Noticias de Coin World: Anfu Technology indicó en una plataforma de interacción que Suzhou Yixianwei, con base en la plataforma de tecnología de película delgada de niobato de litio con integración heterogénea de silicio-fotónica, ya ha lanzado con éxito un chip óptico de un solo modo de 400 Gbps para módulos ópticos de centros de datos de 3,2 T, apuntando directamente a la necesidad de interconexión óptica a tasas aún más altas para la próxima generación.

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PhishHunter
· hace2h
Ver estas palabras sobre integración heterogénea de silicio-fotónica me da energía; en China hay pocos equipos capaces de hacer esto, y Anfu dio este paso con mucha antelación
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DigitalSacredFire
· hace2h
El niobato de litio en película delgada finalmente salió del laboratorio: un solo canal de 400 Gbps. Los principales componentes para la próxima generación de interconexión óptica dependen de este tipo de avances; esperamos que haya progreso en la producción en masa.
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MintpassHunter
· hace2h
Silicio fotónico + niobato de litio en lámina delgada: esta ruta tecnológica está muy bien elegida. Módulos de 3,2 T con 400G por onda; la sustitución por productos nacionales avanza aún más.
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