DRAM.
HBM se convierte en una variable estructural del ciclo de DRAM
La clave para entender la evolución de este ciclo de DRAM reside en el auge de HBM (memoria de alto ancho de banda). HBM logra un ancho de banda ultra alto mediante el apilamiento vertical de múltiples chips de DRAM, y es una solución de memoria indispensable para las GPU de IA.
La demanda es asombrosamente potente. El presidente de SEMI China, Feng Li, señaló con claridad que el tamaño del mercado de HBM en 2026 se espera que crezca un 58% hasta 54.600 millones de dólares, lo que representa cerca de cuatro décimas del mercado de DRAM. Aunque Samsung, SK hynix y Micron, los tres grandes fabricantes, han desviado el 70% de la nueva capacidad de producción hacia HBM, la brecha total de capacidad sigue siendo de 50% a 60%. Los datos de Omdia muestran que la producción mundial de HBM en 2026 se espera que aumente un 103% interanual, logrando un crecimiento de más del doble.
El “efecto de expulsión” de HBM sobre la capacidad de producción de DRAM es el mecanismo central del desequilibrio de oferta y demanda. Según datos del sector, la proporción de HBM dentro de la capacidad de producción de obleas de DRAM aumentó de 2% en 2020 a una estimación de 25% en 2026. La capacidad consumida por una oblea de HBM es aproximadamente equivalente a la de tres obleas DDR5. El tamaño de un chip HBM es más del doble que el de un chip DRAM convencional; en condiciones de la misma capacidad de almacenamiento, el área de oblea y el espacio de sala limpia que consume HBM son al menos tres veces los de una DRAM convencional.
El efecto directo del sesgo de capacidad es una contracción estructural del suministro de DRAM genérica. KB Securities estima que la proporción de HBM en la producción mundial de obleas de DRAM pasará de 15% en 2026 a 34% en 2027. Esto significa que la mayoría de la nueva capacidad se concentrará en HBM, y la expansión del suministro de DRAM de uso general queda, en la práctica, efectivamente limitada.
Los servidores de IA se han convertido en el mayor mercado de aplicaciones para DRAM, y la demanda de servidores ha superado el 50% de la demanda total de DRAM. El consumo de DRAM por servidor de IA equivale a 8 a 10 veces el de un servidor convencional. La cantidad media de DRAM instalada por servidor se espera que pase de 1.032 GB en 2025 a 1.432 GB en 2026, un incremento de aproximadamente 39%. TrendForce estima que en 2026, aproximadamente el 70% de la capacidad global de memoria de gama alta fluirá hacia centros de datos de IA.
Carrera de capacidad y juego de participación de los tres gigantes
En el nuevo ciclo impulsado por HBM, las decisiones estratégicas de SK hynix, Samsung Electronics y Micron están reconfigurando el panorama de la industria.
SK hynix es el líder absoluto en el mercado de HBM. Los datos de Counterpoint Research muestran que, en el primer trimestre de 2026, medido por ingresos, SK hynix ocupa el primer lugar con una cuota del 58% en el mercado global de HBM; Samsung Electronics y Micron tienen 21% cada uno. Las previsiones de analistas indican que los ingresos de HBM de SK hynix en 2026 podrían alcanzar 5.950 millones de dólares. La capacidad de producción total de HBM de la empresa durante todo 2026 ya está completamente reservada mediante acuerdos a largo plazo con empresas de la nube.
Pero la ventaja de liderazgo enfrenta desafíos. Un informe del 13 de julio de Korea Investment & Securities pronosticó que los ingresos de SK hynix en el segundo trimestre serían 80,9 miles de millones de wones coreanos (un aumento interanual de 264%), y el beneficio operativo 60,4 miles de millones de wones (un aumento interanual de 556%), aunque alrededor de un 8% por debajo de los 65 miles de millones de wones del consenso del mercado. La razón principal es que la cuota de ventas de HBM es más alta que la de los competidores, lo que hace que el crecimiento del precio medio sea inferior al promedio del mercado. Los analistas prevén que, a partir de la producción masiva completa de HBM4 desde el tercer trimestre, el crecimiento del precio medio volverá a alinearse con el promedio del mercado.
