Intel está considerando adoptar una arquitectura de suministro de energía de doble cara en su proceso de 1.4 nanómetros para alcanzar a TSMC y Samsung.

Noticias de BlockBeats, 5 de julio, Intel está considerando adoptar una arquitectura que utiliza alimentación tanto frontal como trasera en su proceso ultra fino de 1.4 nanómetros para alcanzar a sus competidores. Fuentes de la industria indican que Intel originalmente planeaba utilizar la tecnología dedicada de alimentación trasera PowerDirect en su proceso base de 1.4 nanómetros 14A, pero en el proceso posterior 14A2, está considerando introducir una arquitectura de doble lado (Dual side) que utiliza tanto el frente como la parte trasera.

Intel había anunciado previamente que planea aumentar la densidad de chips en el proceso 14A en 1.3 veces en comparación con el 18A; el proceso 14A tiene como objetivo un paso M0 de aproximadamente 28 nanómetros, mientras que el proceso 14A2 puede avanzar el paso M0 a 21 nanómetros mediante una mejora de medio nodo. Intel, mientras mantiene la red de alimentación trasera como principal, reasignará parte del cableado metálico frontal para usos de alimentación auxiliar y señal de Clock, para compensar la insuficiencia de margen de potencia debido a las limitaciones de miniaturización y exposición.

El proceso 14A de Intel está programado para ingresar a producción de riesgo en 2028 y a producción en masa en 2029. Intel necesita lanzar la versión 0.9 del kit de diseño de proceso (PDK) para el proceso 14A a clientes externos en octubre de este año, y obtener pedidos firmes de grandes clientes sin fábrica (fabless) dentro de los 18 meses posteriores. En comparación, TSMC ya planea enviar productos reales de 1.4 nanómetros A14 en 2028, y Samsung Electronics también planea comercializar el proceso SF2Z mejorado de 2 nanómetros que utiliza tecnología de alimentación trasera en 2027.