Samsung anuncia que la tasa de rendimiento de HBM supera el 70%. El CTO Song Jae-hyuk afirma que la DRAM de próxima generación superará y alcanzará rápidamente a SK Hynix.

El gigante surcoreano de semiconductores, Samsung Electronics, ha dado un paso más en su carrera por la memoria de alto ancho de banda (HBM). Según un informe exclusivo del medio surcoreano Financial News, Song Jae-hyuk, director de tecnología (CTO) de la división DS de Samsung Electronics, reveló en una reunión interna de gestión el 30 de junio que la tasa de rendimiento en las pruebas de fiabilidad de la 7.ª generación de HBM (HBM4E) ya superó el 70%, acercándose al umbral del 80% que la industria considera "maduro".
(Antecedentes: ¡Wall Street grita que Micron es el próximo Nvidia! La escasez de memoria de IA hizo que la capitalización de mercado de Micron superara temporalmente a Meta y Tesla)
(Complemento de contexto: Samsung y SK Hynix reciben el respaldo del gobierno surcoreano por 1,3 billones de dólares; analista: la IA es una guerra de vida o muerte para los países)

Resumen clave

• El CTO de Samsung Electronics, Song Jae-hyuk, reveló que la tasa de rendimiento en las pruebas de fiabilidad de la 7.ª generación de HBM (HBM4E) ya ha superado el 70%, acercándose al umbral del 80% de "rendimiento maduro" de la industria.
• En febrero de este año, Samsung produjo en masa por primera vez HBM4; a finales de mayo, publicó las especificaciones del producto HBM4E de 12 capas y envió muestras; las ventas de HBM4 ya han superado los 12 mil millones de dólares.
• Se espera que el proceso de DRAM de próxima generación D1d (séptima generación de 10 nanómetros) pase la Aprobación de Preparación para la Producción (PRA) en noviembre, y se utilizará en HBM5 y productos posteriores.

Samsung Electronics ha presentado una cifra que ha llamado la atención externa. Según un informe exclusivo del medio financiero surcoreano Financial News, Song Jae-hyuk, director de tecnología de la división DS de Samsung, confirmó en una reunión interna de gestión el 30 de junio que la tasa de rendimiento en las pruebas de fiabilidad de la memoria de alto ancho de banda de séptima generación HBM4E, que la compañía está desarrollando, ya ha superado el 70%, lo que significa que el desarrollo ha superado esencialmente la fase de sprint final.

La tasa de rendimiento en las pruebas de fiabilidad de HBM4E ha alcanzado un nivel superior al 70%, y el proceso de DRAM de séptima generación de 10 nanómetros (D1d) de próxima generación tiene una ventaja sobre los competidores.

HBM4, en producción en masa solo 4 meses, ya ha superado los 12 mil millones de dólares en ventas

El ritmo de Samsung en HBM se ha acelerado significativamente en los últimos seis meses. La compañía produjo en masa por primera vez la sexta generación HBM4 en febrero de este año, publicó las especificaciones técnicas del producto HBM4E de 12 capas a finales de mayo y envió muestras a clientes principales, convirtiéndose en el primer fabricante de la industria en enviar muestras de HBM4E. A finales del mes, las ventas de solo HBM4 de Samsung ya habían superado los 12 mil millones de dólares.

Para Samsung, que aún está en proceso de ponerse al día, presentar cifras de ventas reales es más convincente que cualquier eslogan técnico. En cuanto al proceso D1d de próxima generación, Samsung planea obtener la Aprobación de Preparación para la Producción (PRA) en noviembre, y se aplicará en HBM5 y productos posteriores.

El gran pedido de Nvidia sigue en manos de SK Hynix

Para entender por qué Samsung está tan ansioso por publicar la cifra de rendimiento, primero hay que comprender el negocio de HBM. HBM (memoria de alto ancho de banda) es una memoria de alta velocidad apilada junto al acelerador de IA. Para que las GPU de Nvidia ejecuten IA, necesitan que esta memoria alimente datos a alta velocidad, y es uno de los componentes más codiciados y rentables en este superciclo de IA.

El problema es que este mercado ha estado dominado durante mucho tiempo por SK Hynix. SK Hynix, en el suministro de HBM3E a Nvidia, tuvo una cuota de aproximadamente el 70%; para HBM4, la generación que acompañará al acelerador de IA de próxima generación de Nvidia, Vera Rubin, las estimaciones de la cadena de suministro indican que SK Hynix aún tiene entre el 60% y el 70%, Samsung entre el 25% y el 30%, y Micron cubre el resto. Samsung está esforzándose por aumentar el rendimiento de HBM4E y acelerar los envíos de HBM4, en pocas palabras, para reducir la brecha con SK Hynix y recuperar más pedidos de Nvidia.

Preguntas frecuentes

¿Qué es HBM4E? ¿Qué significa que el rendimiento de Samsung sea del 70%?

HBM4E es la memoria de alto ancho de banda (HBM) de séptima generación, apilada junto al acelerador de IA para alimentar datos a alta velocidad a la GPU. El rendimiento se refiere a la proporción de productos buenos. La tasa de rendimiento en las pruebas de fiabilidad de HBM4E de Samsung es del 70%, acercándose al umbral del 80% considerado maduro por la industria, lo que indica que la calidad de producción en masa se está acercando al nivel de envío a gran escala.

¿Samsung se ha puesto al día con SK Hynix en HBM?

Todavía está en proceso de ponerse al día. SK Hynix ha dominado durante mucho tiempo el suministro de HBM a Nvidia, con una cuota de aproximadamente el 70% en HBM3E; para HBM4 (que acompaña a Nvidia Vera Rubin), Samsung tiene alrededor del 25% al 30%. Samsung está aumentando el rendimiento de HBM4E y acelerando los envíos de HBM4 precisamente para reducir la brecha con SK Hynix y hacerse con más pedidos de Nvidia.