El punto crítico del módulo óptico está atascado.

Con el auge de la demanda de módulos ópticos de 800G/1,6T en la construcción de capacidad de cómputo de IA, el fosfuro de indio (InP), un semiconductor compuesto utilizado como sustrato central para la fabricación de chips ópticos, está pasando de ser un material de nicho en un campo especializado a un recurso estratégico para toda la economía digital.

El fosfuro de indio es actualmente el único semiconductor que cumple simultáneamente cuatro condiciones: banda prohibida directa (alta eficiencia de conversión electro-óptica), coincidencia precisa de longitud de onda (1310/1550 nm, en la ventana dorada de menor pérdida de fibra óptica), movilidad de electrones ultraalta (admite señales superiores a 100 GHz) y coincidencia natural de red cristalina con materiales epitaxiales (permite integrar láseres, moduladores y detectores en el mismo sustrato).

Esto hace que el InP sea difícil de reemplazar en las comunicaciones ópticas. Este semiconductor compuesto, que alguna vez fue considerado un material de nicho, está pasando del anonimato al primer plano. Desde la duplicación de precios hasta el auge de la capacidad de producción, desde los miles de millones de dólares que NVIDIA adelantó para asegurar capacidad hasta los avances de las empresas nacionales en la nacionalización de toda la cadena de 6 pulgadas, la industria del InP está acelerando su expansión.

01 Oferta insuficiente, precios disparados

El InP se utiliza ampliamente en láseres DFB, láseres EML y fotodetectores, siendo un material esencial para los módulos ópticos de 800G/1,6T e incluso la próxima generación de 3,2T. Según datos, se espera que la demanda global de sustratos de InP en 2026 alcance entre 2,6 y 3 millones de unidades, mientras que la capacidad efectiva conforme es de solo unas 750 000 unidades, con una brecha de oferta y demanda superior al 70%.

Este desequilibrio se refleja directamente en los precios.

A abril de 2026, el sustrato de InP de 2 pulgadas para comunicaciones ópticas pasó de 800 USD por unidad a principios de 2025 a 2300-2500 USD por unidad, un aumento de casi el doble; el sustrato de 6 pulgadas de gama alta subió de 1400 USD por unidad a 5000 USD por unidad, un incremento superior al 250%.

La razón fundamental del aumento vertiginoso de precios es el largo ciclo de expansión de la cadena productiva. Desde la construcción de hornos de crecimiento de cristales hasta la certificación del cliente, todo el ciclo de expansión dura entre 18 y 24 meses, sumado a la dependencia de equipos clave importados del extranjero, lo que hace que la liberación de capacidad no pueda seguir el ritmo de la curva de demanda, que se dispara abruptamente.

Además de la demanda, el aumento del precio de los sustratos de InP también está relacionado con las materias primas.

La materia prima principal del InP es el indio, un metal raro. Según los datos más recientes de la Bolsa de Metales de China (al 6 de julio), el precio del indio metálico ha alcanzado los 5560 yuanes por kilogramo, duplicándose con respecto a principios de 2025 y marcando un máximo en casi una década.

El indio rara vez forma yacimientos independientes en la naturaleza; la mayoría se extrae como subproducto de la fundición de otros metales, lo que limita de forma natural la elasticidad de la oferta. Según cálculos de Shenwan Hongyuan, en 2027 el sector del InP impulsará una demanda de indio del 6,77%, un porcentaje aparentemente bajo, pero suficiente para provocar fluctuaciones bruscas de precios. La curva de costos de los sustratos de InP está firmemente anclada en niveles altos, y el margen para una caída de precios es limitado.

Más crítico aún: la cadena de suministro global de InP está empezando a romperse.

En enero de 2026, el Ministerio de Comercio de China emitió un anuncio prohibiendo por completo la exportación de artículos de doble uso (incluidos InP, indio, galio, germanio) a usuarios y fines militares japoneses, mientras que las exportaciones civiles requieren una licencia estricta y una revisión del usuario final. La retroalimentación del mercado muestra que la tasa de rechazo de las solicitudes de sustratos de InP de producción china por parte de empresas japonesas y estadounidenses supera el 80%. Y ya en enero de 2025, el Departamento de Comercio de EE.UU. había iniciado una investigación antidumping y antisubvenciones sobre los materiales de ánodo activo chinos.

