La competencia de IA abre un superciclo de metales raros: ¿están el estaño, el indio y el hafnio a punto de una revalorización histórica?

La inversión en hardware de IA se está expandiendo desde "comprar chips" hacia una cadena más larga: servidores completos, componentes de redes de alta velocidad, suministro de energía para centros de datos y sistemas de refrigeración de alta densidad de calor están comenzando a consumir más materias primas básicas. Para los metales pequeños, el cambio clave no es tener un nuevo concepto, sino que el consumo aguas abajo comienza a entrar en una fase medible.

El analista de Dongwu Securities, Liu Yiting, indicó en un informe del 20 de junio: "El gasto de capital global en IA está entrando en una fase de aceleración no lineal", donde las inversiones pasan de un solo chip a cubrir servidores, redes de alta velocidad, infraestructura eléctrica y sistemas de refrigeración, "lo que genera dividendos de demanda para las materias primas upstream".

Entre ellos, el estaño, el indio y el hafnio corresponden a tres puntos críticos en la actualización del hardware de IA: el estaño se utiliza en el enchapado de PCB y la soldadura SMT; el indio, en forma de fosfuro de indio, entra en las comunicaciones ópticas de alta velocidad; y el hafnio, como material de puerta de alta constante dieléctrica, sirve para la miniaturización continua de procesos avanzados. En las proyecciones, el consumo de estaño en PCB podría aumentar en 49,000 toneladas entre 2026 y 2030; la demanda de indio para fosfuro de indio en centros de datos de IA podría pasar de 19 toneladas en 2025 a 419 toneladas en 2030; y la demanda global de hafnio podría aumentar de 100 toneladas en 2024 a 142 toneladas en 2030.

El punto común de los tres metales está en el lado de la oferta: el estaño se ve afectado por el agotamiento de recursos, las políticas de Indonesia, la recuperación insuficiente en Myanmar y los cambios en los flujos comerciales; el indio está limitado por la producción de minas de zinc y la actividad de fundición; y el hafnio se enfrenta a dificultades en la separación de circonio y hafnio, problemas ambientales, económicos y perturbaciones geopolíticas. La combinación de aumento de demanda y oferta restringida es la lógica central para el alza del precio.

El dinero en hardware de IA ya no se gasta solo en GPU

El gasto de capital es el indicador adelantado de esta cadena. En 2026, el gasto de capital combinado de los cuatro gigantes de la nube (Microsoft, Google, Amazon y Meta) alcanzará un máximo de 725 mil millones de dólares. Entre enero y septiembre de 2025, la inversión relacionada con IA en EE. UU. contribuyó en un 39% al crecimiento del PIB real, superando el 36% del período de la burbuja de internet en 2000.

Las actualizaciones de hardware se centran en cuatro direcciones: densidad de cómputo, ancho de banda de memoria, velocidad de interconexión y eficiencia energética. Los chips son solo una parte. El número de capas de PCB en servidores de IA ha aumentado de 8-24 capas en servidores tradicionales a 28-46 capas, y algunos proyectos incluso adoptan diseños de 56 capas. Los módulos ópticos de alta velocidad pasan de 800G a 1.6T y 3.2T, y el cuello de botella de interconexión dentro de los centros de datos se vuelve cada vez más evidente. Los procesos avanzados continúan avanzando, y el dieléctrico de puerta de dióxido de silicio tradicional se acerca a su límite físico.

Los metales pequeños entran en el foco no por su escasez en sí, sino porque se encuentran exactamente en estos puntos de actualización.

El nuevo aumento de estaño está en PCB, pero la oferta tiene dificultades para acompañar

El estaño cumple funciones de soldadura y conexión en la industria electrónica. La expansión de servidores de IA, PCB de alta gama y empaquetado avanzado aumentará el consumo de estaño.

Las proyecciones dividen el consumo de estaño en dos partes: el consumo en el enchapado de PCB y el consumo en la soldadura SMT. En el enchapado de PCB, el consumo unitario de estaño en placas HDI es de aproximadamente 40.19 g/m², y en placas multicapa de aproximadamente 12.84 g/m², siendo el consumo unitario de HDI más de tres veces el de las multicapa. En la soldadura SMT, el consumo unitario de estaño es de aproximadamente 294.22 g/m². Combinando ambos, el consumo unitario total de estaño en PCB (enchapado + SMT) es de aproximadamente 318 g/m².

Según las proyecciones de Prismark, para 2030, la producción global de PCB alcanzará los 663 millones de m², con una tasa de crecimiento compuesto anual del 6.7% entre 2026 y 2030. En las proyecciones correspondientes, el consumo global de estaño en PCB pasará de 163,000 toneladas en 2026 a 212,000 toneladas en 2030, un aumento de 49,000 toneladas en cuatro años, con un CAGR del 6.9%. Tomando como base el consumo global de estaño de 380,000 toneladas en 2025, la elasticidad del impulso del consumo de estaño desde PCB es del 12.3%.

