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🚨Medios coreanos informan que CXMT de China está probando actualmente una línea de producción piloto de DRAM unida en Hefei, con el objetivo de lograr DRAM de alto rendimiento sin usar litografía EUV.
La DRAM unida es una tecnología en la que la matriz de celdas de memoria y el circuito periférico se fabrican en obleas separadas y luego se unen. Este enfoque permite la producción de DRAM de ultra alta densidad utilizando únicamente litografía de ultravioleta profundo (DUV) con multipatrón, eliminando la necesidad de herramientas EUV.
Samsung Electronics está desarrollando su propia DRAM unida bajo el proyecto "B1b", mientras que SK hynix está buscando una tecnología similar. Sin embargo, los medios coreanos advierten que hay evaluaciones que sugieren que CXMT podría tener actualmente una ventaja sobre sus rivales coreanos tanto en la tecnología en sí como en la velocidad de desarrollo.