HBM: La "memoria dorada" bajo el cuello de botella de la potencia de cálculo de IA, el tamaño del mercado se dispara un 58% y la lógica de inversión para 2026

El 22 de junio de 2026, el mercado de capitales de Corea del Sur presenció un momento histórico: las acciones de SK Hynix (000660.KS) subieron durante la sesión a 2,95 millones de wones, con una capitalización de mercado de 208,1 billones de wones, superando por primera vez los 207,3 billones de wones de Samsung Electronics (005930.KS), rompiendo el récord de Samsung de 26 años consecutivos como la empresa más valiosa de Corea del Sur. Detrás de este hito se encuentra una reestructuración del poder en la industria de chips de memoria impulsada por la IA generativa. Y el protagonista principal de esta reestructuración es la HBM (High Bandwidth Memory, Memoria de Alto Ancho de Banda).

En los últimos dos años, casi todos los debates sobre la potencia de cálculo de la IA han girado en torno a las GPU. Las historias sobre la escasez de chips de Nvidia y la capacidad de producción completa de los procesos avanzados de TSMC se han contado repetidamente. Pero bajo el resplandor de las GPU, un cuello de botella más oculto y crítico se está estrechando silenciosamente: las HBM. Sin suficiente memoria de alto ancho de banda, incluso los chips de computación más potentes solo pueden funcionar en vacío.

En 2026, las HBM están pasando de ser una categoría secundaria en la industria de semiconductores a un recurso escaso estratégico que determina la velocidad de expansión de la infraestructura de IA. Este artículo analizará sistemáticamente por qué las HBM se han convertido en la "memoria de oro" de la era de la IA desde cuatro dimensiones: principios técnicos, lógica de mercado, panorama competitivo y objetivos de inversión.

Principio técnico de HBM: La revolución de apilamiento 3D para romper el "muro de la memoria"

Para entender por qué las HBM son tan importantes, primero debemos volver a una pregunta básica: en la arquitectura informática moderna, la brecha de velocidad entre el procesador y la memoria se está ampliando constantemente. La velocidad de cálculo de una CPU o GPU se duplica cada 18 a 24 meses, pero el aumento del ancho de banda de la memoria va muy por detrás. Esta contradicción se conoce como el "muro de la memoria": por muy potente que sea la capacidad de cálculo, si los datos no pueden llegar a tiempo, el chip solo puede esperar en vacío.

Las HBM nacieron precisamente para resolver este cuello de botella. Es una arquitectura de memoria de alto rendimiento que apila verticalmente múltiples chips DRAM y utiliza la tecnología de silicio a través de vías (TSV) para lograr una interconexión de alta velocidad entre los chips. En términos simples, la memoria tradicional coloca los chips DRAM planos sobre una placa de circuito, y los datos se transmiten a través de pines limitados; mientras que las HBM empaquetan los chips DRAM verticalmente como "torres humanas" y luego transmiten datos simultáneamente a través de miles de microcanales, con un ancho de banda mucho mayor que el de la memoria DDR tradicional.

El diseño único de las HBM les otorga una densidad de ancho de banda sin precedentes. Tomando como ejemplo la última HBM4, las especificaciones oficiales publicadas por JEDEC en abril de 2025 muestran que la interfaz de HBM4 se duplica a 2.048 bits, con un ancho de banda de pila única de hasta 2 TB por segundo. La HBM4 de Samsung, producida en masa, utiliza un esquema de apilamiento de 12 capas, con una capacidad base de 36 GB por pila única, una velocidad de transmisión de pines de 13 Gbps y un ancho de banda total de hasta 3,3 TB/s por pila.

Es precisamente esta característica de "alto ancho de banda + bajo consumo" la que hace que las HBM sean un componente central insustituible en los escenarios de entrenamiento e inferencia de IA. Los modelos de lenguaje grandes tienen cientos de miles de millones de parámetros, y cada propagación hacia adelante y hacia atrás requiere el intercambio de enormes cantidades de datos entre el procesador y la memoria; solo las HBM pueden proporcionar el ancho de banda suficiente para respaldar este proceso.