Aunque aún no se han impuesto aranceles adicionales específicos sobre el InP, el efecto acumulativo de las políticas de control de exportaciones es evidente. La UE, en el marco de la Ley de Materias Primas Críticas, ha presentado enmiendas para reducir la dependencia excesiva de un solo país (especialmente China) e incluir requisitos de contenido reciclado en las normas obligatorias.

Esto significa que, en el futuro, el uso de indio de producción china no solo enfrentará mayores costos de cumplimiento e incertidumbre por los controles de exportación, sino que también podría ser excluido de algunas cadenas de suministro de alta gama. Todo esto está afectando el ritmo de suministro y expansión del InP a nivel global.

02 Los gigantes下游 empiezan a asegurar capacidad

A medida que el suministro de InP se convierte en un cuello de botella para toda la infraestructura de cómputo de IA, los gigantes下游 también están rompiendo los límites tradicionales de la cadena de suministro e inyectando capital aguas arriba.

Ya en marzo de 2026, NVIDIA anunció que invertiría 2000 millones de dólares en fondos industriales en Coherent y otro fabricante de fotónica, acompañados de acuerdos de compra a largo plazo, para asegurar una capacidad estable de chips ópticos de InP durante los próximos años.

El CEO de Lumentum reveló que la producción de láseres EML se ha multiplicado por 8 en los últimos tres años, pero los envíos siguen siendo un 25-30% inferiores a la demanda del mercado. En junio de 2026, Jensen Huang asistió personalmente a la ceremonia de colocación de la primera piedra del primer proyecto de expansión de una fábrica de obleas de InP de 6 pulgadas de Coherent. La intención de NVIDIA es muy clara: en la carrera armamentista de IA, la capacidad de InP aguas arriba se ha convertido en una restricción dura para las interconexiones ópticas; no asegurar la capacidad significa no poder garantizar la entrega de sus propios servidores de IA. Este modelo de "inversión directa de gigantes" está remodelando las relaciones tradicionales de la cadena de suministro, convirtiendo el InP de un material genérico en un recurso estratégico vinculado. Al mismo tiempo, da a los actores下游 la determinación para expandir la producción a gran escala.

En el frente nacional, Huawei, a través de su subsidiaria Hubble Technology, invirtió en 2020 en XinYao Semiconductor, una subsidiaria controlada por Yunnan Germanium, adquiriendo una participación del 23,91% y convirtiéndose en el segundo mayor accionista.

Esta inversión no solo proporcionó apoyo financiero, sino que también acordó contractualmente que XinYao Semiconductor daría prioridad al suministro de sustratos de arseniuro de galio (GaAs) e InP a las partes relacionadas de Huawei. La cooperación se centra en materiales centrales como los sustratos de InP, y los productos de XinYao Semiconductor han pasado las pruebas de verificación de HiSilicon de Huawei y se han aplicado en campos como 5G y centros de datos. En 2025, Huawei aseguró un pedido de 80 000 obleas de InP de XinYao Semiconductor (53% de su capacidad), con un pago anticipado del 40% (frente a la práctica habitual del <20%). Esta inversión no solo brindó apoyo financiero, sino que también garantizó el suministro prioritario mediante acuerdos contractuales, profundizando los lazos de interés entre ambas partes.

03 Empresas globales comienzan a expandir producción

Ante la brecha histórica, los principales fabricantes mundiales están lanzando agresivos planes de expansión.

En el extranjero, los gigantes tradicionales están acelerando su posicionamiento. AXT de EE.UU. planea expandir 200 hornos de cristal simple de 4 pulgadas, con un objetivo de capacidad de 50 000 obleas por mes en 2026, y planea cuadruplicar la capacidad total para finales de 2027; Sumitomo Electric planea invertir aproximadamente 18 mil millones de yenes, con el objetivo de aumentar la capacidad de sustratos de InP a 3,1 veces la del año fiscal 2024 para el año fiscal 2028; Lumentum espera que para finales del año fiscal 2026, la capacidad de EML haya crecido más del 50% en comparación con 2025, después de haber avanzado aproximadamente el 40% de su plan de expansión de InP; Coherent está expandiendo su capacidad de obleas de InP de 6 pulgadas en Sherman, Texas, EE.UU., y espera alcanzar el objetivo de duplicar la capacidad para finales de 2026 un trimestre antes, y volver a duplicarla para finales de 2027.