Samsung Electronics está redoblando esfuerzos por ponerse al día. La empresa planea invertir más de 11 billones de wones surcoreanos (aprox. 7.330 millones de dólares) en inversión de equipos y I+D en 2026, alrededor de un 22% más que el año anterior. Las últimas noticias del 15 de julio muestran que Samsung planea construir una fábrica de DRAM en la zona de Giheung, con una capacidad mensual de 100.000 obleas, que como muy pronto podría comenzar a operar en el tercer trimestre de 2026.
En el producto HBM4, Samsung ya logró el primer envío de producción masiva a nivel mundial. En un informe de junio, TrendForce señaló que el progreso de validación de los tres principales fabricantes de HBM4 mostró diferencias significativas, y Samsung se ubicó como líder durante la validación. Samsung espera que los ingresos por ventas de HBM en 2026 aumenten más del triple frente al año anterior.
Micron tiene la menor capacidad de HBM entre las tres, pero el impulso de crecimiento es el más rápido. En el tercer trimestre fiscal de 2026 (a mayo), la compañía registró ingresos de 41.460 millones de dólares, con un salto interanual de 346%. Los ingresos aportados por el negocio de DRAM fueron 31.300 millones de dólares, el 76% del total. El margen bruto alcanzó 84,9%, superando a Nvidia.
Lo más llamativo para el mercado es la guía del cuarto trimestre fiscal: se espera que los ingresos sean de alrededor de 50.000 millones de dólares, el margen bruto de aproximadamente 86% y las ganancias por acción de alrededor de 31 dólares. La capacidad total de HBM de Micron para todo el año 2026 ya está agotada bajo contratos con precio fijo. El plan de inversión en equipos crecerá significativamente más de 90% frente al año anterior.
De ciclo a estructura: cambio del marco de largo plazo de la DRAM
La diferencia más esencial entre esta coyuntura de DRAM y todos los ciclos anteriores radica en la transformación estructural del motor.
IDC prevé que los ingresos del mercado global de DRAM en 2026 alcancen 418,6 miles de millones de dólares, con un crecimiento del 177%. Los ingresos del mercado NAND llegarán a 174,1 miles de millones de dólares, con un crecimiento del 138,5%. La producción total anual del sector de almacenamiento superará los 550.000 millones de dólares; el almacenamiento para servidores sustituirá al de teléfonos y se convertirá en el escenario de demanda número uno. UBS considera que el aumento de precios impulsará que la industria de memorias alcance 992.000 millones de dólares de ingresos en 2026.
Este crecimiento no es simplemente una recuperación cíclica. IDC deja claro que no es otra fase alcista dentro de un ciclo tradicional de subidas y bajadas de memorias, sino una transformación estructural de la industria. Los grandes clientes de centros de datos a escala compran un tipo de chip de almacenamiento completamente diferente, más caro, y están dispuestos a pagar una prima para garantizar el suministro.
La restricción del lado de la oferta también tiene características estructurales. Tras las pérdidas profundas en 2025, los fabricantes adoptaron en general una estrategia de limitar producción para sostener precios. El desarrollo de procesos avanzados de semiconductores y el ciclo de construcción de fábricas de obleas es largo; además, existen múltiples barreras como talento, energía y aprobaciones, lo que impide que la nueva capacidad se materialice rápidamente. Un directivo de Micron sostiene que la situación de tensión de oferta de la industria se mantendrá después de 2027, y que recién en 2028 empezará a mejorar gradualmente por el lado de la oferta.
La popularización de los acuerdos a largo plazo (LTA) está cambiando la fijación de precios y el modelo de rentabilidad de la industria. SK hynix, Samsung y Micron aseguran volúmenes y precios futuros durante 1 a 2 años con sus principales clientes, como Nvidia, mediante acuerdos de suministro a largo plazo. Micron ya ha firmado 16 acuerdos de suministro a largo plazo que cubren centros de datos, electrónica de consumo y el sector automotriz; solo los ingresos mínimos garantizados por los acuerdos ya firmados ascienden a 100.000 millones de dólares. Korea Investment & Securities señala que, a medida que la industria de memorias se traslada a una estructura de acuerdos a largo plazo de 3 a 5 años, el valor de las empresas depende de cuánto tiempo pueda sostenerse una alta capacidad de generar ganancias, y no de la tasa de crecimiento del precio promedio a nivel trimestral.
