¡Por primera vez en tres años! Samsung Foundry logró un punto de equilibrio en junio, y la tasa de rendimiento del proceso de 4 nm ha aumentado a aproximadamente el 80%.

El negocio de fundición de obleas de Samsung Electronics ha recibido por fin una señal de cambio tras años de pérdidas.

Según fuentes de la industria de semiconductores de Corea del Sur, la división de fundición de obleas de Samsung Electronics registró beneficios mensuales en junio de este año, la primera vez que la división obtiene beneficios mensuales desde 2023. La continua expansión de los envíos de chips base (Base Die) de HBM (memoria de alto ancho de banda), combinada con la notable mejora del rendimiento del proceso de 4 nm, impulsó conjuntamente este cambio.

La mencionada tendencia de mejora ha llevado a Samsung a ser optimista sobre la obtención de beneficios trimestrales positivos en el tercer trimestre. Al mismo tiempo, la compañía también está acelerando su posicionamiento de clientes en el ámbito de la fundición de chips de IA: tras el pedido del chip AI6 de Tesla, han surgido la producción de chips Groq y posibles colaboraciones con Meta y Anthropic, lo que ha avivado aún más las expectativas del mercado sobre la recuperación del negocio de fundición de obleas de Samsung.

Cambio a beneficios mensuales, posible beneficio trimestral en el tercer trimestre

La división de fundición de obleas de Samsung Electronics obtuvo beneficios mensuales en junio de este año, la primera vez desde 2023. La división ha estado bajo presión durante mucho tiempo: la mala tasa de rendimiento de los procesos avanzados, la pérdida de grandes clientes y la baja utilización de la capacidad se han combinado para ampliar las pérdidas. Samsung no divulga por separado los datos financieros de la división de fundición de obleas, pero las estimaciones del mercado sitúan las pérdidas operativas combinadas de la fundición de obleas y System LSI en alrededor de 2,5 billones de wones en 2023, que se ampliaron a 5,3 billones de wones en 2024 y aumentaron aún más hasta aproximadamente 6 billones de wones en 2025.

En cuanto al segundo trimestre en su conjunto, abril y mayo seguían en números rojos, por lo que aún es difícil confirmar un punto de inflexión trimestral. Sin embargo, dado que el beneficio de junio no se debió a un ajuste único, sino a la contribución sostenida de la mejora de la utilización de la capacidad y el rendimiento del proceso, Samsung considera internamente que es muy probable que se produzca un beneficio trimestral positivo en el tercer trimestre.

HBM4 impulsa la utilización de 4 nm, la mejora del rendimiento reduce el coste unitario

El principal motor de este cambio a beneficios mensuales es la doble mejora de la expansión de los envíos de Base Die de HBM y del rendimiento del proceso de 4 nm.

El Base Die de HBM es un chip lógico situado en la parte inferior de la pila de DRAM, responsable de la interacción de señales con la GPU, y se produce en la propia línea de fundición de obleas de Samsung. El aumento de la producción de HBM impulsa simultáneamente el volumen de obleas de Base Die, mejorando así la utilización de las líneas de proceso avanzado. En particular, el Base Die de HBM4 se produce con el proceso de 4 nm, lo que genera un efecto continuo de reabastecimiento para esa línea. Samsung Electronics ya inició la producción en masa y el envío comercial de HBM4 a nivel mundial en febrero de este año, y en mayo entregó a clientes globales muestras de apilamiento de 12 capas de HBM4E.

El negocio de fundición de obleas se caracteriza por una alta proporción de costes fijos como depreciación, mano de obra y gastos de mantenimiento. El aumento del volumen de envíos repetitivos ayuda a mejorar la utilización de los equipos y a reducir los costes unitarios. Al mismo tiempo, según estimaciones de fuentes del sector, el rendimiento del proceso de 4 nm de Samsung ya ha mejorado hasta aproximadamente el 80%. Una mayor tasa de rendimiento significa que se pueden enviar más chips con el mismo número de obleas, y se reducen los costes de desecho y retrabajo. De abril a mayo, la presión de los costes iniciales de expansión de la capacidad y la estabilización del proceso aún no se había disipado; en junio, el crecimiento del volumen de Base Die y la mejora del rendimiento de 4 nm se manifestaron simultáneamente, impulsando el resultado mensual a positivo.

Regreso de grandes clientes, la diversificación de la cadena de suministro de chips de IA trae nuevas oportunidades

La vuelta a los beneficios mensuales coincide con la mejora de la estructura de pedidos de fundición de obleas. La fundición de obleas de Samsung Electronics ganó el año pasado el pedido del chip AI6 de Tesla, y recientemente se ha hecho cargo de la producción de chips de inferencia de IA basados en la arquitectura Groq, anunciada por NVIDIA. Además, Meta y Anthropic también han sido mencionados en el sector como posibles socios de fundición de chips de IA propios de Samsung, lo que ha elevado aún más las expectativas del mercado sobre la recuperación de la fundición de obleas de Samsung.

A medida que la demanda de formación e inferencia de IA crece rápidamente al mismo tiempo, la capacidad de los procesos avanzados y el empaquetado avanzado de TSMC ya están muy saturados. Las grandes empresas tecnológicas que quieren reducir su dependencia de NVIDIA están ampliando el diseño de sus propios chips de IA, al tiempo que buscan romper la dependencia de un único proveedor, TSMC. En este contexto, Samsung, con su diseño de proceso avanzado de 2 nm, su capacidad de Base Die de HBM y su base de producción local en Estados Unidos, se está convirtiendo gradualmente en una opción alternativa de cadena de suministro digna de atención.

Aunque hay señales de mejora de los fundamentos, la brecha entre la fundición de obleas de Samsung y TSMC sigue siendo enorme. Según datos de la agencia de investigación de mercado TrendForce, en el primer trimestre de 2025, TSMC ocupó el primer lugar en la cuota de mercado mundial de fundición de obleas con un 72,3%, mientras que Samsung ocupó el segundo lugar con un 6,5%. En comparación con el mismo periodo del año anterior, la cuota de TSMC aumentó 4,7 puntos porcentuales desde el 67,6%, mientras que la de Samsung cayó 1,2 puntos porcentuales desde el 7,7% hasta el 6,5%, ampliando la brecha entre ambos de 59,9 puntos porcentuales a 65,8 puntos porcentuales.

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