MU相关事件与策略分析:相比之前的上千点高位,该标的从 1,234 回落至 1,179.45,半导体存储板块出现阶段性获利盘回吐。AI 芯片和 HBM 需求中长期依然强劲,在 1,150 附近有较强的机构买盘支撑。策略推荐在 1,120-1,170 区间分批承接做多,博弈洗盘结束后的反弹。



10个进场、止盈、止损点位:

1. 进场点:1,170 USDT | 止盈:1,230 USDT | 止损:1,135 USDT

2. 进场点:1,165 USDT | 止盈:1,225 USDT | 止损:1,130 USDT

3. 进场点:1,160 USDT | 止盈:1,220 USDT | 止损:1,125 USDT

4. 进场点:1,155 USDT | 止盈:1,215 USDT | 止损:1,120 USDT

5. 进场点:1,150 USDT | 止盈:1,210 USDT | 止损:1,115 USDT

6. 进场点:1,145 USDT | 止盈:1,205 USDT | 止损:1,110 USDT

7. 进场点:1,140 USDT | 止盈:1,200 USDT | 止损:1,105 USDT

8. 进场点:1,135 USDT | 止盈:1,195 USDT | 止损:1,100 USDT

9. 进场点:1,130 USDT | 止盈:1,190 USDT | 止损:1,095 USDT

10. 进场点:1,120 USDT | 止盈:1,180 USDT | 止损:1,085 USDT
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