Interpretación de Bernstein: la memoria sigue subiendo, pero los teléfonos móviles y las PC ya no pueden soportarlo.

TL;DR
· El seguimiento de Bernstein de junio muestra que los precios de contrato de DRAM convencionales en 2QCY26 subieron aproximadamente un 74% trimestralmente, y los de NAND alrededor de un 60%.
· TrendForce estima públicamente que los DRAM genéricos en 3Q26 subirán un 13%-18% y los NAND Flash un 10%-15%.
· Samsung, SK Hynix y Micron aún se benefician, pero los límites superiores de LTA, la reducción de producción de teléfonos y la competencia de NAND comprimirán la realización de los aumentos.

El último seguimiento de memoria de Bernstein de junio sitúa el aumento de precios de la memoria en un nivel muy alto. Su muestra ponderada muestra que los precios de contrato de DRAM convencionales en 2QCY26 subieron aproximadamente un 74% respecto al primer trimestre, y los precios totales de contrato de NAND subieron aproximadamente un 60%.

Estas cifras tienen un significado directo para los inversores: el aumento de los precios de la memoria elevará las expectativas de ingresos y ganancias de fabricantes como Samsung Electronics, SK Hynix, Micron y SanDisk, y también aumentará los costos de adquisición de los fabricantes de PC, teléfonos y servidores. En los últimos meses, la demanda de servidores de IA y proveedores de nube ha elevado los precios de la memoria, pero la electrónica de consumo común ya está comenzando a mostrar un efecto contrario: los fabricantes de teléfonos reducen la producción y bajan las configuraciones, y los segmentos de PC y consumo tienen más dificultades para absorber los aumentos continuos.

Es necesario distinguir que el seguimiento de junio de Bernstein corresponde a una muestra del informe, no al valor oficial final publicado por TrendForce. En marzo, TrendForce pronosticó públicamente que los precios de contrato de DRAM genéricos en 2Q26 aumentarían un 58%-63% trimestralmente, y los de NAND Flash un 70%-75%. Para el 3 de julio, la estimación pública de TrendForce para 3Q26 es un aumento trimestral del 13%-18% para DRAM genéricos y del 10%-15% para NAND Flash.

Es decir, los precios de la memoria siguen subiendo y la escasez de servidores no ha terminado, pero la fase más pronunciada de aumentos probablemente ya haya pasado.

Muestra de DRAM del segundo trimestre sube un 74%; DDR5 para servidores sigue siendo la demanda más fuerte

Los precios de DRAM siguen siendo fuertes, con el soporte proveniente de los servidores.

El seguimiento de junio de Bernstein muestra que los precios spot continuaron el rebote de mayo. Los chips de PC DRAM DDR4 y DDR5 subieron entre un 5.6% y un 11.5% mensual, y los módulos de servidor DRAM subieron entre un 6.1% y un 26.4%, con DDR5 mostrando un rendimiento particularmente fuerte. Más importante aún, los precios spot siguen siendo significativamente más altos que los de contrato; si el comprador no asegura el suministro a través de acuerdos a largo plazo, el costo de adquirir en el mercado spot sigue siendo mayor.

Los desgloses de los aumentos de precios de contrato de DRAM convencionales en el segundo trimestre muestran que los incrementos no se limitan a una sola categoría. PC DRAM subió aproximadamente un 49% trimestral, servidor DRAM alrededor del 67%, DRAM móvil aproximadamente un 80% y DRAM de consumo alrededor del 85%. Entre estos, el segmento de servidores es el más significativo, ya que está directamente relacionado con el gasto de capital de centros de datos de IA y proveedores de nube, y respalda mejor las expectativas de ganancias de los fabricantes de memoria.

Resumen de precios spot y de contrato de DRAM; media ponderada de la muestra de DRAM convencionales en 2QCY26 QoQ+73.9%, módulos de servidor DDR5 spot MoM+26.4%.

