Toshiba presenta el MOSFET de potencia de canal N de 80V con tecnología U-MOS11-H, TPM1R408RH

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GateNews
Toshiba Lanza el MOSFET de Potencia de Canal N de 80V TPM1R408RH utilizando el Proceso U-MOS11-H
Según Jin10, Toshiba anunció el 30 de junio el lanzamiento del TPM1R408RH, un MOSFET de canal N de 80 V fabricado con su tecnología de proceso U-MOS11-H de última generación. El nuevo dispositivo está destinado a fuentes de alimentación conmutadas en centros de datos de IA y estaciones base de telecomunicaciones. Los envíos comenzaron inmediatamente después del anuncio.
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