Medios de comunicación surcoreanos informaron que la empresa china ChangXin Memory Technologies (CXMT) actualmente está probando una línea piloto de DRAM unida en Hefei, con el objetivo de lograr DRAM de alto rendimiento sin utilizar litografía EUV.

La llamada DRAM unida es una tecnología en la que la matriz de celdas de memoria y los circuitos periféricos se fabrican en obleas separadas, y luego se unen las dos obleas. De esta manera, se puede producir DRAM de ultra alta densidad utilizando solo litografía DUV de luz ultravioleta profunda junto con procesos de patronización múltiple, sin necesidad de equipos EUV.

Samsung Electronics está desarrollando su propia DRAM unida bajo el proyecto "B1b", y SK Hynix también está avanzando en una tecnología similar. Sin embargo, los medios surcoreanos advierten que actualmente hay evaluaciones que indican que ChangXin Memory Technologies podría estar por delante de sus competidores surcoreanos tanto en la tecnología en sí como en la velocidad de desarrollo.