Los proveedores de nube estadounidenses siguen obteniendo suministro prioritario. El informe menciona que SK Hynix y Micron ya negociaron en abril la mayoría de los acuerdos a largo plazo relevantes, mientras que Samsung sigue impulsando precios más altos. El límite superior de precio del acuerdo a largo plazo de Micron se acerca a su nivel del segundo trimestre; los límites de Samsung y SK Hynix podrían ser más altos. Las negociaciones de los proveedores de nube chinos se extienden hasta el tercer trimestre, con términos relativamente menos favorables.

Esta es también la razón por la cual el aumento de los precios de contrato se desacelerará, pero a corto plazo no equivale a una reversión a la baja. La demanda de servidores sigue absorbiendo la nueva oferta, especialmente DDR5 y módulos de servidor de alta gama, que siguen siendo la parte más fuerte de todo el mercado de DRAM.

Comparación de precios spot y de contrato de RDIMM DDR5 para servidores; los precios spot son mucho más altos que los de contrato, el precio de contrato de junio subió un 9.1% mensual, y la prima de DDR5 sobre DDR4 se amplió al 22%.

NAND también sube, pero el lado de obleas ya se ha debilitado

En apariencia, NAND también está en un gran ciclo alcista, pero su estructura es más compleja que la de DRAM.

La muestra de Bernstein muestra que en junio, los precios spot de obleas de NAND cayeron entre un 3% y un 4% mensual, y los precios de contrato de obleas solo subieron ligeramente entre un 0.3% y un 3.7%. Mirando solo las obleas, los precios ya se han debilitado notablemente respecto al período anterior. Sin embargo, se espera que los precios de contrato de NAND móvil y SSD aumenten fuertemente entre un 70% y un 80%, impulsando el precio total de contrato de NAND en el segundo trimestre a un aumento de aproximadamente el 60%.

No todos los eslabones de NAND están subiendo por igual. El lado de obleas ya muestra signos de fatiga, mientras que la demanda de productos finales y de nivel empresarial sigue sosteniendo el precio promedio general.

Esto también explica por qué es difícil que el aumento de NAND en el tercer trimestre mantenga el nivel del segundo trimestre. El alto aumento del segundo trimestre provino más de los ajustes al alza de los precios de NAND móvil y SSD. Una vez que los fabricantes de teléfonos reduzcan las compras y bajen las configuraciones de capacidad, la presión sobre los precios de NAND se manifestará más rápidamente que en el DRAM de servidores.

Tendencias de precios de contrato de obleas NAND y eMMC/UFS; precio de contrato de obleas TLC en junio MoM+3.7%, QLC MoM+0.3%, pero NAND móvil y SSD impulsaron un QoQ general de aproximadamente +60% en 2T.

Para empresas relacionadas con NAND como SanDisk y Kioxia, esta divergencia es especialmente importante. A corto plazo, los precios siguen al alza, pero si las obleas se debilitan primero, la elasticidad de las ganancias posteriores dependerá más de los SSD empresariales, la ejecución de contratos móviles y la velocidad de absorción de inventario.

El tercer trimestre aún subirá, solo que más lento

El tercer trimestre no es el final del aumento, sino una reducción en la velocidad del aumento.

La estimación pública de TrendForce del 3 de julio indica que los precios de contrato de DRAM genéricos en 3QCY26 aumentarán un 13%-18% trimestralmente, y los de NAND Flash un 10%-15%. En comparación con el segundo trimestre, los aumentos se han moderado notablemente.

La presión proviene de ambos extremos.

Por un lado, los servidores de IA siguen comprando y los proveedores de nube estadounidenses obtienen suministro prioritario, lo que sostiene los precios a corto plazo. Por otro lado, la electrónica de consumo ya está comenzando a ajustarse. Los OEM de teléfonos han comenzado a reducir los planes de producción y el uso de memoria, afectando más a los modelos de gama media y baja, ya que dependen más de productos maduros como LPDDR4 y les resulta más difícil trasladar los aumentos de costos a los consumidores.

TrendForce estimó anteriormente que la producción mundial de teléfonos inteligentes en 2026 disminuirá un 10% interanual hasta aproximadamente 1135 millones de unidades, y en un escenario pesimista la caída podría ampliarse a más del 15%. Cuando la producción de teléfonos disminuye y la memoria se reduce simultáneamente, el espacio para aumentos de precios de DRAM móvil y NAND móvil se verá limitado.