Conclusión
La demanda de servidores de IA está empujando la industria de DRAM hacia un ciclo nuevo y sin precedentes. La característica central de este ciclo no es simplemente una subida de precios, sino una reestructuración sistémica de la demanda, la asignación de capacidad, el modelo de fijación de precios y el panorama de la industria.
El auge de HBM cambia la matriz de productos de DRAM; la inclinación de capacidad de los tres gigantes causa una escasez estructural de DRAM genérica; y la expansión de los acuerdos a largo plazo está suavizando la volatilidad cíclica de la industria. UBS estima que la tensión entre oferta y demanda de DRAM al menos se mantendrá hasta la primera mitad de 2028, y KB Securities predice que 2027 será el periodo más escaso en la historia de 70 años del sector; estas valoraciones apuntan a una misma conclusión: la duración y la intensidad de este ciclo de DRAM podrían estar muy por encima de las expectativas iniciales del mercado.
Para los inversores, entender la transición de la DRAM de “producto cíclico” a “activo estratégico” quizá tenga más valor a largo plazo que intentar predecir el aumento del precio del próximo trimestre. Cuando los chips de memoria se convierten en infraestructura central de la era de la IA, la lógica de oferta y demanda y la distribución del poder de fijación de precios influirán profundamente en toda la cadena de la industria tecnológica, desde semiconductores hasta activos digitales.
FAQ
P: ¿Cuánta más demanda de DRAM tiene un servidor de IA que un servidor normal?
La DRAM consumida por un servidor de IA equivale a 8 a 10 veces la de un servidor normal. La cantidad media de DRAM instalada por servidor se espera que pase de 1.032 GB en 2025 a 1.432 GB en 2026. La inferencia de grandes modelos y la escalización del tamaño de los agentes de IA impulsarán aún más un crecimiento acelerado de la demanda de almacenamiento.
P: ¿Qué diferencias hay en el costo de producción entre HBM y DRAM tradicional?
HBM se fabrica apilando verticalmente varios chips de DRAM. El tamaño de un chip es más del doble que el de una DRAM convencional; con la misma capacidad de almacenamiento, el área de obleas y el espacio de sala limpia consumidos son al menos tres veces los de la DRAM convencional. La capacidad consumida por una oblea de HBM equivale aproximadamente a tres obleas DDR5. El alto costo de producción también se corresponde con altos márgenes brutos: el margen bruto de HBM de un solo chip es del 60%-70%, es 4 veces el de la DRAM convencional.
P: ¿Cuándo se espera que se alivie la tensión de oferta y demanda de DRAM?
UBS cree que la tensión de oferta y demanda en la industria de DRAM se mantendrá al menos hasta la primera mitad de 2028. KB Securities predice que el déficit de suministro probablemente continuará hasta al menos 2028. Un directivo de Micron considera que el escenario de tensión de oferta se mantendrá después de 2027, y que recién en 2028 habrá una mejora gradual en el lado de la oferta. La principal diferencia entre las tres instituciones no es “si habrá escasez”, sino “cuánto tiempo durará”.
P: ¿Cómo es la distribución de cuotas en el mercado de HBM entre los tres grandes?
En el primer trimestre de 2026, SK hynix lidera con una cuota de ingresos del 58%, mientras que Samsung Electronics y Micron tienen 21% cada uno. Para todo el año, las previsiones de analistas en términos de participación de envíos sitúan a SK hynix en ~52%, Samsung en ~39% y Micron en ~8%. En el campo de HBM4, Counterpoint Research estima que la participación de SK hynix en 2026 será de ~54%, la de Samsung de ~28% y la de Micron de ~18%. Samsung se encuentra en una posición líder en el progreso de validación de HBM4.
P: ¿Qué impacto tiene el aumento de precios de DRAM en los precios de las terminales de electrónica de consumo?
El aumento de precios de la DRAM ya se trasladó desde los fabricantes upstream a las terminales de electrónica de consumo. Según análisis de la industria, las marcas de PC y teléfonos inteligentes ajustarán gradualmente los precios de sus productos entre 15% y 20%. En mercados de distribución como Huaqiangbei ha aparecido el fenómeno de “tres precios en un día”; los distribuidores sugieren pausar la compra si no es una necesidad urgente. Los fabricantes de automóviles también han empezado a reevaluar algunas configuraciones de funciones de conducción inteligente para controlar los costos de componentes.