El problema está en la oferta.

Las reservas globales probadas de estaño son de aproximadamente 6 millones de toneladas, con una relación estática de reservas a producción de aproximadamente 20.7 años, inferior a la de metales industriales como cobre, níquel y cobalto. Entre 2015 y 2025, el precio del estaño subió significativamente, pero la producción global de minas de estaño solo aumentó de 289,000 toneladas a 290,000 toneladas, casi un crecimiento cero en una década. La producción de minas de estaño en China cayó de 110,000 toneladas a 71,000 toneladas, con un CAGR de -4.3%.

Indonesia es una variable importante. En 2025, la producción de minas de estaño de Indonesia representó el 21% del total mundial, pero en los últimos dos años, las políticas frecuentes de aprobación minera, gestión de minas ilegales, regalías progresivas y precios mínimos de referencia han causado grandes fluctuaciones en las exportaciones. Myanmar fue un importante proveedor, con una producción de minas de estaño que representaba el 17% mundial en 2018, pero tras el agotamiento de recursos y la prohibición de minería, la producción cayó a 12,000 toneladas en 2025. Incluso después de que el Estado Wa anunciara la reanudación de la producción en la segunda mitad de 2025, las importaciones de mineral de estaño de China desde Myanmar solo se recuperaron a aproximadamente 1,300 toneladas métricas para abril de 2026, aún por debajo del nivel de aproximadamente 2,200 toneladas/mes antes de la prohibición.

Los flujos comerciales en Sudamérica también están cambiando. Perú, Brasil y Bolivia produjeron un total de 76,000 toneladas de estaño en 2025, lo que representa el 26% del total mundial. Entre ellos, el primer destino de exportación de lingotes de estaño de Perú es EE. UU., y las exportaciones de Bolivia se dirigen principalmente a Países Bajos, Reino Unido y EE. UU. La aceleración de la cadena de la industria del estaño en EE. UU. podría absorber aún más materias primas sudamericanas.

En general, Dongwu Securities considera que el estaño enfrentará tanto un fuerte aumento de la demanda como perturbaciones en la oferta en los próximos 3-4 años, con un fuerte impulso al alza de precios. Por un lado, la aceleración del gasto de capital global en IA y la expansión de hardware como placas PCB traerán incrementos reales de demanda para el estaño. Por otro lado, la alta concentración y gran inestabilidad de la oferta global de estaño, junto con múltiples factores que afectan la oferta.

La elasticidad del indio proviene del fosfuro de indio, pero el indio no se puede expandir fácilmente

La demanda tradicional de indio se concentra principalmente en blancos de ITO, con un 70%, utilizado en pantallas de cristal líquido y pantallas planas; los semiconductores electrónicos, soldaduras y aleaciones representan cada uno alrededor del 12%. En 2025, el consumo global de indio refinado fue de 2,316 toneladas, y se espera que aumente a 2,510 toneladas en 2026 y 2,813 toneladas en 2027.

La nueva variable es la comunicación óptica. Dentro de los centros de datos de IA, las GPU necesitan intercambiar datos a alta velocidad. En clústeres de modelos grandes con decenas de miles de tarjetas, el consumo de energía del transporte de datos entre chips representa más del 90% del consumo total del sistema, y la distancia efectiva de transmisión de la interconexión de cobre se reduce a unos pocos centímetros a medida que aumenta la velocidad. La velocidad de transmisión de datos pasa de 100G/lane a 200G/lane, y continúa hacia 400G/lane, haciendo de la interconexión óptica una dirección más realista.

Las ventajas del fosfuro de indio son claras: es un semiconductor de banda prohibida directa, con una energía de banda prohibida de aproximadamente 1.34 eV, que coincide con las ventanas de baja pérdida de 1310 nm/1550 nm en comunicaciones por fibra óptica; su movilidad de electrones es más de 10 veces la del silicio, y puede soportar modulación de alta frecuencia superior a 100 GHz. El fosfuro de indio es el material central para los chips láser en módulos ópticos de alta velocidad.

En las proyecciones, el consumo real de indio por sustrato de fosfuro de indio de 4 pulgadas es de aproximadamente 32.2 gramos por pieza. En 2025, la demanda de fosfuro de indio para centros de datos de IA es de aproximadamente 600,000 piezas, lo que se traduce en una demanda de indio de 19.3 toneladas; para 2030, la demanda de fosfuro de indio podría alcanzar los 13 millones de piezas, correspondientes a 419 toneladas de indio, un crecimiento de más de 22 veces. Tomando como base la demanda global de indio en 2025, solo este elemento podría generar un incremento de más del 20%.