La expansión de las empresas nacionales también es rápida.

Yunnan Germanium (a través de su subsidiaria XinYao Semiconductor) es el líder absoluto, con una capacidad existente de 150 000 obleas por año (en equivalente de 4 pulgadas). En abril de 2026, inició un proyecto de expansión con una inversión total de 189 millones de yuanes, añadiendo una línea de producción de 300 000 obleas por año (en equivalente de 4 pulgadas, incluidas 6000 de 6 pulgadas), lo que elevará la capacidad total a 450 000 obleas por año.

Youyan New Materials tiene una capacidad existente de InP de 150 000 obleas por año (cubriendo todos los tamaños de 2 a 6 pulgadas). Los productos de 6 pulgadas han superado los desafíos técnicos y han logrado suministros en lotes pequeños, con un rendimiento en mejora continua. Planea agregar 250 000 obleas por año de capacidad de InP, con una entrada en producción prevista para la segunda mitad de 2027, con un objetivo de capacidad total de 400 000 obleas por año.

XianDao Microelectronics planea una inversión en activos fijos de 1700 millones de yuanes para actualizar y expandir las líneas de producción en sus instalaciones existentes, introduciendo equipos centrales de producción como crecimiento de cristales de alta gama, pulido de precisión y detección de defectos, centrándose en sustratos de cristal simple de GaAs e InP de 4 a 6 pulgadas de alta gama. Una vez completado el proyecto, se formará una capacidad de producción anual de 3 millones de sustratos de GaAs y 3 millones de sustratos de InP, sumando 6 millones de sustratos semiconductores de alta gama al año. El período de construcción es de agosto de 2026 a agosto de 2029.

PingRui JingXin de Guangdong tiene un parque industrial de semiconductores con una inversión total de 1100 millones de yuanes. Una vez completado, se espera que tenga una capacidad de producción anual de 300 000 sustratos de cristal simple de InP y unos ingresos anuales totales por ventas superiores a 600 millones de yuanes.

Además, Sanan Optoelectronics en su base de Wuhan tiene la primera línea de producción en masa nacional de epitaxia de InP de 6 pulgadas, que ya ha expandido la epitaxia del proceso central a 6000 obleas por mes. XianRui Technology ya ha iniciado un proyecto de expansión de 40 toneladas anuales de cristales de InP, que obtuvo la aprobación de evaluación ambiental el 18 de marzo de 2026 (N.º de aprobación: Qing Gao Shen Pi Huan [2026] No. 3), y solo queda el último paso para su puesta en producción.

DingTai XinYuan está expandiendo activamente su capacidad de sustratos de InP, aunque el momento de la expansión y la entrada en producción aún son inciertos. Sin embargo, la expansión no es algo que se logre de la noche a la mañana. El largo ciclo de construcción de líneas de producción, los plazos de entrega de equipos clave como MOCVD, que pueden alcanzar de 12 a 24 meses, y el ciclo de certificación del cliente, que generalmente requiere de 1 a 2 años, determinan que la situación de oferta y demanda ajustada continuará al menos hasta 2028.

El auge también ha atraído a actores de otros sectores.

El 21 de junio de 2026, Xingye Technology, dedicada principalmente al cuero bovino natural, anunció que adquiriría el negocio de sustratos de InP y materiales electrónicos semiconductores de Qingdao LiAng JingDian por 55 millones de yuanes en efectivo, abarcando todos los activos, equipos de negocio, patentes, marcas comerciales y know-how.

Suqian Liansheng anunció en junio de 2026 su incursión en el sector de sustratos de InP, planeando formar una empresa conjunta con una inversión inicial de 100 millones de yuanes para construir una línea de producción de 120 000 obleas de 4 a 6 pulgadas anuales, que se ampliaría a 400 000 obleas por año en una segunda fase.

04 Avances tecnológicos nacionales en InP

Además de la expansión de la capacidad, los avances sistemáticos en la tecnología nacional de InP también merecen atención.

La nacionalización de toda la cadena de 6 pulgadas es el logro más emblemático.

