El analista de Critini afirma que Samsung y SK Hynix están reevaluando el momento de adoptar la unión híbrida en HBM, y el cambio tecnológico podría retrasarse.

BlockBeats消息，7月6日，Critini Research分析师Jukan指出，三星与SK海力士正重新评估在HBM中采用混合键合的时机，即使到HBM5也可能暂不采用。核心原因有二：

一是JEDEC正讨论将HBM5的厚度标准放宽至最高约1000μm（HBM3E为720μm，HBM4已放宽至775μm），标准松动后混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫；

二是散热问题有了更简单的替代方案——三星开发了Heat Path Block，SK海力士推出iHBM（ICE HBM），均为在HBM旁放置独立散热器件，计划从HBM5开始应用，技术难度更低且商业化更稳妥。

此外，英伟达等大客户对16层以上高堆叠产品的需求目前并不紧迫，12层产品在HBM4E阶段或仍为市场主流。不过混合键合的研发并未停滞。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个，现有TC热压合工艺已接近极限；若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，凸点横向扩散将使TC键合难以支撑，届时必须采用铜直接键合的混合键合以实现更高密度连接。

Jukan判断：短期内因厚度与散热有更简单方案，混合键合不会大规模部署；但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是必然方向。这将对混合键合设备核心供应商Besi的市场预期产生直接影响。技术换轨的推迟意味着相关设备订单的规模放量时间表需要重新审视。