Explosión del mercado: Un salto de 13.400 millones a 54.600 millones de dólares

La velocidad de expansión del mercado de HBM está redefiniendo la curva de crecimiento de toda la industria de chips de memoria.

Según datos de Stratistics MRC, se espera que el tamaño del mercado global de HBM en 2026 alcance los 13.400 millones de dólares, con una tasa de crecimiento anual compuesta del 34,1% durante el período de pronóstico, y podría alcanzar los 141.000 millones de dólares para 2034. Otro conjunto de datos de SEMI es aún más agresivo: Feng Li, presidente de SEMI China, señaló en SEMICON China 2026 que el tamaño del mercado de HBM en 2026 crecerá un 58% hasta los 54.600 millones de dólares, representando casi el 40% del mercado de DRAM.

Los dos conjuntos de datos tienen diferentes mediciones, pero apuntan a la misma conclusión: las HBM se están expandiendo a una velocidad mucho mayor que las categorías tradicionales de semiconductores. La Organización Mundial de Estadísticas del Comercio de Semiconductores (WSTS) predice que el tamaño total del mercado global de semiconductores en 2026 alcanzará los 975.000 millones de dólares. Mientras tanto, la memoria crecerá aproximadamente un 250% interanual en 2026, con un tamaño de mercado que superará los 800.000 millones de dólares. Las HBM son el segmento de más rápido crecimiento y mayor margen de beneficio dentro del sector de la memoria.

El motor principal de este crecimiento proviene de la expansión continua de la infraestructura de IA. En 2026, el gasto global en infraestructura de IA alcanzará los 450.000 millones de dólares, con la potencia de cálculo de inferencia representando más del 70% por primera vez. Los modelos de IA están evolucionando desde la fase de entrenamiento hacia la inferencia y la IA basada en agentes, lo que significa que la demanda de memoria de alto rendimiento no solo no se ha desacelerado, sino que continúa expandiéndose.

Desequilibrio entre oferta y demanda: Capacidad vendida y brecha estructural

Junto con el aumento del tamaño del mercado, el desequilibrio entre oferta y demanda se está volviendo cada vez más grave.

Aunque Samsung, SK Hynix y Micron, los tres principales fabricantes, han destinado el 70% de su nueva capacidad o capacidad reasignable a las HBM, la brecha de capacidad de HBM sigue siendo del 50% al 60%. En 2025, la tasa de brecha de HBM fue del 45%, y en 2026 se mantiene en un alto nivel del 43,5%. Los cálculos institucionales muestran que en 2026, la brecha global entre la oferta y la demanda de DRAM es de aproximadamente el 7%, y la de HBM es de aproximadamente el 6%, y la situación de escasez se está intensificando, con la brecha de DRAM y HBM expandiéndose al 9% en 2027.

Más notable es que toda la capacidad de HBM de los tres principales fabricantes para 2026 ya ha sido bloqueada durante todo el año por los clientes aguas abajo, y muchos clientes principales incluso han bloqueado la capacidad hasta 2028. La gerencia de Micron confirmó públicamente en el informe financiero del tercer trimestre del año fiscal 2026 que la compañía solo puede satisfacer entre el 50% y el 66% de la demanda real de los clientes. Goldman Sachs estima que la escasez de suministro en el mercado de memoria continuará hasta 2028.

Este desequilibrio entre oferta y demanda no es un pulso a corto plazo, sino el resultado de múltiples fuerzas estructurales que actúan juntas. En el lado de la demanda, la expansión continua de la escala de parámetros de los modelos de IA y el auge de la demanda de inferencia proporcionan un soporte rígido; en el lado de la oferta, la complejidad del proceso TSV, la lenta curva de rendimiento del empaquetado avanzado y las restricciones físicas como el ciclo de entrega de equipos significan que la nueva capacidad de producción no se liberará hasta 2028-2029 como muy pronto. Los bancos de inversión internacionales generalmente creen que la escasez de HBM es una tendencia industrial de al menos tres años.