En agosto de 2025, el Laboratorio Jiufengshan, en colaboración con Yunnan XinYao, utilizando equipos MOCVD nacionales y tecnología de sustratos de InP, superó el problema de control de uniformidad epitaxial en grandes dimensiones y desarrolló por primera vez un proceso de crecimiento epitaxial para detectores de estructura PIN basados en InP de 6 pulgadas y láseres de estructura FP, con indicadores clave de rendimiento que alcanzan el nivel líder internacional.

Este resultado también marca la primera vez en China que se logra una aplicación sinérgica nacionalizada desde equipos centrales hasta materiales clave en el campo de la preparación de materiales de InP de gran tamaño, proporcionando un soporte importante para el desarrollo industrial de dispositivos optoelectrónicos.

Innovación en el proceso de crecimiento de cristales: las empresas nacionales están pasando del método tradicional LEC (Czochralski con encapsulamiento líquido) al VGF (método de gradiente vertical de solidificación). El método principal anterior en China para la preparación de InP presentaba dificultades en el proceso de crecimiento, alta densidad de dislocaciones y propensión a la formación de maclas.

Huaxin JingDian utiliza el método VGF para preparar cristales simples de InP, con mayor calidad y estabilidad del producto. XianDao Microelectronics ha desarrollado de forma independiente la tecnología de crecimiento de cristales simples de InP por VGF, combinada con técnicas clave de pulido de obleas con bajo daño y limpieza superficial ultra limpia, logrando producir sustratos de InP de 6 pulgadas con baja densidad de dislocaciones, propiedades eléctricas estables, alta planicidad y superficies limpias.

La integración heterogénea también avanza en paralelo. La integración híbrida/heterogénea de InP con silicio fotónico (SiPh) es la dirección tecnológica principal en el campo de las comunicaciones ópticas.

InP se encarga de proporcionar la fuente de luz (láseres, amplificadores), mientras que el silicio maneja las guías de onda pasivas y las interconexiones eléctricas, logrando la integración optoelectrónica mediante unión de obleas, microtransferencia o integración híbrida 3D. Los módulos transceptores ópticos comerciales de Intel y Cisco utilizan tecnología de integración heterogénea; en China, el Laboratorio Jiufengshan y la Universidad Sun Yat-sen también han logrado la integración heterogénea de láseres de InP en obleas de silicio, demostrando la viabilidad de la producción en masa a gran escala.

05 Conclusión

Al mirar atrás desde mediados de 2026, la explosión del InP no es una simple escasez cíclica, sino una colisión violenta entre la revolución de la potencia de cómputo de IA y la cadena de suministro de materiales semiconductores.

Justo a principios de julio, He Tingbo de Huawei publicó la versión V2 de la "Teoría de escalado temporal de sistemas multicapa". La Ley Tao 2.0 define τ (constante de tiempo) como una variable compuesta jerárquica que atraviesa los cuatro niveles de dispositivos, circuitos, chips y sistemas, cuyo valor está determinado conjuntamente por los parámetros de hardware subyacentes, la arquitectura del nivel y la sobrecarga de comunicación.

Si el plegado lógico (Logic Folding) es un atajo para las señales en el nivel de circuito y una compresión de la latencia de interconexión mediante apilamiento 3D en el nivel de chip, entonces la optimización de τ a nivel de sistema apunta a un hecho aún más cruel: en grandes clústeres de IA, más del 80% del consumo de energía se gasta en el movimiento de datos; más del 70% del costo del sistema se asigna al almacenamiento de datos. Su corolario directo es que reducir el tiempo de transmisión de datos entre chips, racks y dentro del encapsulado es tan importante como acortar el tiempo de cálculo en sí.

Aquí radica la importancia estratégica del InP. El Hi-ONE (High-density Optical Interconnect Node Engine) y el bus de memoria semántica unificada (Lingqu Bus) que Huawei despliega a nivel de sistema tienen como objetivo impulsar el ancho de banda de interconexión óptica entre racks a 8 Tb/s por vía y comprimir la distancia de transmisión SerDes de 100 cm a 5 cm. Y toda esta compresión de τ a nivel de sistema se basa en chips ópticos de InP.

Fuente: Semiconductor Zongheng

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