La restricción dura de la oferta es que el indio se encuentra principalmente asociado a depósitos polimetálicos de plomo y zinc. Aproximadamente el 81.2% de las reservas globales de indio provienen de estos depósitos; el indio primario se obtiene principalmente de residuos del procesamiento de mineral de zinc. En otras palabras, aunque el precio del indio suba, no se puede abrir una "mina de indio" independiente para aumentar rápidamente la producción.

En los últimos años, las tarifas de procesamiento de concentrados de zinc han disminuido, la disposición de las fundiciones de zinc para operar es insuficiente y la tasa de utilización de capacidad de zinc refinado ha caído a niveles bajos en cinco años, lo que limita la oferta de indio primario. Al mismo tiempo, China implementó controles de exportación sobre fosfuro de indio, trimetilindio, trietilindio y documentos técnicos relacionados en febrero de 2025. El inventario también está disminuyendo: según las estadísticas de la plataforma Zhonglian Jin, el inventario de indio pasó de aproximadamente 488.8 toneladas a principios de 2025 a 273.8 toneladas al 28 de enero de 2026.

Al 11 de junio de 2026, el precio del indio refinado en China era de 4.7 millones de yuanes/tonelada, un aumento del 58% con respecto al inicio del año.

El valor del hafnio está en los procesos avanzados, la dificultad radica en la separación y la economía de expansión

La demanda tradicional de hafnio se concentra en energía nuclear y superaleaciones. En la estructura de consumo, la energía nuclear representa el 45%, las superaleaciones/aeroespacial el 35% y los semiconductores/electrónica el 10%.

El cambio en el lado de los semiconductores proviene de la miniaturización de procesos. En nodos de 65 nm e inferiores, cuando el dieléctrico de puerta de dióxido de silicio tradicional se vuelve demasiado delgado, el efecto de túnel cuántico provoca un aumento de la corriente de fuga de la puerta, afectando el consumo de energía y la confiabilidad del chip. La constante dieléctrica del óxido de hafnio es de aproximadamente 18-25, muy superior a la del dióxido de silicio (3.9), lo que permite aumentar el espesor físico mientras se mantiene el espesor equivalente de óxido, reduciendo la fuga.

Después de que Intel introdujera materiales de puerta de alta constante dieléctrica basados en hafnio para reemplazar el dióxido de silicio en el nodo de 45 nm, la corriente de fuga de puerta en los transistores NMOS se redujo más de 25 veces, y en los PMOS más de 1000 veces. A medida que los nodos de 3 nm y 2 nm pasan de FinFET a arquitectura GAA, la demanda de dieléctricos de alta constante seguirá aumentando.

En la trayectoria de demanda, se espera que la demanda global de hafnio pase de 100 toneladas en 2024 a 142 toneladas en 2030. La demanda del sector de semiconductores aumentará de 40 toneladas a 64 toneladas, contribuyendo con casi la mitad del incremento; las superaleaciones de 45 toneladas a 60 toneladas; y la energía nuclear de 15 toneladas a 18 toneladas.

La oferta de hafnio es más problemática que la demanda. El hafnio es principalmente un subproducto de la producción de circonio de grado nuclear. La capacidad global de circonio de grado nuclear supera las 10,000 toneladas/año, con una producción real anual de 6,000-7,000 toneladas, correspondiente a una oferta de hafnio en esponja de aproximadamente 100 toneladas, principalmente de EE. UU., Francia, Rusia y China.

La separación de circonio y hafnio es muy difícil. Sus propiedades físico-químicas son similares, y en la naturaleza, el hafnio generalmente representa solo el 1%-3% de la cantidad total de circonio y hafnio en los productos químicos de circonio. Los procesos existentes implican solventes tóxicos o ácidos de alta concentración, lo que plantea problemas de protección ambiental y corrosión de equipos. La expansión tampoco es económica: dos productores estadounidenses podrían aumentar teóricamente la producción de hafnio en aproximadamente un 100%, pero cada empresa generaría un excedente de aproximadamente 2,000 toneladas/año de circonio deshafniado, y sin clientes que lo reciban, la expansión difícilmente se cerraría.

Las perturbaciones geopolíticas han elevado aún más los precios. Tras el conflicto entre Rusia y Ucrania en 2022, el suministro de esponja de hafnio ruso se cortó, y el precio del hafnio en el mercado internacional se disparó de 1,200-1,400 USD/kg a 4,500-5,000 USD/kg. China incluyó el hafnio en la gestión de artículos de doble uso a finales de 2024, y en 2025 las exportaciones de hafnio sin forjar, desechos y fragmentos de hafnio, y polvo de hafnio fueron de 20.2 toneladas, una disminución interanual del 22%.

El precio del óxido de hafnio de grado 4N en China también ha subido significativamente. A principios de 2022 era de aproximadamente 4.5 millones de yuanes/tonelada, y para el 16 de junio de 2026 había subido a 9.5 millones de yuanes/tonelada, un aumento del 111%.

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