Batalla de los tres gigantes: El juego de poder de SK Hynix, Samsung y Micron

El panorama competitivo del mercado de HBM está formando una estructura de oligopolio con SK Hynix, Samsung Electronics y Micron Technology como núcleo.

SK Hynix es el líder absoluto en el mercado actual de HBM. Según datos de TrendForce, en la proporción mundial de bits de producción de HBM en 2026, SK Hynix representa aproximadamente el 50%, Samsung alrededor del 28% y Micron alrededor del 22%. Las predicciones de Counterpoint Research son más detalladas, estimando que SK Hynix tendrá aproximadamente el 54% de participación en el mercado de HBM4 en 2026, Samsung el 28% y Micron alrededor del 18%. Este liderazgo se refleja directamente en el mercado de capitales: los ingresos del primer trimestre de 2026 de SK Hynix alcanzaron los 52,58 billones de wones, un aumento interanual del 198% y un aumento trimestral del 60%, superando los 50 billones de wones por primera vez en un solo trimestre. UBS predice que los ingresos totales de SK Hynix en 2026 serán de 355,1 billones de wones, con una ganancia operativa de 286 billones de wones.

Samsung, después de experimentar contratiempos en la certificación de HBM3E y el ritmo de suministro, está contraatacando con fuerza con HBM4. El 12 de febrero de 2026, Samsung lanzó globalmente el HBM4 en su campus de Cheonan, provincia de Chungcheong del Sur, y comenzó la producción en masa y el envío. En solo aproximadamente cuatro meses, las ventas acumuladas superaron los 1.000 millones de dólares, convirtiéndose en el primer fabricante de la industria global de memoria en lograr este hito. Si se toma como punto de estadística finales de junio, se espera que las ventas acumuladas de HBM4 superen los 1.200 millones de dólares. Samsung planea aumentar la capacidad de producción mensual de su nodo de proceso DRAM 1c a aproximadamente 150.000 obleas para fines de 2026, para su uso en la producción en masa de HBM4.

Aunque Micron tiene una participación relativamente pequeña, su crecimiento es impresionante. En el tercer trimestre del año fiscal 2026 (hasta el 31 de mayo), Micron reportó ingresos de 41.460 millones de dólares, un aumento interanual del 346%, un margen bruto del 84,9% y ganancias por acción ajustadas de 25,11 dólares, un aumento interanual del 1.215%. La velocidad de aumento de la producción en masa del producto HBM4 de 12 capas de Micron es el doble que la de la versión HBM3E de 12 capas, y la compañía ha acumulado más de 1.000 millones de dólares en ingresos de HBM4. La gerencia de Micron juzga que la tensión entre la oferta y la demanda de HBM continuará hasta después de 2027.

En el mercado general de DRAM, Samsung aún mantiene una ventaja integral. En el primer trimestre de 2026, los ingresos de DRAM de Samsung alcanzaron los 37.320 millones de dólares, un aumento trimestral del 93,4%, con una participación de mercado del 38,5%, ocupando el primer lugar; los ingresos de SK Hynix fueron de 27.980 millones de dólares, un aumento trimestral del 62,5%, con una participación de mercado del 28,8%. Esta comparación muestra claramente: la superación de la capitalización de mercado de SK Hynix no se basa en una superioridad abrumadora en el mercado general de DRAM, sino en la prima de valoración generada por su dominio absoluto en el segmento de alto margen de HBM.

Oportunidades de inversión en la cadena industrial de HBM

El súper ciclo de las HBM se está transmitiendo de arriba a abajo a lo largo de la cadena industrial, creando oportunidades diferenciadas para los objetivos de inversión en diferentes eslabones.

Primer escalón: Los tres principales fabricantes de memoria. SK Hynix, Samsung Electronics y Micron Technology, gracias a su monopolio tecnológico y la escasez de capacidad, obtienen la gran mayoría de las ganancias extraordinarias en la cadena industrial, con márgenes brutos que superan el 70% e incluso el 80%. Estas tres compañías son los beneficiarios más directos y centrales del auge de las HBM.