El segmento de PC también enfrenta presiones similares. En junio, los precios spot de los chips de PC DDR4 y DDR5 seguían subiendo, pero si la demanda final no puede soportar costos más altos, el ritmo de compras podría ralentizarse y los canales serán más cautelosos en la reposición de inventario.

Evolución de precios spot y de contrato de chips de PC DDR5; desde finales de 2025 hasta junio de 2026, los precios spot rebotaron rápidamente desde niveles bajos, con un breve retroceso en marzo-abril antes de volver a subir.

Otra restricción proviene de los acuerdos a largo plazo. Los LTA pueden ayudar a los fabricantes de memoria a asegurar pedidos y reducir el impacto de una caída de precios, pero también pueden limitar nuevos aumentos. Especialmente cuando algunos acuerdos establecen límites superiores de precio, por más altos que estén los precios spot, no necesariamente se reflejan completamente en el precio de venta promedio del trimestre del fabricante.

Por lo tanto, el aumento de la muestra de precios de contrato del segundo trimestre no puede equipararse simplemente al aumento real del ASP de cada empresa. La combinación de productos, la participación de HBM, los límites superiores de precios de LTA y el cierre final del trimestre afectarán el reconocimiento final de ingresos de empresas como Samsung, SK Hynix y Micron.

Los fabricantes aún se benefician, pero los teléfonos y los LTA comprimirán el alcance de la realización

Los fabricantes de memoria siguen siendo los beneficiarios más directos.

Según un informe de Investing.com de junio, Bernstein elevó el precio objetivo de Samsung Electronics a 440,000 wones, el de SK Hynix a 3,300,000 wones y el de Micron a 1,300 dólares, manteniendo la calificación de "superar al mercado". El precio objetivo de SanDisk también se elevó a 3,000 dólares, manteniendo la calificación de "superar al mercado", con el argumento relacionado con nuevos acuerdos de memoria a largo plazo y pisos de precios. Kioxia mantuvo la calificación de "inferior al mercado".

La calificación en sí no es el punto central de este artículo. Más importante es que, en el entorno actual de precios, el mercado sigue dispuesto a otorgar expectativas de ganancias más altas a los principales fabricantes de DRAM y algunos de NAND.

Pero el aumento a corto plazo no puede traducirse directamente en una subida sin riesgos a largo plazo.

La destrucción de la demanda del lado del consumidor ya se ha manifestado. Los fabricantes de teléfonos reducen la producción y las especificaciones, siendo los modelos de gama media y baja los más sensibles. Cuanto más rápido suban los precios de la memoria, más probable es que los fabricantes de equipos originales respondan reduciendo la capacidad, cambiando a productos de generaciones anteriores o retrasando las compras.

La oferta también continuará aumentando. En los supuestos del modelo de Bernstein, los precios de la memoria alcanzarán su punto máximo gradualmente en el 2S CY27 y se normalizarán en CY28. La escasez actual es más el resultado combinado de la fuerte demanda de servidores de IA, el retraso en el ajuste de la oferta y el bloqueo de la oferta mediante acuerdos a largo plazo, no un desequilibrio permanente entre oferta y demanda.

La competencia de los fabricantes chinos en el campo de NAND sigue siendo una presión a largo plazo. En comparación con DRAM, NAND es más susceptible a la nueva capacidad de producción y la competencia de precios. Una vez que la demanda se desacelere y la oferta aumente, la caída de precios podría comenzar primero en los eslabones más débiles de NAND.

La línea principal a corto plazo de este ciclo de memoria sigue siendo clara: la demanda de servidores e IA mantiene los precios de DRAM en niveles altos, y NAND en el segundo trimestre también fue impulsado al alza por los precios móviles y de SSD. Pero a partir del tercer trimestre, la presión de teléfonos, PC y consumo hará que la velocidad de aumento disminuya notablemente. Para los inversores, "los precios aún suben" y "la fase más fuerte de aumentos ya pasó" son dos cosas que deben considerarse por separado.

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