Segundo escalón: Empaquetado avanzado y pruebas. La expansión de la capacidad de HBM impulsa directamente la demanda de empaquetado avanzado. En el mercado de acciones A, líderes en empaquetado y pruebas como JCET, Tongfu Microelectronics y Huatian Technology están atrayendo fondos del mercado. Además, empresas de equipos semiconductores como NAURA Technology y AMEC se benefician del aumento del gasto de capital impulsado por la expansión global de la memoria.

Tercer escalón: Empresas nacionales de chips de memoria y materiales. En el contexto de la continua tensión en el suministro global de DRAM y NAND, los fabricantes nacionales de chips de memoria han abierto una ventana para la sustitución nacional. Empresas como GigaDevice, Ingenic Semiconductor, ZettaCore y Puya Semiconductor están atrayendo la atención del mercado. Desde junio, las acciones de conceptos de hardware de computación de IA en el mercado A han subido un promedio del 19,05%.

Cuarto escalón: Equipos y materiales de HBM. Incluye equipos de HBM (Wanrun, Hongsu), pruebas (Powertech Technology, King Yuan Electronics) y servidores de IA (Quanta Computer, Wistron, Wiwynn) y otros segmentos.

Reflejo en la industria cripto: Vínculo indirecto entre HBM y activos digitales

Para los profesionales e inversores de la industria cripto, el ciclo de auge de las HBM también merece atención: aunque las HBM y los activos cripto pertenecen a diferentes sectores, existe una clara cadena de transmisión lógica entre ellos.

En primer lugar, la expansión de la infraestructura de computación de IA impulsa directamente la demanda de GPU, y las GPU son los mayores compradores de HBM. Nvidia, como el mayor comprador global de HBM, la capacidad de producción y el ritmo de envío de sus chips afectan directamente el equilibrio entre la oferta y la demanda de HBM. La industria de minería de criptomonedas, como uno de los importantes mercados finales de GPU, también se ve indirectamente afectada por esta dinámica de la cadena de suministro: cuando la demanda de computación de IA ocupa la capacidad de producción de GPU, el costo y la dificultad de obtener hardware de minería de criptomonedas aumentan.

En segundo lugar, el rendimiento de las acciones de los tres gigantes de HBM se ha convertido en un indicador de la temperatura de la inversión en infraestructura de IA. En junio de 2026, Gate lanzó oficialmente la función de negociación de acciones reales, permitiendo a los usuarios negociar directamente acciones y ETF de los principales mercados de valores, como Micron, Samsung Electronics y SK Hynix, utilizando USDT dentro de la plataforma. Esto significa que los inversores cripto pueden participar directamente en las oportunidades de inversión del súper ciclo de HBM a través de este canal.

Al 26 de junio de 2026, Bitcoin cotiza a aproximadamente 59.592 dólares, una caída de más del 52% desde su máximo histórico de 126.223 dólares en octubre de 2025. Ethereum también se ha debilitado, situándose cerca de los 1.510 dólares. En el contexto de la presión general del mercado cripto, el ciclo independiente de auge de la cadena industrial de HBM ofrece a los inversores una perspectiva de asignación entre clases de activos: la escasez estructural y los márgenes extraordinarios del hardware semiconductor tradicional forman hasta cierto punto una relación de cobertura con las fluctuaciones cíclicas de los activos cripto.

Conclusión: HBM no es una burbuja, es una ley de la física

El auge de las HBM no es un tema creado artificialmente por el mercado de capitales. Su lógica subyacente se basa en tres realidades físicas e industriales ineludibles: el crecimiento exponencial del número de parámetros de los modelos de IA impone una demanda rígida de ancho de banda de memoria; la complejidad del proceso de apilamiento 3D con TSV hace que la liberación de capacidad sea naturalmente lenta; y solo hay tres empresas en el mundo con capacidad de producción en masa de HBM: SK Hynix, Samsung y Micron.

No es una historia que pueda replicarse infinitamente. La capacidad de oblea necesaria para producir HBM es aproximadamente de 3 a 4 veces la de la DRAM tradicional. El costo de construcción de una fábrica de obleas de 2 nm ya supera los 25.000 millones de dólares. Detrás de estas cifras hay restricciones físicas reales y barreras de capital: constituyen el foso más sólido en el lado de la oferta de HBM y también determinan que la duración de esta "era dorada de la memoria" no será corta.

Goldman Sachs y otros bancos de inversión han llegado a una conclusión muy consistente: esta "escasez de memoria" no es un pulso a corto plazo, y la escasez estructural de oferta de HBM continuará al menos hasta 2028. Para los inversores, entender las HBM no solo es necesario para aprovechar un sector de inversión, sino también para comprender la lógica operativa de la infraestructura subyacente de la era de la IA: en la cúspide de la pirámide de computación, lo más escaso a menudo no es la capacidad de cálculo en sí, sino el "conducto de datos" que alimenta esa capacidad.

FAQ

1. ¿Cuál es la diferencia entre HBM y la memoria tradicional?

Las HBM apilan verticalmente múltiples chips DRAM utilizando tecnología TSV de silicio a través de vías, logrando una densidad de ancho de banda mucho mayor que la memoria DDR tradicional. La memoria tradicional tiene una disposición plana con canales de transmisión de datos limitados; las HBM pueden tener un ancho de interfaz de hasta 2.048 bits, con un ancho de banda de pila única que supera los 2 TB/s. Las HBM están destinadas principalmente a escenarios intensivos en ancho de banda como el entrenamiento de IA y la computación de alto rendimiento, mientras que la memoria tradicional es más adecuada para la computación de propósito general y la electrónica de consumo.

2. ¿Por qué la capacidad de producción de HBM es tan limitada?

Tres razones principales: Primero, la capacidad de oblea necesaria para producir HBM es aproximadamente de 3 a 4 veces la de la DRAM tradicional; segundo, la curva de rendimiento del proceso TSV y del empaquetado avanzado es lenta, y el ciclo de entrega de equipos es largo; tercero, solo tres fabricantes en el mundo tienen capacidad de producción en masa, y toda la capacidad de 2026 ya se ha agotado. La combinación de estas tres restricciones significa que la nueva capacidad de producción no se liberará hasta 2028-2029 como muy pronto.

3. ¿Cuáles son las acciones relacionadas con HBM?

Los tres principales fabricantes de memoria: SK Hynix (000660.KS), Samsung Electronics (005930.KS), Micron Technology (MU.O). El concepto de HBM en el mercado de acciones A cubre empaquetado avanzado (JCET, Tongfu Microelectronics, Huatian Technology), equipos semiconductores (NAURA Technology, AMEC), chips de memoria (GigaDevice, Ingenic Semiconductor), entre otros eslabones.

4. ¿Cuánto tiempo puede durar el alto margen de beneficio de las HBM?

Los márgenes brutos de los tres principales fabricantes ya han superado el 70% o incluso el 80%. La gerencia de Micron juzga que la tensión entre la oferta y la demanda de HBM continuará hasta después de 2027. Goldman Sachs estima que la escasez de suministro continuará hasta 2028. Mientras el gasto de capital en infraestructura de IA no se desacelere, el ciclo de altos márgenes de HBM tiene posibilidades de continuar.

5. ¿Cómo pueden los inversores cripto participar en el auge de las HBM?

Gate ha lanzado la función de negociación de acciones reales, permitiendo a los usuarios negociar acciones y ETF de Micron, Samsung Electronics, SK Hynix, etc., utilizando USDT. Además, los cambios en la oferta y demanda de HBM se transmitirán a lo largo de la cadena de GPU hasta el equipo de minería de activos cripto, proporcionando señales de referencia indirectas para la asignación entre clases de activos.